nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
恒憶推出針對汽車和嵌入式應(yīng)用的工作電壓為5伏的NOR閃存
- 恒憶近日宣布公司正在擴展其主流NOR閃存產(chǎn)品線,其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產(chǎn)品。此器件工作電壓為5伏,非常適合汽車和嵌入式應(yīng)用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb,具有快速存儲執(zhí)行、靈活及穩(wěn)定等特性,適合于汽車、軍工、工廠自動化及航天應(yīng)用。 汽車及嵌入式應(yīng)用需要高質(zhì)量、高可靠性及高穩(wěn)定性的器件供給——有些要求達5年,或甚至更長。然而,大多數(shù)存儲器供應(yīng)商趨于最新更新的技術(shù),這些關(guān)鍵產(chǎn)品生產(chǎn)通常會斷斷續(xù)續(xù),這
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三星和海力士獲得蘋果7000萬NAND大單
- 4月15日消息 據(jù)韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單,要求供應(yīng)7000萬顆NAND型閃存芯片,用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成,引發(fā)蘋果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國時報指出,有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果,而海力士也將供應(yīng)2000萬顆。” 部分分析師認為,蘋果這次大規(guī)模訂單,將刺激韓國芯片廠商業(yè)績,同時,也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。 分析師還指出,N
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靈活應(yīng)變 創(chuàng)新領(lǐng)航——恒億CTO兼副總裁Edward Doller

- 由于全球性金融危機,很多公司正經(jīng)歷前所未有的艱難時期。恒億(Numonyx)2008年5月成立,前身是Intel和ST的內(nèi)存部門。公司自成立之初,就成為全球三大閃存供應(yīng)商之一,最大的無線通信MCP(多芯片封裝,可融合多種內(nèi)存技術(shù))供應(yīng)商。迄今為止,恒億財務(wù)狀況良好,2008年4季度速動比率*達到2以上,在同行中居領(lǐng)先地位。 Edward Doller 恒億CTO兼副總裁 恒億的策略是給客戶提供一套完整的解決方案,包括NOR、NAND、RAM和新一代存儲技術(shù)——PCM
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三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便。現(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應(yīng)用
- 1. E5的特點及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內(nèi)核,但將微處理器的內(nèi)核,ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體,構(gòu)成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點 - 關(guān)鍵字: E5 應(yīng)用 存儲器 數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存 映射
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶
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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準(zhǔn)多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字: FSI 半導(dǎo)體 NAND
恒憶首次登陸北京IIC盛會
- 2009年3月5日,北京訊,第十四界國際集成電路研討會暨展覽會(IIC-China)作為中國最具影響力的電子行業(yè)盛會于3月5日在北京隆重開幕。恒憶(Numonyx)的首席技術(shù)官兼副總裁Edward Doller在大會上發(fā)表了重要主題演講,解讀存儲產(chǎn)業(yè)的不斷演進和目前所面臨的挑戰(zhàn),并分享了恒憶在閃存領(lǐng)域的最新技術(shù)突破,以及當(dāng)前在全球經(jīng)濟危機下,公司如何保持持續(xù)領(lǐng)先的應(yīng)對策略。 由于全球性金融危機,2008年對于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙,在這種困難時期,恒憶公司憑借其先進的解決方案,
- 關(guān)鍵字: Numonyx 閃存 IIC-China
nand 閃存介紹
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