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Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化
- 關注高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調整率,同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應,并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術,可設計出無需光耦的高效率、高精度和
- 關鍵字: Power Integrations MOSFET
e絡盟為醫(yī)療、消費電子及可替代能源等應用領域新增五款業(yè)內首選的威世Super 12系列創(chuàng)新產品
- e絡盟日前宣布新增多款來自全球半導體和分立器件領先供應商威世2015 Super 12系列的創(chuàng)新型無源元件和半導體產品,其中包括電容、電阻及MOSFET,適用于醫(yī)療、消費電子、可替代能源、工業(yè)、電信、計算及汽車電子等各種應用領域。 e絡盟大中華區(qū)區(qū)域銷售總監(jiān)朱偉弟表示:“e絡盟擁有來自全球領先供應商的豐富產品系列,可充分滿足廣大用戶對最新技術的需求,幫助他們進行產品開發(fā)與制造。此次新增的幾款威世Super 12系列創(chuàng)新型產品均為全球最佳產品。用戶可通過e絡盟升級版網站,更加快捷地查看
- 關鍵字: e絡盟 MOSFET
專利設計發(fā)功 ROHM量產溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET,并已建立完整量產機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比,可降低50%導通電阻,大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示,新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專利,目前已開始量產。 羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示,相對于Si-IGBT,SiC
- 關鍵字: ROHM SiC-MOSFET
一款專為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源
- SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質,極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率,拉長新能源汽車的可跑里程,應用在高頻轉換器上,為重型電機、工業(yè)設備帶來高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統(tǒng)計,SiC Mosfet現有市場容量為9000萬美元,估計在2013-2020年SiC Mosfet市場將每年增長39%。由此可預見,SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵! SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢: i. 低導通電阻RDS
- 關鍵字: SiC Mosfet DC-DC
世界首家!ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發(fā)出采用溝槽結構的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調節(jié)器和工業(yè)設備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關設備的功率損耗。 另外,此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產品,目前已建立起了完備的功率模塊產品的量產體制。前期工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣),后期工序的生產基地為
- 關鍵字: ROHM SiC-MOSFET
高壓浪涌抑制器取代笨重的無源組件
- 1 MIL-STD-1275D 的要求 MIL-STD-1275D 定義了各種情況,最重要的是,對穩(wěn)定狀態(tài)工作、啟動干擾、尖峰、浪涌和紋波情況做出了規(guī)定。MIL-STD-1275D 針對 3 種獨立的“工作模式”制定了對上述每一種情況的要求:啟動模式、正常運行模式和僅發(fā)動機模式。 在描述尖峰、浪涌、紋波以及其他要求的細節(jié)之前,先來看一下工作模式。毫不奇怪,“啟動模式”描述的是引擎啟動時發(fā)生的情況;“正常運行模式”描述的
- 關鍵字: 凌力爾特 MIL-STD-1275D 浪涌 MOSFET 紋波
COOLiRFETTM 5x6mm PQFN平臺提供了高效率、高功率密度并降低了系統(tǒng)成本
- 目前世界每年所生產的800萬輛汽車之中,傳統(tǒng)的12V電池系統(tǒng)仍然是主導技術,用來為電動汽車提供電源,汽車電氣化的趨勢會繼續(xù)加重12V電池系統(tǒng)的負擔?,F在,總負載已經輕松達到3 kW或更高。更具創(chuàng)新性的信息娛樂系統(tǒng)(例如數字視頻和觸摸屏);更復雜的安全特性,如電子駐車制動器(EPB),防抱死制動系統(tǒng)(ABS);和節(jié)油功能,如電子動力轉向(EPS),起停微混合,48V板網結構……,都能將功率要求提到更高的水平。另一方面,嚴格的整體要求主要在于促進降低油耗,混合和電動汽車迅速增長
- 關鍵字: COOLiRFET MOSFET DPAK PQFN 硅片
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