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友達光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術

  • 　　友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術移轉協(xié)議，收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發(fā)明，以及相關設備等資產(chǎn)。 　　FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
  • 關鍵字： 友達  FED  FET  

瞄準高端市場 友達將收購FET的部分資產(chǎn)

  • 　　臺灣友達科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達成了協(xié)議，友達將出資收購FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據(jù)領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，F(xiàn)ED技術實施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設備等。 　　FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
  • 關鍵字： 友達  FED  FET  

砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元

  • 　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。 　　一直
  • 關鍵字： GaAs  外延襯底  FET  HBT  

T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合，可實現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類競爭產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時，還可實現(xiàn)快速瞬態(tài)響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現(xiàn)整個負載范圍內的高
  • 關鍵字： TI  FET  轉換器  TPS51315  

ADI公司推出快速FET運算放大器

  • 　　2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業(yè)界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫(yī)療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設備。與ADA4
  • 關鍵字： ADI  運算放大器  FET  ADA4817  

德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： FET  TI  IC－bq2407x  

TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉換器

  • 　　TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調慢啟動、電流限制、熱關斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
  • 關鍵字： TI   轉換器  DC/DC  FET  

集成功率FET的鋰離子開關充電器

  • 　　當輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時，線性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 　　bq241xx系列開關充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
  • 關鍵字： FET  鋰離子開關充電器  電源  

一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設計

Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

  • 　  Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關穩(wěn)壓器系列，支持廣泛的工作輸入電壓，并且可以處理高達 100V 的瞬態(tài)尖峰。 　　ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓；而 ISL8540 支持 9
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  Intersil  FET  穩(wěn)壓器  電源  

飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅動器多芯片模塊

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，F(xiàn)DMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。 　　在個人電腦主板中，典型的降壓轉換器在每個相位可能包含：采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

移動終端中三類射頻電路的演進方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： FET  DAC  ADI  

功率P-FET控制器LTC4414

  • LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動切換，也可用作高端功率開關。該器件主要特點：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅動大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護；可采用微控制器進行控制或采用手動控制；節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
  • 關鍵字： LTC4414  P-FET  電源技術  工業(yè)控制  模擬技術  工業(yè)控制  

FET新版本可用于Serial RapidIO端點

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fet介紹

fet　　FET:場效應管 　　根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件 　　-------------------------------------------------------------- 　　1.概念: 　　場效應晶體管（Field Effect Transisto [ 查看詳細 ]

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