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TMS320C6713的FLASH引導裝載系統(tǒng)設(shè)計
- 前言 DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時,由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源,又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。因此,引導裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度,是DSP系統(tǒng)設(shè)計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中,外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器,而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此,本文介紹了TMS320
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NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌
- 九月,NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌,較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 根據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上,而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。 據(jù)臺灣內(nèi)存消息人士指出,韓國三星電子8月震驚業(yè)內(nèi),使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑,反映在現(xiàn)貨市場價格疲弱。 雖然許多內(nèi)存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購,最新的報價仍然加
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51內(nèi)核8位單片機MAX7651的開發(fā)環(huán)境
- 摘要:介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內(nèi)核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應用系統(tǒng)時所面臨的問題,并推薦相應的解決方案。 關(guān)鍵詞:MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 在全球8位單片機領(lǐng)域,英特爾(Intel)生產(chǎn)的MCS-51系列是毋庸質(zhì)疑的領(lǐng)導者。借助英特爾廣泛的授權(quán)行為,基于8051內(nèi)核的8位單片機兼容產(chǎn)品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
- 關(guān)鍵字: MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器
基于NOR FLASH存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)的設(shè)計
- 本文中,我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景,來討論嵌入式手持移動終端中文件系統(tǒng)的實現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字: FLASH NOR 存儲器 嵌入式文件系統(tǒng)
AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進
- 摘要:RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大,在無線數(shù)據(jù)傳輸應用方面很有優(yōu)勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機,實現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法,并對算法進行匯編語言的優(yōu)化及改進。根據(jù)實驗結(jié)果。對兩種算法的優(yōu)熱點進行比較和分析。 關(guān)鍵詞:Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash 引言 在無線局域網(wǎng)中,傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無線電波和紅外線,任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截無線信道中的數(shù)據(jù),掌握
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基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中,常常需要大容量、高密度的存儲器,而在各種存儲器中,NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜,對時序要求也十分嚴格,而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加),這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度,于是就要求有一個控制器,使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA NAND FLASH 嵌入式
一種新型單片機MSC1210及其應用
- 摘要:主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機結(jié)構(gòu)特點,其高性能ADC、片內(nèi)存儲器以及Flash編程應用等功能。 關(guān)鍵詞:MSC1210 ADC PGA Flash 實際應用系統(tǒng)往往需要進行高精度的測量,同時還必須進行實時快速控制,提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機系統(tǒng)來實現(xiàn)。德州儀器(TI)的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內(nèi)核、高達33 MHz
- 關(guān)鍵字: MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器
三星調(diào)高閃存價格 帶動內(nèi)存價格上升
- 在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后,各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。 業(yè)界預測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升,同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響,NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格,力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。 在三星向外界透露
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存
三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊
- NAND Flash供需出現(xiàn)進一步緊繃的狀況。究其原因,除年底旺季需求增加外,最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故,導致市場產(chǎn)生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份,由于廠商仍存在過度上漲,可能造成需求冷卻之疑慮。因此,即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電,生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復運轉(zhuǎn),但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?,F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量,9月份實際供給
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 閃存
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