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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

海可枯石可爛，程序存儲的空間也會變

  • 現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個(gè)叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個(gè)更為專業(yè)一點(diǎn)的術(shù)語，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
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兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

  • 近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎。“中國芯”獎項(xiàng)是目前國內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎項(xiàng)之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名，基本涵蓋國內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

  • 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計(jì)將于下月送樣檢測，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
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中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

  • 網(wǎng)易科技訊 9月2日消息 紫光集團(tuán)旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

  • 受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
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日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

  • Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開賣

  • SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開始銷售。
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  4D NAND  128層  

停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

  • 日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當(dāng)?shù)貭I運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營運(yùn)中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時(shí)程出貨。
  • 關(guān)鍵字： ?威騰  東芝存儲器  NAND Flash  

NAND閃存連跌一年半 減產(chǎn)也阻止不了跌價(jià)

  • NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺北電腦展上，群聯(lián)公司董事長潘建成也預(yù)測NAND閃存價(jià)格已經(jīng)跌破了成本，未來跌幅會收窄，需求則會升溫。
  • 關(guān)鍵字： NAND  減產(chǎn)  

長江存儲64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

  • 市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團(tuán)的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
  • 關(guān)鍵字： 紫光集團(tuán)  長江存儲  3D NAND  

數(shù)據(jù)存儲很重要，這塊把錢省不掉？

  • 多日后，當(dāng)李工在領(lǐng)導(dǎo)面前拍著桌子指責(zé)我的時(shí)候，我才知道，原來我倆在項(xiàng)目啟動會上的交鋒早已埋下了日后沖突的種子。
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)存儲  EEPROM  Flash  

為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn)，Entegris用了哪些方法？

  • 當(dāng)前，我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程，在這里催生了很多新技術(shù)和新市場，比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵(lì)、互相融合，共同推動半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
  • 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  Entegris  3D NAND  

集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價(jià)跌幅略有收斂

  • 　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季。　　展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
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東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

  • 　　根據(jù)外媒的報(bào)道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！　　　?jù)介紹，芯片將實(shí)現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)镹AND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?！　?jù)報(bào)道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
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nand-flash介紹

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