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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
- 奈梅亨,2023年11月30日:基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后Nexperia將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動
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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),雙方聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
- 分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻,縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單:當 FET 處于截止狀態(tài)時,源極和漏極之間的電阻非常高,以至于我們假設(shè)電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時,它處于“導通狀態(tài)”,漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而,如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為,您應(yīng)該很容易認識到該模型與事實不符。首先,F(xiàn)ET 并不真正具有“導通狀態(tài)”。當未處于截止狀態(tài)時(我們在此
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護
- 中國上海,2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 截至目前,東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點聚焦于12V產(chǎn)品,主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇,如USB充電設(shè)備電源線路的負載開關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。&nbs
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2023年慕尼黑華南電子展:EEPW&先之科半導體科技(東莞)有限公司
- 先之科半導體科技(東莞)有限公司于2018年成立,旗下子公司先科電子于1991年就開始專注于半導體分立器件研發(fā)及銷售,在半導體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導體企業(yè),先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地,超過1400名員工,保證了其1.8億只的日產(chǎn)能,讓其旗下產(chǎn)品可以出現(xiàn)在任何需要它們的地方。今天展會之上,先之科為我們帶來了豐富的產(chǎn)品,包括各類二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET,橫跨汽車電子、光學逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻,其采用了分立式封裝,
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IGBT/MOSFET 的基本柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計
- 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分;驅(qū)動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動器IC和功率半導體開關(guān)之間的外部組件處(例如外部柵極電阻器上)損失的功率。在以下示例中,我們將討論使用 Avago ACPL-332J(2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器)的 IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計。本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算
- 功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外,對于散熱量極低的筆記本電腦來說,這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟,并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例,詳細說明了上述概念。也許,今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上,今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多,電壓介于0.9V和1.75V之間。但是,盡管電流需求在穩(wěn)步增
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SiC主驅(qū)逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣
- 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束,以及越來越豐富的可選方案,都在推動著人們選用電動汽車 (EV),令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示,到 2023 年,電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%;到 2030 年,預(yù)計將增長至 30%;到 2035 年,電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而,“里程焦慮”,也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長,則是影響電動汽車普及的主要障礙之一??朔@一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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SiC MOSFET 器件特性知多少?
- 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事,即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件,能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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為敏感電路提供過壓及電源反接保護!
- 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上,將發(fā)生什么?倘若電源線和接地線因疏忽而反接,電路還能安然無恙嗎?您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低,但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓,設(shè)計人員慣常的做法是布設(shè)一個與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間,又會在高負載電流下消耗大量的功率?!?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管,但 MOSFET 以及所需的
- 關(guān)鍵字: MOSFET 二極管 LTC4365
了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
- Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術(shù),在高壓(HV)分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導地位,特別是在1700V以上產(chǎn)品,包括電壓阻斷能力高達4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應(yīng)用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術(shù),在高壓(HV)分立Si MOSFET市場具有領(lǐng)導地位,特別是在1700V以上產(chǎn)品,包括電壓阻斷能力高達4700V的器件,能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應(yīng)用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
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適用于熱插拔應(yīng)用的具有導通電阻的高效 MOSFET
- 熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的負載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰,從而進一步損壞電子設(shè)備。熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的負載電流,從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外,電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰,從而進一步損壞電子設(shè)備。簡介熱插拔是指將電子設(shè)備插入帶電電源;這可能會損壞相關(guān)電子設(shè)備。電容性負載可能會產(chǎn)生較大的
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達控制器
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動器,專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計。其特性包括互補的輸入端(IN+ 和 IN-)、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ,其中DESAT 時的軟關(guān)斷以及獨立的高低驅(qū)動器輸出(OUTH 和 OUTL)皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
- 關(guān)鍵字: NCD57000 驅(qū)動器 IGBT MOSFET onsemi 馬達控制
如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET
- 碳化硅(SiC MOSFET)和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用,但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能,為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色:●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
- 關(guān)鍵字: MOSFET EiceDRIVER MOSFET
100W MOSFET功率放大器電路
- 我們設(shè)計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路,可產(chǎn)生 100W 的輸出功率,驅(qū)動約 8 歐姆的負載。 所設(shè)計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點。工作原理:該電路采用多級功率放大原理,包括前置放大器、驅(qū)動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驅(qū)動級是帶有電流鏡負載的差分放大器,功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比,MOSFET 具有驅(qū)動電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成,用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
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