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2016年EUV降臨 半導(dǎo)體格局生變

  • 　ASML公司第3代極紫外光(EUV)設(shè)備已出貨6臺(tái)。這預(yù)示著預(yù)示了全球兩家頂級(jí)大廠未來(lái)采用EUV光刻技術(shù)，在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項(xiàng)中幾乎同步，或者說(shuō)臺(tái)積電在10nm時(shí)順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
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EUV將在7納米節(jié)點(diǎn)發(fā)威？

  • 　　核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得10奈米節(jié)點(diǎn)因?yàn)闊o(wú)法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認(rèn)了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)來(lái)生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過(guò)這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測(cè)系統(tǒng)

  • 　　KLA-Tencor 公司(納斯達(dá)克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計(jì)節(jié)點(diǎn)。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評(píng)估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測(cè)影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無(wú)圖案區(qū)的晶體增長(zhǎng)或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗(yàn)
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EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎

  • 當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到10nm水平時(shí)，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實(shí)用的思路來(lái)進(jìn)一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律

  • 　　據(jù)美國(guó)科技博客Business Insider報(bào)道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅(jiān)定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 　　摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買(mǎi)到的電腦性能，將每隔18個(gè)月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進(jìn)步的速度。 　　在幾十年來(lái)，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強(qiáng)大，節(jié)省了更
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ASML提升新EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)生產(chǎn)效率

  • 　　微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購(gòu)并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每小時(shí)晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計(jì)2013年底前，可達(dá)到80瓦的目標(biāo)，2015年達(dá)250瓦、每小時(shí)產(chǎn)出125片。 　　半導(dǎo)體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后，雖然可采用多重浸潤(rùn)式曝光方式，但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長(zhǎng)，成本會(huì)大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
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ASML：量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)2015年就位

  • 　　極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤(rùn)式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點(diǎn)后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)和重量級(jí)晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計(jì)2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機(jī)臺(tái)。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國(guó)偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對(duì)相關(guān)設(shè)備的開(kāi)發(fā)計(jì)劃仍抱持觀望態(tài)度。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國(guó)偉表示，ASML于2012年
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全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)

  • 　　5月7日消息，全球代工市場(chǎng)規(guī)模繼2011年增長(zhǎng)7%，達(dá)328億美元之后，2012年再度增長(zhǎng)16%，達(dá)到393億美元，預(yù)計(jì)2013年還將有14%的增長(zhǎng)。 　　臺(tái)積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開(kāi)始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺(tái)積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開(kāi)始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺(tái)積電已誓言將加速發(fā)展先進(jìn)制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺(tái)積電。 　　
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Intel：14nm進(jìn)展順利 一兩年后量產(chǎn)

  • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對(duì)外披露說(shuō)，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計(jì)劃順利進(jìn)行，會(huì)在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項(xiàng)新工藝的開(kāi)發(fā)，并為其投產(chǎn)擴(kuò)大對(duì)俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛(ài)爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 　　而從2015年開(kāi)始，Intel又會(huì)陸續(xù)進(jìn)入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點(diǎn)。 　　Rattner指出，Intel
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臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

  • 而關(guān)于臺(tái)積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認(rèn)為，臺(tái)積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計(jì)今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺(tái)積電今年預(yù)估會(huì)再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費(fèi)用。
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IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進(jìn)行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機(jī)的全資子公司德國(guó)XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
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MIT研究顯示電子束光刻可達(dá)9納米精度

  • 　　美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項(xiàng)研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項(xiàng)精度為25納米的結(jié)果，這一進(jìn)展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)提供了動(dòng)力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問(wèn)題，如強(qiáng)光源和光掩膜保護(hù)膜等，而采用電子束“光刻”則不會(huì)存在這些問(wèn)題。
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光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

  • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開(kāi)的高級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問(wèn)題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過(guò)程中最“忐忑”的因素。 　　
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英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯(cuò)失良機(jī)

  • 　　英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。 　　
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通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

  • 　　當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 　　對(duì)于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時(shí)，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因?yàn)殡S著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個(gè)挑戰(zhàn)。
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