nand-flash 文章最新資訊

C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展

　　摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。關(guān)鍵詞：NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引言　　大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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TMS320C6713的FLASH引導(dǎo)裝載系統(tǒng)設(shè)計(jì)

前言 DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí)，由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此，引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲(chǔ)器，而且單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。　　根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出，韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi)，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。　　雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu)，最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。　　據(jù)悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光（Micron）科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
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51內(nèi)核8位單片機(jī)MAX7651的開發(fā)環(huán)境

　　摘要：介紹一種基于四時(shí)鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號(hào)8位單片機(jī)MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應(yīng)用系統(tǒng)時(shí)所面臨的問(wèn)題，并推薦相應(yīng)的解決方案。關(guān)鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時(shí)鐘周期　　在全球8位單片機(jī)領(lǐng)域，英特爾（Intel）生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導(dǎo)者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為，基于8051內(nèi)核的8位單片機(jī)兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
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基于NOR FLASH存儲(chǔ)器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來(lái)討論嵌入式手持移動(dòng)終端中文件系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。
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AVR單片機(jī)的RC5和RC6算法比較與改進(jìn)

　　摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機(jī)功能強(qiáng)大，在無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢(shì)。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機(jī)，實(shí)現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法，并對(duì)算法進(jìn)行匯編語(yǔ)言的優(yōu)化及改進(jìn)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果。對(duì)兩種算法的優(yōu)熱點(diǎn)進(jìn)行比較和分析。關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash 引言　　在無(wú)線局域網(wǎng)中，傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無(wú)線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截?zé)o線信道中的數(shù)據(jù)，掌握
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)中，常常需要大容量、高密度的存儲(chǔ)器，而在各種存儲(chǔ)器中，NAND FLASH以價(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢(shì)成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對(duì)時(shí)序要求也十分嚴(yán)格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標(biāo)記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存公司市場(chǎng)份額猛增

iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達(dá)到14億美元，比第1季度的12億美元增長(zhǎng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內(nèi)存/存儲(chǔ)系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強(qiáng)勁主要是按容量計(jì)算增長(zhǎng)11%，出貨量增加歸功于擴(kuò)大蘋果iPhone和iPod等消
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一種新型單片機(jī)MSC1210及其應(yīng)用

　　摘要：主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機(jī)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，其高性能ADC、片內(nèi)存儲(chǔ)器以及Flash編程應(yīng)用等功能。關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash 實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)往往需要進(jìn)行高精度的測(cè)量，同時(shí)還必須進(jìn)行實(shí)時(shí)快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機(jī)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機(jī)解決了上述問(wèn)題。它集成了一個(gè)增強(qiáng)型8051內(nèi)核、高達(dá)33 MHz
關(guān)鍵字： MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器

PISMO顧問(wèn)委員會(huì)發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

致力于簡(jiǎn)化系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)驗(yàn)證和測(cè)試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì)近日宣布，PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過(guò)審批。這一針對(duì)目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲(chǔ)供應(yīng)商增加了 MMC存儲(chǔ)接口支持，從而滿足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲(chǔ)豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì)于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計(jì)者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺(tái)上測(cè)試多種存
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三星調(diào)高閃存價(jià)格帶動(dòng)內(nèi)存價(jià)格上升

　在三星向外界透露位于韓國(guó)的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關(guān)注該事件對(duì)NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升。　　業(yè)界預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報(bào)價(jià)。　　在三星向外界透露
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三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

　NAND Flash供需出現(xiàn)進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導(dǎo)致市場(chǎng)產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價(jià)部份，由于廠商仍存在過(guò)度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚(yáng)。　　Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運(yùn)轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?，F(xiàn)階段Samsung與市場(chǎng)上仍有一定庫(kù)存量，9月份實(shí)際供給
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NAND閃存迎來(lái)大發(fā)展新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點(diǎn)

據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個(gè)世界。　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會(huì)”上說(shuō)，一方面，NAND閃存正在打跨競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對(duì)1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構(gòu)成了威脅。　　他說(shuō)，NAND下一個(gè)大市場(chǎng)將是視頻，明年，市場(chǎng)上將會(huì)出現(xiàn)配置了更多閃存的相機(jī)和拍照手機(jī)。明年，市場(chǎng)上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。　　在未來(lái)的5-7年內(nèi)，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND缺貨潮空襲存儲(chǔ)卡小廠幾乎倒一半

2007年NAND Flash價(jià)格走勢(shì)戲劇化，但對(duì)下游廠商而言，可謂是幾家歡樂(lè)幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂(lè)得NAND Flash價(jià)格止跌反彈，終止長(zhǎng)達(dá)1年的慘淡經(jīng)營(yíng)時(shí)期；然對(duì)于產(chǎn)業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價(jià)格大漲的行情，反而不是什么好消息。因?yàn)樾S的拿貨能力有限，當(dāng)上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時(shí)，等于是宣判小廠正式出局！　　業(yè)界表示，這波NAND Flash價(jià)格上漲除了是蘋果(Ap
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