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2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇

  • 　　作為一年一度大學(xué)生人才培養(yǎng)與創(chuàng)業(yè)指導(dǎo)的重要活動(dòng)，“2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗(yàn)，于2011年12月9日在北京會(huì)議中心如期舉行。 　　本次論壇是由中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司承辦，日本村田制作所贊助。以“成長(zhǎng)于信息時(shí)代 奮斗于電子夢(mèng)想”為主題，圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習(xí)與
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功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

  • 1. 引言
    　　
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
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PLD器件的應(yīng)用

  • 10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結(jié)構(gòu)二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應(yīng)用舉例10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
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半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)史

  • 當(dāng)線寬遠(yuǎn)高于10微米時(shí)，純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著器件變得越來(lái)越集成， 超凈間也變得越來(lái)越干凈。今天，工廠內(nèi)是加壓過(guò)濾空氣，來(lái)去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導(dǎo)體制造車間里的工人被要求著超凈服來(lái)保護(hù)器件不被人類污染。
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基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題： 大功率直流電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
    本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
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IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

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IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

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嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號(hào)測(cè)試策略

  • 嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號(hào)測(cè)試策略, 混合信號(hào)技術(shù)給當(dāng)今的半導(dǎo)體制造商們帶來(lái)了很多新挑戰(zhàn),以前一些對(duì)數(shù)字電路只有很小影響的缺陷如今在嵌入式器件中卻可能大大改變模擬電路的功能,導(dǎo)致器件無(wú)法使用。為確保這些新型半導(dǎo)體器件達(dá)到“無(wú)缺陷rdquo
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基于51單片機(jī)和可編程邏輯器件實(shí)現(xiàn)LED顯示屏的硬件設(shè)計(jì)

  • 0 引言LED顯示屏主要由電流驅(qū)動(dòng)電路及LED點(diǎn)陣陣列、控制系統(tǒng)和PC端管理軟件三部分構(gòu)成（圖1）?？刂葡到y(tǒng)負(fù)責(zé)接收、轉(zhuǎn)換和處理各種外部信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)掃描控制，然后驅(qū)動(dòng)LED點(diǎn)陣顯示需要的文字或圖案。控制系統(tǒng)作為L(zhǎng)ED顯
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高效能保護(hù)器件-TVS的特性及應(yīng)用

  • 瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡(jiǎn)稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，有的文獻(xiàn)上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10-12秒量級(jí)的速度，將其兩極
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PC機(jī)電源內(nèi)部器件分析

  • 要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。1.二極管二極管組成，是將四個(gè)二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限
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為5V 1-Wire®從器件提供過(guò)壓保護(hù)

  • 摘要：如果應(yīng)用中是在完成系統(tǒng)部署后寫入EPROM器件，此時(shí)需要對(duì)5V器件提供過(guò)壓保護(hù)。本文介紹如何在同一總線上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件，以及如何保護(hù)5V器件不受編程脈沖的沖擊。引言大多數(shù)1-Wire器件工作在
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Oscium新WiPry系列選用賽普拉斯PSoC 3器件

  • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布 Oscium 在其面向 iPod touch、iPhone 和 iPad 的全新 WiPry 系列產(chǎn)品中選用了 PSoC 3 可編程片上系統(tǒng)。WiPry 系列是業(yè)界首款面向 iOS 設(shè)備的 RF 檢測(cè)設(shè)備，可將 iOS 設(shè)備轉(zhuǎn)變成為頻譜分析儀、動(dòng)態(tài)功率表或兼具二者功能的設(shè)備。WiPry 系列產(chǎn)品中的 PSoC 3 器件可無(wú)縫地管理賽普拉斯 WirelessUSB LP 收發(fā)器，并支持 Apple 專有的 MFi 協(xié)議，實(shí)現(xiàn)與 iOS 設(shè)備的通信。
  • 關(guān)鍵字： 賽普拉斯  器件  PSoC 3   

半導(dǎo)體光電器件的工作原理

  • 半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái),使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有,利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件,利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。這一節(jié)中簡(jiǎn)略地向大家
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盛美半導(dǎo)體贏得第一臺(tái)Ultra C兆聲波清洗設(shè)備訂單

  • 　　盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司日前宣布第一臺(tái)Ultra C 12英寸單片兆聲波清洗設(shè)備已經(jīng)銷售給韓國(guó)存儲(chǔ)器制造巨頭。采用盛美的空間交變相移兆聲波技術(shù)(SAPS)，Ultra C無(wú)需用高濃度的化學(xué)藥液，而是采用極低濃度的功能水即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越的顆粒去除率(PRE)，并且使材料的流失降到最低。該設(shè)備將用于客戶最先進(jìn)器件的制造工藝上。 　　Ultra C定位于高端的清洗工藝。通過(guò)客戶端大生產(chǎn)線驗(yàn)證，Ultra C清洗后的PRE在65nm及以上顆粒達(dá)到96%，在44nm至65nm顆粒之間PRE達(dá)到74%，單道清
  • 關(guān)鍵字： 盛美半導(dǎo)體  器件  
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