nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束？

據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司（三星、海力士、美光）的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規(guī)模均成長(zhǎng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模比2016年成長(zhǎng)22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲(chǔ)器的
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器、NAND、DRAM

武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團(tuán)旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
關(guān)鍵字：武漢新芯 50nm SPI NOR Flash

引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

近日，以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
關(guān)鍵字： QLC NAND 內(nèi)存

SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報(bào)道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)TB內(nèi)存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
關(guān)鍵字： SK 4D NAND 128層

?？煽菔蔂€，程序存儲(chǔ)的空間也會(huì)變

現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個(gè)叫做“保質(zhì)期”的標(biāo)簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個(gè)更為專業(yè)一點(diǎn)的術(shù)語(yǔ)，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
關(guān)鍵字： RAM flash 程序

兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日，?業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)?！爸袊?guó)芯”獎(jiǎng)項(xiàng)是目前國(guó)內(nèi)最具權(quán)威性與影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計(jì)187款芯片產(chǎn)品參與報(bào)名，基本涵蓋國(guó)內(nèi)最具實(shí)力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
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東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)

據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)帶來(lái)了低延遲和高性能的解決方案，樣品預(yù)計(jì)將于下月送樣檢測(cè)，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
關(guān)鍵字：東芝存儲(chǔ)器 XL-Flash

中國(guó)首款！長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn)，而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開(kāi)賣

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開(kāi)始銷售。
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停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器(TMC)當(dāng)?shù)貭I(yíng)運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營(yíng)運(yùn)中斷，盡管東芝存儲(chǔ)器尚未對(duì)外說(shuō)明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
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NAND閃存連跌一年半減產(chǎn)也阻止不了跌價(jià)

NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺(tái)北電腦展上，群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也預(yù)測(cè)NAND閃存價(jià)格已經(jīng)跌破了成本，未來(lái)跌幅會(huì)收窄，需求則會(huì)升溫。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

市場(chǎng)傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意改變策略，越過(guò)大股東紫光集團(tuán)的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
關(guān)鍵字：紫光集團(tuán) 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND