hdr-cmos 文章 最新資訊
歐美科學家聯(lián)手取得硅芯片光通訊技術(shù)突破
- 一個由歐、美兩地研究人員所組成的團隊,讓達到100Gbps的硅芯片上傳輸速度成為可能;該技術(shù)將特別有益于電信產(chǎn)業(yè),并為全球不斷增加的網(wǎng)絡信息流量獲得緩解之道。 該研究團隊成員分別來自瑞士ETH大學、比利時研究機構(gòu)IMEC、美國Lehigh大學,以及德國Karlsruhe大學;他們成功制造出一種具備高度非線性特征、超高速的光波導(opticalwaveguide)架構(gòu)。 由于在這類組件中,光子信號不必再轉(zhuǎn)換成電子信號,因此被視為是達成全光學信號傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。為了達成這個目標,研究人員采用S
- 關(guān)鍵字: 硅芯片 CMOS
美國研制出納米級憶阻器芯片
- 美國密歇根大學科學家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構(gòu)成的芯片,該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米快報》(Nano Letters)上的此項研究成果將有可能改變半導體產(chǎn)業(yè),使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器是一種電腦元件,可在一簡單封裝中提供內(nèi)存與邏輯功能。此前,由于可靠性和重復性問題,所展示的都是只有少數(shù)憶阻器的電路,而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內(nèi)存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導體,是一種大規(guī)模應用于集成電路芯片制造的原料。
- 關(guān)鍵字: CMOS 芯片 憶阻器
3.7 GHz寬帶CMOS LC VCO的設計
- 設計了一款3.7 GHz寬帶CMOS電感電容壓控振蕩器。采用了電容開關(guān)的技術(shù)以補償工藝、溫度和電源電壓的變化,并對片上電感和射頻開關(guān)進行優(yōu)化設計以得到最大的Q值。電路采用和艦0.18 μm CMOS混合信號制造工藝,芯片面積為0.4 mm×1 mm。測試結(jié)果顯示,芯片的工作頻率為3.4~4 GHz,根據(jù)輸出頻譜得到的相位噪聲為一100 dBc/Hz@1 MHz,在1.8V工作電壓下的功耗為10 mW。測試結(jié)果表明,該VCO有較大的工作頻率范圍和較低的相位噪聲性能,可以用于鎖相環(huán)和頻率合成器。
- 關(guān)鍵字: CMOS GHz VCO LC
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