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EEPW首頁 >> 主題列表 >> mosfet-90n10

MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

  • 　　一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負載點（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
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功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

  • 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實驗結(jié)果均表明該方法的正確性。
  • 關(guān)鍵字： 研究  問題  MOSFET  功率  

提高穩(wěn)壓器過流保護能力的 MOSFET

  • 經(jīng)典的 LM317型可調(diào)輸出線性穩(wěn)壓器具有相當(dāng)大的電流承受能力。此外，LM317還具有限流和過熱保護功能。
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起直流穩(wěn)壓(流)電子負載核心作用的功率 MOSFET

  • 設(shè)計人員都用直流電子負載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用，就可制作出自己的直流電子負載（圖 1）。
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2005年4月21日，瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

  • 　　2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大，通過使用新工藝和新封裝，實現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
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新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B

一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計的驅(qū)動器

  • 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計的電力電子驅(qū)動器件――SCALE集成驅(qū)動器的性能特點和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動器  設(shè)計  MOSFET  IGBT  專為  

基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計

  • 摘    要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應(yīng)用，其脈沖波形隨設(shè)計線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果，從而解決了隨機燒毀功率管的技術(shù)問題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中，有時隨機出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象，本文對這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1  SG35
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2004年6月7日，瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

  • 　　2004年6月7日，瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比，HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低，將有助于設(shè)計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
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