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VDMOS器件損傷的DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計(jì)
- 航天用DC/DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下,輻射損傷是其主要失效機(jī)理。DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個(gè)航天器的可靠性,國(guó)內(nèi)外廣泛研究了DC/DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機(jī)理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
- 關(guān)鍵字: DC 預(yù)兆 單元 設(shè)計(jì) 輻射 轉(zhuǎn)換器 器件 損傷 VDMOS DC/DC轉(zhuǎn)換器
鍵盤(pán)顯示專用器件HD7279A的接口設(shè)計(jì)

- 介紹鍵盤(pán)顯示專用器件HD7279A的性能和使用,該器件是常用鍵盤(pán)顯示專用器件INTEL8279的升級(jí)換代產(chǎn)品,與ZLG7289或ZLG7290具有類似的功能,但外圍電路更簡(jiǎn)單。HD7279A具有串行接口簡(jiǎn)單,占用單片機(jī)資源少,可同時(shí)驅(qū)動(dòng)8位共陰式數(shù)碼管.連接64鍵鍵盤(pán)等特點(diǎn)。給出與單片機(jī)的具體連接電路,控制4位共陰極7段LED的顯示,可管理16鍵鍵盤(pán)和軟件流程。
- 關(guān)鍵字: 接口 設(shè)計(jì) HD7279A 器件 顯示 專用 鍵盤(pán)
實(shí)時(shí)時(shí)鐘器件M41T94在配網(wǎng)監(jiān)測(cè)終端中的應(yīng)用
- 摘要:介紹具有SPI接口的多功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘器件M41T94,它具有精度高、功耗低等特點(diǎn)。提出一種M41T94在配網(wǎng)監(jiān)測(cè)終端中的應(yīng)用設(shè)計(jì)。結(jié)合單片機(jī)C8051F340的控制,給出配網(wǎng)監(jiān)測(cè)終端實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊的軟硬件設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵詞:實(shí) - 關(guān)鍵字: 監(jiān)測(cè) 終端 應(yīng)用 配網(wǎng) M41T94 時(shí)鐘 器件 實(shí)時(shí)
電子制造業(yè)到底爭(zhēng)什么?一場(chǎng)技術(shù)的較量
- 據(jù)相關(guān)報(bào)道,電子制造業(yè)3月份開(kāi)始出現(xiàn)積極現(xiàn)象,但形勢(shì)依然嚴(yán)峻。工信部統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,一季度,電子產(chǎn)品出口交貨值同比下降15.5%,其中3月份下降10.1%,降幅比前兩個(gè)月減緩8.9個(gè)百分點(diǎn)。電子制造業(yè)生產(chǎn)、出口大幅下滑趨勢(shì)有所減緩。 統(tǒng)計(jì)還顯示,行業(yè)經(jīng)濟(jì)效益下滑的趨勢(shì)并未扭轉(zhuǎn)。1-2月,電子行業(yè)實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)6.8億元,同比下降96.3%。 由以上信息可以看出,電子制造業(yè)目前困境仍在,而且要改變現(xiàn)有狀態(tài),電子業(yè)該從哪方面下手? 電子制造業(yè)困境 由于全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)速度放緩,市場(chǎng)總體需求萎縮
- 關(guān)鍵字: 電子 器件 平板顯示器
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu),該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層,采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散,形成體接觸的側(cè)面引出,適當(dāng)加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應(yīng)。而且,該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下,通過(guò)適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻,從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字: SOI 器件
DC/DC輻照損傷與VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性研究
- 通過(guò)對(duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測(cè)試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對(duì)比分析,發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC/DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對(duì)傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補(bǔ)充。對(duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進(jìn)行了研究,討論了引起DC/DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
- 關(guān)鍵字: DC 相關(guān)性 研究 噪聲 VDMOS 輻照 損傷 器件 轉(zhuǎn)換器
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