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晶圓廠貨源多元布局，代工報價面臨壓力

  • IT之家 3 月 13 日消息，據(jù)臺媒中央社報道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣反轉(zhuǎn)向下，晶圓代工產(chǎn)能松動，IC 設(shè)計廠為強(qiáng)化供應(yīng)鏈，同時因未來可能變化的需求，紛紛針對貨源展開多元布局，晶圓代工報價恐將面臨壓力。臺媒指出，晶圓代工廠今年來因?yàn)榻K端市場需求疲弱，供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)整庫存，產(chǎn)能明顯松動，世界先進(jìn)第一季度產(chǎn)能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個百分點(diǎn)，力積電將降至 6 成多水準(zhǔn)，聯(lián)電第一季度產(chǎn)能利用率也將降至 7 成。IC 設(shè)計廠多數(shù)表示，晶圓代工廠并未調(diào)降代工價格，不過廠商針對配合預(yù)先投片備貨的客戶提供優(yōu)
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GaN 時代來了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機(jī)車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

  • 當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機(jī)、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動等高功
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探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

  • 本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù)，并提出設(shè)計人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)裝置越來越密集地應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、家庭自動化和醫(yī)療應(yīng)用中，透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實(shí)現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實(shí)現(xiàn)無線通信。 物聯(lián)網(wǎng)裝置的應(yīng)用領(lǐng)域幾乎沒有止境，每天都會考慮新的裝置和使用情況。
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英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）

  • 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司，致力于為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。  英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術(shù)為打造更加
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幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點(diǎn)

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項(xiàng)。本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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半導(dǎo)體渠道商：庫存降低速度慢于預(yù)期

  • IT之家 2 月 27 日消息，據(jù)臺灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日報報道，半導(dǎo)體庫存問題不僅 IC 設(shè)計廠商需要面對，下游 IC 渠道商為顧及長期合作關(guān)系，也常要與芯片原廠“共渡難關(guān)”。即便目前陸續(xù)傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠商坦言，目前庫存去化速度還是比原本估計慢。IC 渠道廠商分析，市場目前的短單是否是曇花一現(xiàn)，通貨膨脹、美聯(lián)儲加息狀況、俄烏沖突以及國內(nèi)是否會有報復(fù)性買盤需求等是觀察重點(diǎn)。不具名的 IC 渠道廠商透露，目前庫存去化狀況不如預(yù)期，假設(shè)原本估計的庫存去化速度是進(jìn) 0.5 個月的貨，
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基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案

  • 小耳朵衛(wèi)星天線,在于一些偏遠(yuǎn)地區(qū)常見,用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號非常微弱，所以我們需要一個拋物面天線來聚焦信號，還需要一個高頻頭，也稱為LNB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線的焦點(diǎn)上來收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號經(jīng)過放大和下變頻，把Ku或C波段信號變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機(jī),每只LNB只能用于某一波段，因?yàn)镾、C和KU波段需要不同的波導(dǎo)管。也有一些類型是用于圓極化和線極化信號接收的，它們主要在
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氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只有合理設(shè)計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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納芯微新品，專門用于驅(qū)動E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621

  • 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅(qū)動器會在單獨(dú)的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管，受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn)之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度，如果寄生電感未被抑制，將會導(dǎo)致信號傳輸?shù)牟▌?。近日，納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品，分別是GaN驅(qū)動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；集成化的
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納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

  • 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，專門用于驅(qū)動E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動器和兩顆650V耐壓的GaN開關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動電流2A/-4A 03.&n
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基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
  • 關(guān)鍵字： 安森美  NCP1342  PD  QR  高頻率  GaN  

基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
  • 關(guān)鍵字： 安森美  有源鉗位  NCP1568  GaN  PD電源  適配器  

世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

  • 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

  • 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中，擴(kuò)展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅(qū)動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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