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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進(jìn)

功率MOSFET不僅是一種普遍使用的電子元件，而且也代表著一個(gè)眾所周知的事實(shí)――硅技術(shù)的創(chuàng)新已經(jīng)與滿足市場(chǎng)需求的表面貼裝封裝的創(chuàng)新形影不離。
關(guān)鍵字： MOSFET 表面貼裝封裝

如何進(jìn)行OLED電源設(shè)計(jì)

　　有些設(shè)計(jì)者為了追求較高的轉(zhuǎn)換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩(wěn)定輸出, 如圖三的升壓架構(gòu)。由于功率開(kāi)關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的升壓轉(zhuǎn)換器，如MAX1722, 可有效節(jié)省空間、降低成本。手機(jī)Vdd解決方案　　對(duì)于手機(jī)Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個(gè)內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的同步降壓結(jié)構(gòu)，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達(dá)1.2MHz, 允許設(shè)計(jì)者選用小尺寸的電感和輸出電容,
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尺寸縮小對(duì)溝槽MOSFET性能的影響

0 引言　　近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長(zhǎng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開(kāi)關(guān)損耗及較快的開(kāi)關(guān)速度，被廣泛地應(yīng)用在低壓功率領(lǐng)域。　　低壓TMOS的導(dǎo)通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度。基于此，本文借助了溝槽
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飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，F(xiàn)DFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低5
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安森美半導(dǎo)體推出8款新器件用于消費(fèi)和工業(yè)應(yīng)用

　　2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專(zhuān)門(mén)為中等電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些MOSFET非常適用于直流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中，這些應(yīng)用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA)，安森美半導(dǎo)體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應(yīng)用受未預(yù)料的電壓瞬態(tài)影響。　　這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
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Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作

　　Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費(fèi)、通信、計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補(bǔ)MOSFET。　　這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容，性?xún)r(jià)比具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，不僅能減少物料清單，還能在無(wú)需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
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美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體推出多款全新的SIMPLE SWITCHER 控制器及業(yè)界首套MOSFET 篩選工具

　　二零零八年十月二十一日--中國(guó)訊 -- 美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation)(美國(guó)紐約證券交易所上市代號(hào)：NSM)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER® 同步降壓控制器。與此同時(shí)，該公司還推出了業(yè)界首套端到端MOSFET的篩選工具，可有效的協(xié)助工程師精簡(jiǎn)開(kāi)關(guān)控制器的設(shè)計(jì)。　　該系列全新的 PowerWise® SIMPLE SWITCHER 同步降壓控制器共有 4 個(gè)不同型號(hào)，全部都
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詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
關(guān)鍵字： MOSFET 結(jié)構(gòu) 開(kāi)關(guān) 驅(qū)動(dòng)電路

基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路

功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開(kāi)關(guān)電源，馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際...
關(guān)鍵字： MOSFET 結(jié)構(gòu) 開(kāi)關(guān) 馬達(dá) 驅(qū)動(dòng)電路

IR推出25W至500W可擴(kuò)展輸出功率D類(lèi)音頻功率放大器參考設(shè)計(jì)

　　國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）推出針對(duì)每通道25W以上D類(lèi)音頻放大器的IRAUDAMP7參考設(shè)計(jì)，適用于包括家庭影院設(shè)備、樂(lè)器和汽車(chē)娛樂(lè)系統(tǒng)等應(yīng)用。IRAUDAMP7的功率范圍為25W至500W，為單層PCB提供了高度的擴(kuò)展性。　　IRAUDAMP7S 120W雙通道、半橋式設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)120W 8歐姆D類(lèi)音頻放大器91%的效率，在頻率1 kHz的60W 8歐姆時(shí)的THD+N為0.005% （均為典型） .IRAUDAMP7D采用了IR的DIP16封
關(guān)鍵字： IR D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì) MOSFET

中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)

　　在中國(guó)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷(xiāo)售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）銷(xiāo)售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷(xiāo)售額保持著較快的增長(zhǎng)，是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。　　從應(yīng)用領(lǐng)域上看，消費(fèi)電子領(lǐng)域銷(xiāo)售額位列第一位，工業(yè)控制居于第二，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域銷(xiāo)售額位于第三位。這三大領(lǐng)域銷(xiāo)售額占整體市場(chǎng)的68.9%，是功率器件的重要應(yīng)用市場(chǎng)。同時(shí)，憑借筆記本電腦
關(guān)鍵字： MOSFET 功率晶體管消費(fèi)電子 IC LDO 液晶電視

Micrel推出兩款新型同步降壓調(diào)節(jié)器

　　麥克雷爾公司（Micrel Inc.）推出 MIC23030 和 MIC23031，為其 HyperLight Load（TM）同步降壓調(diào)節(jié)器家族增添了兩名新成員。這項(xiàng)在 MIC23030/1 中實(shí)施的專(zhuān)利架構(gòu)能為便攜式產(chǎn)品提供一流的瞬態(tài)性能和剛好3毫伏的輸出電壓紋波。該調(diào)節(jié)器內(nèi)置 MOSFET，可在一個(gè)1.6mm x 1.6mm 的小型 Thin MLF（R）封裝中提供高達(dá)4億安的輸出電流，而損耗量?jī)H為21微安的靜態(tài)電流。這些 HyperLight Load（TM）降壓調(diào)節(jié)器能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)93
關(guān)鍵字：麥克雷爾 Micrel 降壓調(diào)節(jié)器 MOSFET

安森美半導(dǎo)體與中國(guó)領(lǐng)先空調(diào)制造商達(dá)成設(shè)計(jì)協(xié)作

　　高能效電源解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）日前宣布，佛山市中格威電子有限公司（廣東志高集團(tuán)）選用其N(xiāo)CP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電，實(shí)現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機(jī)能耗。　　安森美半導(dǎo)體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦（W）輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導(dǎo)體專(zhuān)有的跳周期工作技術(shù)使空調(diào)在低峰值電流下工作；公司的高壓技術(shù)體現(xiàn)在帶有啟動(dòng)電流源的內(nèi)置700 V MOSFET，而這MOSFET和啟動(dòng)電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
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MagnaChip 為液晶顯示器推出互補(bǔ)型 N-P 通道 MOSFET 系列

　　MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）系列。　　這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專(zhuān)為液晶電視和液晶顯示器逆變器設(shè)計(jì)的 N 通道功率和 P 通道功率互補(bǔ) MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設(shè)計(jì)提供了一個(gè)最優(yōu)化的解決方案，有 DPAK（分立元件封裝）和 SOIC-8（小型集成電路封裝），在單一設(shè)備中綜合了 N 通道和 P 通道，從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外，該 N-P 多芯片 MOS
關(guān)鍵字：液晶 MagnaChip MOSFET 顯示器