nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

分析師：NAND閃存價(jià)格將上漲

　　根據(jù)IC Insights近期發(fā)布的McClean Report年中更新版顯示，閃存市場(chǎng)將發(fā)生變化，在未來(lái)幾年將從買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)向賣方市場(chǎng)。　　閃存出貨量和位需求量預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，但閃存產(chǎn)能的投資這兩年正在減小。IC Insights預(yù)計(jì)2009年閃存資本支出將下滑至前一年的25%，約30億美元。這將為2012年前的平均銷售價(jià)格帶來(lái)上行壓力。　　2009年閃存銷售量仍將增長(zhǎng)，盡管經(jīng)濟(jì)形勢(shì)極具挑戰(zhàn)。受手持設(shè)備、無(wú)線消費(fèi)電子、電腦和通訊設(shè)備需求的帶動(dòng)，閃存位出貨量在2005年至2008年之間達(dá)到了三位數(shù)百
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子閃存手持設(shè)備通訊設(shè)備

亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復(fù)蘇推手

　　SEMI World Fab Forecast最新出爐報(bào)告，2009年前段半導(dǎo)體業(yè)者設(shè)備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個(gè)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號(hào)，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復(fù)蘇推手，存儲(chǔ)器晶圓廠、后段封測(cè)則跟進(jìn)。　　晶圓代工廠臺(tái)積電宣布，增加2009年資本支出回復(fù)到2008年19億美元的水平，比起原本的預(yù)測(cè)提高了26%左右。隨后，臺(tái)積電第2季的投資法人說(shuō)明會(huì)上，臺(tái)積電又進(jìn)一步
關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶圓代工 NAND

基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)

0 引言
目前，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，計(jì)算機(jī)技術(shù)也得到飛速的發(fā)展，產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計(jì)算機(jī)的基本結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個(gè)中心點(diǎn)就是存儲(chǔ)一控制，所以存儲(chǔ)器
關(guān)鍵字： VxWorks FLASH NAND 驅(qū)動(dòng)

東芝32納米即將量產(chǎn)　群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持

　　面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預(yù)計(jì)32納米制程產(chǎn)量，在年底可達(dá)產(chǎn)能30%，但以目前進(jìn)度來(lái)看，勢(shì)必會(huì)延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)，其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng)，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時(shí)可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月營(yíng)收將持續(xù)成長(zhǎng)，估計(jì)月增率可達(dá)10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。　　東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)
關(guān)鍵字：東芝 32納米 NAND

2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍

　　根據(jù)配備各種存儲(chǔ)器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測(cè)了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢(shì)。預(yù)測(cè)結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動(dòng)半導(dǎo)體元件投資增長(zhǎng)的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。　　按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個(gè) 　　《日經(jīng)市場(chǎng)調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個(gè)。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長(zhǎng)的產(chǎn)品是個(gè)人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過(guò)，SSD市場(chǎng)要到2
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND

20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

　　在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來(lái)說(shuō)，到2011年～2012年，通過(guò)采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實(shí)現(xiàn)128Gb的容量。　　但是，如果要實(shí)現(xiàn)超過(guò)128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。許多工程師也認(rèn)為，2011年～2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)單元。但據(jù)SanDisk公司分析，當(dāng)工藝發(fā)展到20nm以下時(shí)，從
關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND

美光：TMC模式不會(huì)成功

　　隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺(tái)面，美光(Micron)和臺(tái)塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書，美光在臺(tái)代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會(huì)成功，即使成功亦不會(huì)解決臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問(wèn)題，但臺(tái)系DRAM廠并不會(huì)步上奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)后塵，因?yàn)榕_(tái)灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人，不會(huì)像奇夢(mèng)達(dá)倒了都還找不到買主，而美光在臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會(huì)。　　現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲(chǔ)器公司作出發(fā)，采取爾必
關(guān)鍵字：美光 DRAM NAND

三星計(jì)劃升級(jí)美國(guó)內(nèi)存芯片工廠裁員500人

　　三星電子正計(jì)劃對(duì)美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級(jí)改造，這一過(guò)程中將裁員500人。　　三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對(duì)該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。　　今年早些時(shí)候，三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
關(guān)鍵字：三星內(nèi)存芯片 DRAM NAND

智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒，NAND閃存繁榮依舊

　　手機(jī)及其它移動(dòng)電子設(shè)備微型投影機(jī)發(fā)展驚人　　據(jù) iSuppli 公司，由于能夠克服移動(dòng)電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機(jī)等產(chǎn)品中的微型投影機(jī)的出貨量未來(lái)四年將增長(zhǎng)約 60 倍。　　到 2013 年，內(nèi)嵌式微型投影機(jī)的出貨量將從今年的 5 萬(wàn)部升至超過(guò) 300 萬(wàn)部。附圖為 iSuppli公司對(duì)內(nèi)嵌式微型投影機(jī)全球出貨量的預(yù)測(cè)。　　iSuppli 對(duì)微型投影機(jī)的定義是：重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無(wú)需電池組的正投影機(jī)。雖然微
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飛索半導(dǎo)體瘦身專攻嵌入式和IP授權(quán)兩大業(yè)務(wù)

　　“2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉，產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì)，而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存，就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日，全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營(yíng)銷總監(jiān)John Nation抵京，他帶來(lái)了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況，以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。　　Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商，也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。　　今年3月1日，Spansion公司宣布，根
關(guān)鍵字： Spansion DRAM 閃存

NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

　　NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來(lái)的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對(duì)建新廠失去興趣。　　積極地來(lái)看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬(wàn)petabyte(PB，1 peta=100萬(wàn)Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來(lái)的NAND閃存需求讓將爆炸性增長(zhǎng)，其中包括最有潛力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力——嵌入式移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)。　　Harari在閃存峰會(huì)的主題演講中
關(guān)鍵字： SanDisk NAND 閃存

耶魯大學(xué)和SRC共同研制出高性能鐵電存儲(chǔ)器

　　耶魯大學(xué)的研究人員和Semiconductor Research Corp (SRC)稱利用鐵電材料制作存儲(chǔ)器來(lái)代替DRAM和閃存非常合適。目前DRAM技術(shù)必須每幾個(gè)毫秒就刷新一下，而鐵電存儲(chǔ)器可以持續(xù)幾分鐘而無(wú)需刷新。　　耶魯大學(xué)和SRC的研究人員制成了一種用于FeDRAM的鐵電晶體管實(shí)驗(yàn)樣品，該FeDRAM保存信息的時(shí)間比DRAM長(zhǎng)1000倍，而功耗僅為DRAM的1/20，而且尺寸可以縮至ITRS上的最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。　　“我們的存儲(chǔ)器的速度至少和DRAM一樣快，但尺寸和閃存一樣小，
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM 閃存 FeDRAM

英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲(chǔ)容量為每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特。這個(gè)存儲(chǔ)密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)存儲(chǔ)單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。　　美光NAND閃存營(yíng)銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說(shuō)，雖然在一個(gè)存儲(chǔ)單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒(méi)有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒(méi)有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。固
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臺(tái)灣媒體：奇夢(mèng)達(dá)資產(chǎn)拍賣大陸撿便宜

　　曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢(mèng)達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時(shí)機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心，至于蘇州封測(cè)也傳出將由華潤(rùn)集團(tuán)接手，而這些收購(gòu)公司背后都有國(guó)資背景，顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。　　德國(guó)內(nèi)存龍頭廠奇夢(mèng)達(dá)確定遭到市場(chǎng)淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢(mèng)達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國(guó)的弗吉尼亞與德國(guó)的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來(lái)西亞的后段封測(cè)廠。至于奇夢(mèng)達(dá)在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
關(guān)鍵字：奇夢(mèng)達(dá) 晶圓服務(wù)器 DRAM NAND

日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇廠家暑期加班應(yīng)對(duì)

　　據(jù)日本媒體報(bào)道，日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長(zhǎng)等因素，市場(chǎng)需求得到恢復(fù)，庫(kù)存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績(jī)有望得到好轉(zhuǎn)，也可能為日本國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來(lái)一股活力。　　在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計(jì)劃開工。　　東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機(jī)等的&
關(guān)鍵字：夏普液晶面板半導(dǎo)體 NAND