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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術的嵌入式數據存儲解決方案

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
  • 關鍵字： X-FAB  BCD-on-SOI  嵌入式數據存儲  

晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬畫素物聯(lián)網感測器方案

  • 晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。該技術能夠明顯提升近紅外靈敏度，實現(xiàn)優(yōu)異的圖像質量。通過BSI NIR+技術，安防監(jiān)控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質量的圖像。搭配不同平臺SOC，可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網 AI 相機等領域。?場景應用圖?產品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優(yōu)勢1. SOI JX-K30
  • 關鍵字： 晶像光電  SOI  JX-K302P  物聯(lián)網感測器  

晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬畫素物聯(lián)網感測器方案

  • 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術?？纱钆洳煌脚_SOC，適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯(lián)網 AI 相機等領域。?場景應用圖SOI-SOI?產品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術，可為在低光或無光環(huán)境中運行的應用提供新的可能性，同時降低總功耗
  • 關鍵字： 晶像光電  SOI JX-F355P  物聯(lián)網感測器  

意法半導體為MCU開啟FD-SOI時代

  • 意法半導體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化，并將此技術應用在通用32位MCU市場領先的STM32系列MCU產品。
  • 關鍵字： 意法半導體  MCU  FD-SOI  STM32  

SOI芯片熱潮再起，中國市場信心大增

  • 受到美國政府的干擾，中國半導體產業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時也給原來沒有得到足夠關注的技術或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當先進制程工藝演進到 10nm 時，當時昂貴的價格，以及漏電流帶來的功耗水平偏高問題，一直是業(yè)界關注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點，才引起人們關注的，它最大的特點就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實際應用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
  • 關鍵字： SOI  

解決 48V 電網及 FuSa 難題， Power-SOI 推動智能功率器件創(chuàng)新

  • 混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設計如今廣受關注，一個重要的技術趨勢正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車，它還適用于更常見的內燃機汽車。汽車應用 48V 電網48V 系統(tǒng)有何獨特之處？與在常規(guī)的供電條件下一樣，48V 系統(tǒng)歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎物理學規(guī)律，與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關。供電仍需要電流與電壓的結合，但電勢差（損耗）隨電流
  • 關鍵字： Power-SOI  Soitec  

X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

  • 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
  • 關鍵字： X-FAB  110納米  BCD-on-SOI  

攻克復雜性障礙：下一代 SOI 天線調諧

  • 過去十年，天線調諧技術領域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術——它提供的調諧能力提高了設計靈活性，并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時候，科技似乎在飛速發(fā)展，日新月異——產品變得越來越小，處理速度越來越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動設備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設備使得天線更加復雜。對于工程師而言，這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時，技術開發(fā)工程師每推出一代新技術，都會做出漸進式改進，通過這種持續(xù)改善來幫
  • 關鍵字： Qorvo  SOI   

大聯(lián)大友尚集團推出基于CVITEK和SOI產品的網絡攝像機(IPC)方案

  • 致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網絡攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產品的IPC方案的展示板圖近年來，消費電子、物聯(lián)網、工業(yè)互聯(lián)網、智能家居、智慧城市的發(fā)展，推動了智能監(jiān)控技術的革新，也驅動了IPC（網絡攝像機）的需求。相比于傳統(tǒng)攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網絡輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網。這些特性使其
  • 關鍵字： 大聯(lián)大友尚  CVITEK  SOI  網絡攝像機  

ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠聯(lián)合推進FD-SOI

  • 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現(xiàn)有晶圓廠旁邊新建一座聯(lián)合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠將于2024年開始生產芯片，到2026年將達到滿負荷生產，每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看，F(xiàn)D-SOI是一種技術含量較低的方法，可以實現(xiàn)FinF
  • 關鍵字： FD-SOI  GAAFET  FinFET  

意法半導體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠，推進 FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)建設

  • ·????? 隨著世界經濟向數字化和脫碳轉型，新的高產能聯(lián)營晶圓廠將更好滿足歐洲和全球客戶需求·????? 新工廠將支持各種制造技術，包括格芯排名前列的 FDX? 技術和意法半導體針對汽車、工業(yè)、物聯(lián)網和通信基礎設施等應用開發(fā)的節(jié)點低至18納米的全面技術·????? 預計該項合作投資金額達數十億歐元，其中包括來自法國政府的大筆財政支持?2022 年
  • 關鍵字： 意法半導體  12英寸  晶圓廠  FD-SOI  

CEA、Soitec、格芯、意法半導體攜手推動下一代FD-SOI技術發(fā)展規(guī)劃

  • CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導體宣布一項新合作協(xié)議，四家公司計劃聯(lián)合制定產業(yè)之下一代FD-SOI技術發(fā)展規(guī)劃。半導體組件和FD-SOI技術創(chuàng)新對法國和歐盟以及全球客戶具有策略價值。FD-SOI能夠為設計人員和客戶系統(tǒng)帶來巨大益處，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通訊聯(lián)機和安全保護，這對汽車、物聯(lián)網和行動應用而言，其優(yōu)勢是FD-SOI技術的一個重要特質。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年來，在Grenoble-Crolles生態(tài)系統(tǒng)中，CEA一
  • 關鍵字： CEA  Soitec  格芯  意法半導體  FD-SOI  

田字形單質量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真

  • 介紹了一種田字形單質量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片，經過氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過支撐梁和3個軸的敏感結構的巧妙設計，有效避免了平面內和垂直方向的交叉軸干擾的影響，并提高了Z軸的靈敏度。通過差分電容的設計，理論上消除了交叉軸干擾。通過仿真得到了該加速度計在3個軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結合理論分析和ANSYS仿真結果，可以得出結論：所設計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強的抗沖擊能力，在慣性傳感器領域有一定的應用前景。
  • 關鍵字： 微加速度計  SOI  交叉軸干擾  靈敏度  

Soitec以新技術為自動駕駛發(fā)展保駕護航

  • 作為一家設計和生產創(chuàng)新性半導體材料的技術領導企業(yè)，來自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導體晶圓襯底材料來助力整個信息產業(yè)的創(chuàng)新，通過不斷革新更優(yōu)化的制造材料，確保半導體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務。特別是伴隨著5G技術的不斷推進，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機用芯片的性能方面起到了至關重要的作用，可以說Soitec的技術是促進5G智能手機快速普及的幕后英雄之一。 當然，“幕后英雄”也因為其先進的技術獲得企業(yè)的飛速發(fā)展，Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
  • 關鍵字： Soitec  RF-SOI  FD-SOI  

格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄，未來將長期供應12英寸SOI晶圓

  • 全球領先的半導體晶圓代工廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓（Globalwafers.Co.,Ltd）簽訂合作備忘錄(MOU)，協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負責對格芯12英寸晶圓的長期供應。 環(huán)球晶圓是全球領先的8英寸SOI制造者之一，也是格芯8英寸SOI晶圓的長期供應商，雙方長期保持著良好的合作關系。環(huán)球晶圓也是12英寸晶圓制造商，基于雙方未來發(fā)展與穩(wěn)定供應需求，環(huán)球晶圓與格芯有望緊密協(xié)作，有力擴大環(huán)球晶圓12英寸SOI晶圓生產產能。 格
  • 關鍵字： 硅晶圓  SOI  
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