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fd-soi 文章 進(jìn)入fd-soi技術(shù)社區(qū)
Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端
- Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人、先進(jìn)的射頻解決方案之先驅(qū)，今天，在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個(gè)可重構(gòu)射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺(tái)的設(shè)計(jì)──?
- 關(guān)鍵字： Peregrine 射頻 SOI
非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計(jì)
- 針對(duì)SOI二極管型非制冷紅外探測(cè)器，設(shè)計(jì)了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu)，將探測(cè)器輸出電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為電流信號(hào)進(jìn)行積分。設(shè)計(jì)了虛擬電流源結(jié)構(gòu)，消除線上壓降(IR drop)對(duì)信號(hào)造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，5V電源電壓供電。當(dāng)探測(cè)器輸出信號(hào)變化范圍為0~5mV時(shí)，讀出電路仿真結(jié)果表明：動(dòng)態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號(hào)輸出頻率5MHz，功耗116mW。
- 關(guān)鍵字： 紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20nm節(jié)點(diǎn)，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng)，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
- 關(guān)鍵字： ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí)，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)
- 關(guān)鍵字： ST 晶圓 FD-SOI
華潤(rùn)上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí)，達(dá)到更高的性價(jià)比，這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤(rùn)上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場(chǎng)需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
- 關(guān)鍵字： 華潤(rùn)微電子 半導(dǎo)體 SOI
華潤(rùn)上華200V SOI工藝開發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺(tái)階
- 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司(“華潤(rùn)上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí)，達(dá)到更高的性價(jià)比，這在國(guó)內(nèi)尚屬首家。
- 關(guān)鍵字： 華潤(rùn)上華 SOI CDMOS
意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)的半導(dǎo)體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當(dāng)今的消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)和平板電腦的期望越來(lái)越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時(shí)又不能犧牲電池壽命。在設(shè)
- 關(guān)鍵字： 意法 芯片 FD-SOI
ARM發(fā)布45納米SOI測(cè)試結(jié)果，最高節(jié)能40%
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會(huì)上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測(cè)試芯片的測(cè)試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應(yīng)工藝(bulk process)進(jìn)行芯片制造，該測(cè)試芯片顯示出最高可達(dá)40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測(cè)試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實(shí)施之間進(jìn)行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實(shí)了在為高性能消費(fèi)設(shè)備和移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)低功耗處理器時(shí)，SOI是一項(xiàng)取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。
- 關(guān)鍵字： ARM 45納米 SOI
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