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Vishay將參加西安2012西部電源技術(shù)創(chuàng)新論壇

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國(guó)西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國(guó)電源行業(yè)協(xié)會(huì)合辦,由Vishay技術(shù)專家做4場(chǎng)技術(shù)報(bào)告,探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。
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功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革

  •   前言   為了防止地球溫室化,減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量,節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下,羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電,通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。   而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬(wàn)伏的電壓,通過電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機(jī)充電器所提供的約5V的電壓進(jìn)行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉(zhuǎn)換,每次轉(zhuǎn)換都會(huì)發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零,就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
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新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)湓趯捿斎?、高用電量?fù)載中的應(yīng)用

  • 摘要:本文介紹了一種“零電壓開關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)?,說明了其給系統(tǒng)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
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羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索

  • 在功率元器件的發(fā)展中,主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里,在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k,同時(shí)將電壓也降低到1/k,力爭(zhēng)更低功耗”的指導(dǎo)原理下,隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展,實(shí)現(xiàn)了開關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中,微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年,需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
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節(jié)能家電電源整體解決方案

  • 摘要:家電是節(jié)能推行過程中重要的一部分。 在本文中,推薦了家電電源的整體解決方案。 通過融合最先進(jìn)的技術(shù),能夠設(shè)計(jì)出頂尖的開關(guān)電源,這引起了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者極大的興趣。 本文描述每款產(chǎn)品的功能特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn),并列出評(píng)估板的測(cè)試結(jié)果。
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提升能效,讓整個(gè)世界微笑

  • 摘要:面對(duì)越來(lái)越嚴(yán)格的能效等級(jí),電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn),未來(lái)幾年,電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)需求。
  • 關(guān)鍵字: 電源管理  DC/DC  MOSFET  201211  

Microchip推出高電壓模擬降壓PWM控制器

  • 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制(PWM)控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)(FOM)MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的消費(fèi)電子和工業(yè)應(yīng)用。
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反激式電源中MOSFET的鉗位電路

  • 輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出...
  • 關(guān)鍵字: 反激式  MOSFET  鉗位電路  

安森美新器件用于富于挑戰(zhàn)的不同汽車應(yīng)用

  • 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車產(chǎn)品系列,專門為發(fā)展迅速的汽車市場(chǎng)而設(shè)計(jì),配合汽車電子成分持續(xù)升高,用于燃油經(jīng)濟(jì)性、安全、信息娛樂系統(tǒng)及車載通信等先進(jìn)功能。
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Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路,因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動(dòng)器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

  • b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
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實(shí)現(xiàn)汽車器件0ppm目標(biāo)的舉措

  • 汽車可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車可能是我們每個(gè)人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽起來(lái)有失偏頗,并且如果您的...
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雙柵極SET與MOSFET的混合特性

  • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性  由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
  • 關(guān)鍵字: 雙柵極  SET  MOSFET  

MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
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瑞薩電子推出工業(yè)用首個(gè)微控制器

  • 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個(gè)人計(jì)算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲(chǔ)存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個(gè)集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測(cè)電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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