nand 文章最新資訊

英特爾亞太NAND Flash操盤手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

　　英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn)，卻不見英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營銷服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠對此表示，雙方合作關(guān)系不會受影響。　　
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平板計算機起飛帶動NAND Flash需求

　　集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預(yù)期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規(guī)模，可說是平板計算機起飛年，將帶動內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用，預(yù)估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。　　
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NAND芯片漲價15% 或引iPad漲價

　　亞洲最大半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產(chǎn)。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內(nèi)等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或?qū)⑸蠞q15%。　　
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測

　　根據(jù)Gartner發(fā)布的報告，該公司下調(diào)對于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場的預(yù)測;原先該公司預(yù)期將成長4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長113%，現(xiàn)在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設(shè)備采購主要的重點將在于產(chǎn)能的擴充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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2011年半導(dǎo)體市場回歸正常軌道

　　2010年全球半導(dǎo)體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟復(fù)蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預(yù)測，2011年全球半導(dǎo)體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導(dǎo)體市場正在回歸正常軌道。　　
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美光新加坡廠明年投產(chǎn)

　　美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫，美光表示不擔心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計算機等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。　　
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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

　　臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價

　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。　　
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東芝日本廠跳電受影響產(chǎn)能恐達20%

　　華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。　　接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。　　
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場將保持5%的成長率

　　針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當強勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。　　
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預(yù)計明年NAND閃存銷售量漲價跌

　　集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。　　集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。　　
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全球IC市場喜憂參半

　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預(yù)測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設(shè)備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;　
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NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲器管理算法映射物理地址

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]