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手機(jī)需要多大RAM才夠用？看完結(jié)果恍然大悟

手機(jī)需要多大RAM才夠用？看完結(jié)果恍然大悟-RAM對(duì)性能的影響是非常巨大的，包括標(biāo)準(zhǔn)（DDR3或DDR4）容量、帶寬等等，目前至少8GB RAM對(duì)PC來(lái)說(shuō)是非?；A(chǔ)的。雖然硬件結(jié)構(gòu)并不完全相同，但智能手機(jī)RAM也越來(lái)越大，甚至達(dá)到了6GB，那么這究竟是必要的、還是矯枉過(guò)正的噱頭呢？
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DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM(4)

3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM(4)-前面講了分布式RAM的方方面面，下面以RAM_16S為例，分別給出其在VHDL和Verilog HDL下面的模板代碼（在ISE Project Navigator中選擇 Edit--- Language Templates，然后選擇VHDL 或者Verilog, 最后是Synthesis Templates --- RAM，在中也有具體調(diào)用過(guò)程的描述）
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（3）

3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（3）-前面簡(jiǎn)要介紹了Spartan-3系列FPGA中分布式RAM的基本特性。為什么不從更高級(jí)的Virtex系列入手呢？我仔細(xì)看了一下各個(gè)系列的介紹、對(duì)比，Spartan系列基本就是Virtex系列的精簡(jiǎn)版，其基本原理是一樣的，所以從簡(jiǎn)單的入手來(lái)融會(huì)貫通未嘗不是一個(gè)好辦法。
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（1）

3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（1）-在賽靈思Spartan-3、3E等系列的FPGA中，其邏輯單元CLB中一般含有不同數(shù)量的單端口RAM（SRAM）或者雙端口RAM（DRAM），這里的“單”或者“雙”是由我們開(kāi)發(fā)人員定義的。
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3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（2）

3系列FPGA中使用LUT構(gòu)建分布式RAM（2）-帶有異步寫(xiě)/同步讀的SRAM，其中的同步讀取可以使用與分布式RAM相關(guān)聯(lián)的觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)。
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6系列FPGA中使用塊RAM的心得(4)

6系列FPGA中使用塊RAM的心得(4)-然后調(diào)用sinplify，對(duì)其進(jìn)行綜合，結(jié)果很不順利。首先是synplify報(bào)不支持器件，才發(fā)現(xiàn)synplify 9.6.2是2008年的產(chǎn)品，比Spartan6器件還要老。更新到Synplify Pro D-2010.03之后，器件是支持了，但是一綜合就報(bào)錯(cuò)停止了，卻不提示有什么錯(cuò)誤。
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詳細(xì)解讀Zynq的三種啟動(dòng)方式(JTAG,SD,QSPI)

詳細(xì)解讀Zynq的三種啟動(dòng)方式(JTAG,SD,QSPI)-本文介紹zynq上三種方式啟動(dòng)文件的生成和注意事項(xiàng)，包括只用片上RAM（OCM）和使用DDR3兩種情況。 JTAG方式 JTAG方式是調(diào)試中最常用的方式，在SDK中在“Project Explorer”窗口工程上右鍵->Debug As->Debug Configurations可以看到以下窗口首次打開(kāi)左邊窗口中Xilinx C/C++ application(GDB)下沒(méi)有子項(xiàng)，這時(shí)雙擊Xilinx C/C++ application(GD
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機(jī)床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設(shè)計(jì)

機(jī)床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設(shè)計(jì)-在機(jī)床數(shù)控系統(tǒng)中，電氣設(shè)備的控制占有重要的地位。目前，一般采用可編程控制器（PLC）進(jìn)行機(jī)床電氣控制。PLC可靠性高，使用方便，對(duì)于復(fù)雜的，控制點(diǎn)數(shù)較多的應(yīng)用場(chǎng)合，可以在PLC基本單元外加上一定數(shù)目的擴(kuò)展單元，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電氣控制功能。
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門(mén)必懂知識(shí)

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門(mén)必懂知識(shí)-如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢？將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)入一次呢？將參數(shù)存儲(chǔ)到固定的地址，則每個(gè)參數(shù)都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個(gè)參數(shù)修改時(shí)，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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簡(jiǎn)述開(kāi)發(fā)更高可靠性的嵌入式系統(tǒng)技巧

簡(jiǎn)述開(kāi)發(fā)更高可靠性的嵌入式系統(tǒng)技巧-就像很遙遠(yuǎn)年代的人們思想還很保守，固守著自己一方凈土獨(dú)享著一份安逸。總認(rèn)為天圓地方一直在平淡而充實(shí)的生活，又好似紅樓夢(mèng)中的劉姥姥走進(jìn)大觀園看得眼花繚亂。
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行車(chē)記錄儀中的RAM存儲(chǔ)，你了解多少？

行車(chē)記錄儀中的RAM存儲(chǔ)，你了解多少？-作為FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）產(chǎn)品與技術(shù)的全球領(lǐng)先提供商，富士通電子的FRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于計(jì)量、RFID、醫(yī)療電子、工業(yè)……其實(shí)，F(xiàn)RAM還可在大多數(shù)汽車(chē)子系統(tǒng)中用于非易失性數(shù)據(jù)記錄，如智能安全氣囊、穩(wěn)定控制、動(dòng)力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、儀表盤(pán)儀表、電池管理、發(fā)動(dòng)機(jī)控制和娛樂(lè)信息節(jié)目應(yīng)用，且能夠承受更高級(jí)別的溫度范圍。
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【E問(wèn)E答】聽(tīng)說(shuō)華為3GRAM比其他廠商4GB還要流暢，是真的嗎？

　　近期，筆者在網(wǎng)上看到一篇關(guān)于華為在中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的發(fā)言，并也有人傳言稱華為的3GB運(yùn)存比其他廠商的4GB還要流暢。　　筆者先做個(gè)普及，RAM也就是運(yùn)行內(nèi)存指的是運(yùn)行程序的內(nèi)存，由于開(kāi)的應(yīng)用占得比例是固定的，要想在多開(kāi)應(yīng)用下減少運(yùn)行內(nèi)存只能靠縮減應(yīng)用程序來(lái)實(shí)行，當(dāng)下做的最好的是Flyme，在小運(yùn)存的手機(jī)產(chǎn)品上卻能做到單一應(yīng)用的效果。　　那么有人會(huì)說(shuō)那華為是在吹嗎?不可否認(rèn)也有一定的成份，畢竟在相同的效果下壓縮其他程序達(dá)到短暫的流暢雖然可以但在實(shí)際運(yùn)用中想要超過(guò)多出1個(gè)G的產(chǎn)品顯然有些不切實(shí)際
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【E問(wèn)E答】單片機(jī)RAM測(cè)試故障方法有幾種？

　　在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，芯片存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過(guò)測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的破壞問(wèn)題。本文針對(duì)性地介紹了幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試方法，并在其基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測(cè)試方法?！　∫?、 RAM測(cè)試方法回顧　　方法1：一種測(cè)試系統(tǒng)RAM的方法是分兩步來(lái)檢查，先后向整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)送入#00H和#FFH，再先后讀出進(jìn)行比較，若不一樣，則說(shuō)明出錯(cuò)?！　》椒?：方法1并不
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單片機(jī)RAM測(cè)試故障方法有幾種？

　　在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，芯片存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過(guò)測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的破壞問(wèn)題。本文針對(duì)性地介紹了幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試方法，并在其基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測(cè)試方法。　　一、 RAM測(cè)試方法回顧　　方法1：一種測(cè)試系統(tǒng)RAM的方法是分兩步來(lái)檢查，先后向整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)送入#00H和#FFH，再先后讀出進(jìn)行比較，若不一樣，則說(shuō)明出錯(cuò)。　　方法2：方法1并
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f-ram介紹

非易失性鐵電存儲(chǔ)器 F-RAM廣泛用于計(jì)量、計(jì)算、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域的各種要求嚴(yán)苛的場(chǎng)合。F-RAM的獨(dú)特性質(zhì)，使它特別適合用于廣范的關(guān)鍵性任務(wù)諸如:電信應(yīng)用(比如橋接、路由器和電信交換機(jī)) 和要求高可靠性和可用性的工業(yè)應(yīng)用中 [ 查看詳細(xì) ]