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DRAM及NAND市場價(jià)格下跌 美光營收下滑

  • 　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào)，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 　　美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損，毛利率只有19.7%

  • 　　美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào)，每股凈損0.09美元，單季由盈轉(zhuǎn)虧，并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營運(yùn)將有壓力。 　　受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠(yuǎn)不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬美元，每股凈損0.09美元。 　　美光預(yù)期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價(jià)格或跌40%

  • 　　全球DRAM內(nèi)存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊(duì)的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過內(nèi)存市場今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價(jià)格降幅甚至高達(dá)40%。 　　跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進(jìn)，每一代工藝的進(jìn)步在外人看來感覺是越來越小了，CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠

  • 　　28日武漢新芯科技主導(dǎo)的12英寸晶圓廠正式動(dòng)工，建成后將成為中國最大、最先進(jìn)的存儲芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點(diǎn)不低。再之前中國紫光集團(tuán)宣布斥資300億美元打造全球前三的半導(dǎo)體公司，一時(shí)間中國半導(dǎo)體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團(tuán)就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內(nèi)不會(huì)在大陸建立晶圓廠。 　　中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購已經(jīng)引起了業(yè)界震動(dòng)，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標(biāo)轉(zhuǎn)向
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無廠DRAM企業(yè)Sino King　意圖革新商業(yè)模式

  • 　　前日本爾必達(dá)(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設(shè)IC設(shè)計(jì)公司Sino King Technology，指出目前半導(dǎo)體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強(qiáng)調(diào)研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的如臺積電。 　　而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司，以研發(fā)高度客制化存儲器為重，不
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大陸進(jìn)軍DRAM 華亞科李培瑛：5年內(nèi)沒影響

  • 　　針對中國將進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，華亞科(3474)董事長李培瑛表示， 由于中國未能取得技術(shù)來源，如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，勢必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術(shù)進(jìn)入障礙門檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達(dá)成，預(yù)期5年內(nèi)將不會(huì)造成DRAM市場的影響，短期內(nèi)難有進(jìn)展。 　　李培瑛指出，目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中，為維持自身利益及寡占市場結(jié)構(gòu)，避免中國廠商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術(shù)授權(quán)合作或合資建廠計(jì)劃。中國若未能取得技術(shù)來源，短 期
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TrendForce:2016大陸手機(jī)品牌增速排行

  • 　　自2015年第四季以來，全球終端需求始終停滯，智慧型手機(jī)品牌商皆計(jì)畫調(diào)降今年首季的出貨計(jì)畫，整體市場開始進(jìn)行約一個(gè)季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce智慧型手機(jī)分析師吳雅婷表示，受益于庫存調(diào)節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機(jī)發(fā)表，2月中起中國手機(jī)品牌陸續(xù)出現(xiàn)庫存回補(bǔ)的需求。此外，中國智慧型手機(jī)營運(yùn)商為拉抬4G機(jī)種的普及率，針對數(shù)款4G高階智慧型手機(jī)增加 補(bǔ)貼額度，也推升消費(fèi)者的購買欲望。 　　TrendForce預(yù)估2016
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武漢新芯12寸DRAM廠 28日動(dòng)工

  • 　　大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 　　這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng)，業(yè)界高度關(guān)注 。 　　業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴(kuò)產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)
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SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動(dòng)能

  • 　　SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”(SEMIWorldFabForecast)報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，達(dá)372億美元，而2017年則將再成長13%，達(dá)421億美元。另方面，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。 　　SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”報(bào)告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
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大陸臺灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國最大DRAM廠

  • 　　還記得「爾必達(dá)」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食，爾必達(dá)于2012年申請破產(chǎn)、之后被美國美光(Micron)收購，而坂本幸雄也成為爾必達(dá)的末代社長、在爾必達(dá)被美光收購后就辭去社長一職以示負(fù)責(zé)。不過坂本幸雄要開始踏上復(fù)仇之路了，此次將攜手臺灣、中國大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠，力抗三星等廠商。 　　日經(jīng)新聞11日報(bào)導(dǎo)，由坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，Sino將主導(dǎo)合肥市政府總
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場

  • 　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場，進(jìn)入市場只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場

  • 　　中國紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達(dá)前社長坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)本周于日本舉行記者會(huì)說明。 　　臺灣DRAM業(yè)界指出，爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內(nèi)存市場，加上中國企圖建立自主技術(shù)，地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場

  • 　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng)，也將使主導(dǎo)DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場，進(jìn)入市場只
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傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競爭情況。 　　目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來說，已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為，三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價(jià)格跌　上季全球產(chǎn)值掉9%

  • 　　DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告，受到DRAM平均銷售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預(yù)期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。 　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元，
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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