high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體能支撐未來(lái)的發(fā)展

　　相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢(shì)好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 　　在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì)上(ISS)，有些演講者表示一些擔(dān)憂(yōu)，認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で椋豢侠^續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴(kuò)大招慕員工。　　恐怕更大的擔(dān)心來(lái)自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來(lái)，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。　　IBS的CEO Handle Jones認(rèn)為，雖然工業(yè)正在復(fù)蘇，但是在半導(dǎo)體業(yè)運(yùn)營(yíng)中仍面臨成
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臺(tái)積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個(gè)取得這項(xiàng)設(shè)備的客戶(hù)伙伴之一。　　這項(xiàng)設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺(tái)積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個(gè)可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。　　相較于現(xiàn)行浸潤(rùn)式微影技術(shù)以193納米波長(zhǎng)當(dāng)作光源，超
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 EUV 微影設(shè)備 ASML

三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時(shí)間將后延至2015-2016年

　　半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時(shí)間點(diǎn)將再度后延。　　據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開(kāi)始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時(shí)間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級(jí)別制程技術(shù)中也不會(huì)應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會(huì)被后延到2015年，在13nm級(jí)別的工藝制程中投入實(shí)用。　　另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
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EUV: 一場(chǎng)輸不起的賭局

　　2010年， ASML將有5臺(tái)最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶(hù)。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級(jí)存儲(chǔ)器廠商和2家頂級(jí)邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專(zhuān)為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問(wèn)題，并預(yù)測(cè)著各種可能發(fā)生的問(wèn)題及解決方案。　　人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問(wèn)題已歷時(shí)數(shù)年，因?yàn)槠洳ㄩL(zhǎng)較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時(shí)，延伸immersion技術(shù)，用其
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臺(tái)積電老將再出山蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)

　　不知是否是因?yàn)镚lobal Foundries的步步威脅，臺(tái)積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔(dān)任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對(duì)張忠謀董事長(zhǎng)負(fù)責(zé)。　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺(tái)積電以來(lái)，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺(tái)積電擔(dān)任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因?yàn)橐疹櫮赀~生病的父親而暫時(shí)離開(kāi)，如今因父親仙逝而能再度回到臺(tái)積，相信蔣資深副總的回任，
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 40納米 HKMG EUV

EUV蓄勢(shì)待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統(tǒng)

　　德國(guó)Carl Zeiss SMT AG已向半導(dǎo)體設(shè)備商ASML出貨首臺(tái)EUV光學(xué)系統(tǒng)。該公司已使EUV光學(xué)系統(tǒng)達(dá)到了生產(chǎn)要求。　　光學(xué)系統(tǒng)是EUV設(shè)備的核心模塊，首臺(tái)EUV設(shè)備預(yù)計(jì)將在2010年出貨。幾周前，美國(guó)公司Cymer完成了EUV光源的開(kāi)發(fā)，EUV光源是EUV光刻設(shè)備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。　　據(jù)Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻設(shè)備

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)拮據(jù)　聯(lián)盟關(guān)系將成救星

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來(lái)的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過(guò)該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍(lán)圖延遲，而且公司恐怕無(wú)法做好迎接未來(lái)挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機(jī)點(diǎn)。不過(guò)Freeman卻認(rèn)為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過(guò)去十年來(lái)有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對(duì)研發(fā)所帶來(lái)的沖擊。　　Fr
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備通孔硅 high-k金屬閘極

臺(tái)灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺(tái)灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對(duì)最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對(duì)進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來(lái)開(kāi)發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。　　納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

　　對(duì)于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對(duì)于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上，針對(duì)EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內(nèi)部討論，并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
關(guān)鍵字：光刻 EUV 掩膜 CMOS

22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場(chǎng)看法存分歧

浸潤(rùn)式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過(guò)，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭(zhēng)議不斷。據(jù)了解，臺(tái)積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫(xiě)式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶(hù)下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長(zhǎng)可達(dá)13.5納米，約是248波長(zhǎng)的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤(rùn)式顯
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 EUV 電子束消費(fèi)電子

凌華推出High Speed Link延伸模塊

　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶(hù)提供最長(zhǎng)可達(dá)2400公尺的長(zhǎng)距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線架構(gòu)，搭配高達(dá)十余種I/O及運(yùn)動(dòng)控制模塊的組合，提供客戶(hù)實(shí)時(shí)控制的完整解決方案。　　　　凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠(yuǎn)程I/O實(shí)時(shí)控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對(duì)接線的
關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制凌華汽車(chē)電子通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線延伸模塊工業(yè)控制

瑞昱推出High Definition 音訊轉(zhuǎn)換芯片

音訊內(nèi)容保護(hù) (Content Protection) 技術(shù)與透過(guò)傳統(tǒng)電話的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用瑞昱半導(dǎo)體在美國(guó)舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準(zhǔn)音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護(hù)與防拷&nbs
關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉(zhuǎn)換瑞昱通訊與網(wǎng)絡(luò) 芯片