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elitesic mosfet 文章 最新資訊

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

  • 1. 引言　　散熱器在計算時會出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
  • 關鍵字： 熱模型  MOSFET  PSPICE  

飛兆和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構功率級雙MOSFET封裝。
  • 關鍵字： 飛兆半導體  英飛凌科技  MOSFET  

飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構功率級雙MOSFET封裝。 　　飛兆半導體PowerTrench非對稱結(jié)構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。 　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達成的協(xié)議的擴展，旨在為客戶保證供
  • 關鍵字： 飛兆  MOSFET  

開關電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

  • 1引言開關電源是目前用途非常廣泛的一種電源設備，然而隨著開關頻率以及開關速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來越大，由于市場準入制度的實施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
  • 關鍵字： 仿真  分析  干擾  電磁  MOSFET  電壓  開關電源  

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(三)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個PIN腳功能(上接第
  • 關鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

大功率電源中MOSFET功率計算

  • 計算功率耗散　　要確定一個MOSFET場效應管是否適于某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括 ...
  • 關鍵字： 大功率  電源中  MOSFET  功率  

適用于小功率電機驅(qū)動系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

  • 摘要
    　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動風扇和水泵中的小型直流無刷電機。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應的高壓柵極驅(qū)動電路 (HVIC)。通過使用專門設計的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
  • 關鍵字： MOSFET  逆變  模塊  系統(tǒng)  驅(qū)動  功率  電機  適用于  

計算大功率電源中MOSFET的功率耗散

  • 中心議題： 計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案： 重新設定輸入電壓范圍 改變開關頻率
    也許便攜式電源設計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
  • 關鍵字： 功率  耗散  MOSFET  電源  大功率  計算  

Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

  • 　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。 　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  控制器  

MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達70%的整流器損耗，有效提升最高達3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應系統(tǒng)更容易達到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達到87%的評級要求。
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  ZXGD3104N8  

德州儀器推出4A與5A雙通道輸出MOSFET驅(qū)動器

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅(qū)動器，進一步壯大其 MOSFET 驅(qū)動器產(chǎn)品陣營。
  • 關鍵字： TI  MOSFET  UCC27210  

二極管泄漏電流及MOSFET亞閾區(qū)電流的測量

  • 中心議題： 二極管的泄漏電流的測量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測量解決方案： 采用源-測量單元測量二極管的泄漏電流 采用兩臺SMU來測量MOSFET的亞閥區(qū)電流
    測試半導體器件和晶圓片（Wafer）常常要涉及到測量
  • 關鍵字： 電流  測量  MOSFET  二極管  泄漏  

Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。 　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
  • 關鍵字： Diodes  MOSFET  

汽車HID前燈鎮(zhèn)流器及PFC控制解決方案

UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應用設計

  • UCC27321高速驅(qū)動MOSFET芯片的應用設計,1　引言

    　　隨著電力電子技術的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
  • 關鍵字： 應用  設計  芯片  MOSFET  高速  驅(qū)動  UCC27321  
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