中國集成電路產業(yè)在2014年下半年政策和資金的支持下迎來快速增長，甚至有業(yè)內專家表示要防止集成電路產業(yè)發(fā)展過熱。從展訊、海思等公司可以看到國內半導體產業(yè)正在崛起，然而，以IC設計為代表的中國集成電路產業(yè)卻面臨處于低端市場的困擾。
在集成電路的三個關鍵環(huán)節(jié)：IC設計、封測、晶圓制造中，國內IC設計、封測正在快速發(fā)展，同時在推進DARM產業(yè)之后，完整了國內半導體產業(yè)鏈的發(fā)展。不過，高速的發(fā)展并不能掩蓋所面臨的問題。
用高性價比占領低端市場
既然說IC設計與封測發(fā)展迅速，首先看一看發(fā)展現(xiàn)狀
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集成電路 DRAM
三星144億投資新工廠用于生產移動處理器。
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三星 DRAM
臺系存儲器供應商加速布局利基型產品領域，華邦、旺宏從NOR Flash芯片擴展至低階NAND Flash芯片，專攻車用及工控應用市場，南亞科則布局伺服器、智能型手機用的低功耗存儲器產品，至于多芯片封裝(Multi-Chip Package;MCP)市場更是兵家必爭之地，在晶豪與聯(lián)發(fā)科成功合作模式激勵下，旺宏、鈺創(chuàng)亦有意搶進MCP戰(zhàn)場，并傳出正尋覓合作伙伴共同卡位MCP商機。
晶豪是最早布局MCP市場的臺系存儲器供應商，過去在SDRAM市場陷入低潮時，晶豪積極尋找新產品成長動能，并相中MCP市場成
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存儲器 DRAM
中國扶植自有DRAM供應鏈計劃浮上臺面，業(yè)界透露中國將分三個階段著手，包括扶植大型集團建立自有技術、高關稅逼迫國際大廠合作、強制品牌系統(tǒng)廠采用， 由于上一輪全球DRAM市場崩盤是在2008年發(fā)生，業(yè)界直指十年一劫的DRAM淘汰賽恐將在2017年再度引爆，對于既有DRAM業(yè)者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小沖擊。
半導體業(yè)者表示，中國建立DRAM產業(yè)最難解問題，似乎是如何取得被三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大廠所把持的DRAM技術，然事實上，中
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SK海力士 DRAM
資本公司聯(lián)合收購 ISSI，京東方宣告進入 DRAM 市場，中國搶進 DRAM市場的意圖愈發(fā)明顯，但是大把資金投入是否能得到預期收貨？DRAM市場是有錢就行嗎？
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DRAM eMCP eMMC
由韓國企業(yè)主導的半導體DRAM市場上，服務器、消費性電子、通訊設備占比正逐漸擴大。以半導體業(yè)者的立場而言，這意味著可多元化獲利模式，期待可確保穩(wěn)定的供應價格，并阻止后起業(yè)者的進軍。
ET News引用市調機構IHS 2014年各領域DRAM需求資料指出，PC DRAM比重持續(xù)減少，移動裝置、服務器、通訊、消費性電子用DRAM出現(xiàn)大幅度的成長。
PC DRAM 2012年占整體DRAM比重達57.6%。然桌上型電腦和筆記型電腦市場成長趨緩后，2014年比重下滑到39.6%。2015年預估將減
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三星 DRAM
市場研究機構TrendForce最新調查顯示，2015年第一季起智慧型手機出貨積弱不振，季衰退幅度高達9.2%。盡管第二季展望國際大廠蘋果(Apple)與三星(Samsung)出貨相對穩(wěn)健，然而智慧型手機在中國通路的庫存水位仍高，在第二季將持續(xù)庫存去化的情況下，較難看到大幅的出貨成長。第二季全球智慧型手機預估季成長6.8%，中國地區(qū)(含中國品牌外銷國外)部分為14.8%，遠低于過往兩年動輒25%以上的季成長。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2
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LPDDR4 DRAM
智慧型手機與平板電腦快速普及，正帶動行動式動態(tài)隨機存取記憶體(Mobile DRAM)需求水漲船高，其中智慧型手機每年所采用的Mobile DRAM數(shù)量，更占全球總出貨量近八成比重，是最主要的應用及成長來源。
近年來，行動裝置產品因具有高功能性、便利性且兼具時尚感，成為全球最熱門電子產品，因而驅動其關鍵零組件行動式動態(tài)隨機存取記憶體(Mobile DRAM)需求快速成長，使之成為DRAM產業(yè)的發(fā)展主流。本文將針對Mobile DRAM的應用面及市場發(fā)展性進行探討。
挺進手機/平板市場 Mo
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DRAM
TrendForce最新調查顯示，2015年第一季起智慧型手機出貨積弱不振，季衰退幅度高達9.2%，盡管第二季展望國際大廠蘋果與三星出貨相對穩(wěn)健，然而，智慧型手機在中國通路的庫存水位仍高，在第二季度將持續(xù)庫存去化下，較難看到大幅的出貨成長;第二季全球智慧型手機預估季成長6.8%，中國地區(qū)(含中國品牌外銷國外)部分為14.8%，遠低于過往兩年動輒25%以上的季成長。
TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2015年行動式存儲器價格走勢趨于穩(wěn)定;目前行動
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DRAM LPDDR4
DRAM大廠推升制程造成部分產能產出受影響的效應逐步發(fā)酵，由于市場供給量降低，帶動DRAM價格止跌，集邦科技統(tǒng)計近四日主流DDR3 4Gb力守3美元整數(shù)關卡，蓄勢反彈，有助南亞科(2408)、華亞科營運。
由于市場供給縮減、報價止跌，美國記憶體晶片指標廠美光上周五(17日)股價不畏美股重挫279點，上演逆轉行情，尾盤逆勢收紅，以28.02美元作收，小漲0.01元，持續(xù)站穩(wěn)各均線，透露市場資金回流。
國際投資機構陸續(xù)對DRAM市況翻多，美國知名財經(jīng)網(wǎng)站巴隆(Barron`s.com)近日則引
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DRAM 華亞科
近日，有韓國媒體“中央日報日文版”報道，我國液晶面板廠京東方 (BOE)有意進軍存儲器芯片行業(yè)，引發(fā)市場關注。受到《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布以及國家集成電路產業(yè)投資基金成立等利好政策的助推，今年以來包括存儲芯片在內的集成電路產業(yè)，熱度不斷升高，據(jù)悉積極爭取設立DRAM廠的地方政府已達6家。由于全球存儲產業(yè)正處于轉型期，加之市場廣闊，即使行業(yè)已趨于高度壟斷，如果政策到位、措施得當，未來中國切入存儲產業(yè)，依然存在機會。
中國積極介入存儲產業(yè)
“作為
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京東方 DRAM
SK海力士(SK Hynix)中斷生產30納米級DRAM，全面進入20納米級生產時代。據(jù)了解，SK海力士在4年前才首度采用38納米制程生產DRAM，不過到2015年第1季，生產效率比30納米級制程更高的25納米DRAM制程比例，已高達全體生產的82%。
韓媒Digital Times報導，日前業(yè)界消息傳出，SK海力士的38納米制程到2014年第4季為止，約占全體DRAM生產比例的8%，但從2015年第1季開始已全面轉進20納米級制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron)，目前30納米級
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SK海力士 DRAM
國際研究暨顧問機構 Gartner 最終統(tǒng)計結果顯示， 2014年全球半導體營收總金額達3,403億美元，較2013年的3,154億美元增加7.9%。前25大半導體廠商合計之營收成長11.7%，高于業(yè)界整體成長率。前25大半導體廠占整體市場營收72.4%，亦高于2013年的69.9%。
Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“2014年各類元件皆呈正成長，不似2013年時，特殊應用積體電路(ASIC)、離散元件(discrete)與微組件(microcompone
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英特爾 DRAM
研究機構Gartner公布最新半導體統(tǒng)計，去年全球半導體總營收金額達3403億美元，較2013年3154億美元增加7.9%，以記憶體連續(xù)2年最高，表現(xiàn)最好，其中DRAM去年成長32%，創(chuàng)下歷史新高。
Gartner統(tǒng)計，去年半導體營收前3名仍是英特爾、三星與高通，分別為523億美元、347億美元與192.9億美元，市占率為15.4%、10.2%與5.7%;前10名名單都與前年一樣，僅有名次小幅變動。
英特爾三星高通前3名
經(jīng)過連2年衰退后，英特爾因個人電腦生產復蘇而重回成長，年營收增
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半導體 DRAM
記憶體模組大廠威剛(3260)公布3月營收為20.72億元，比2月谷底跳增51%。今年第一季合并營收為54.52億元，年減24.62%，公司預期通路庫存到底，第二季DRAM需求將逐步回溫。
威剛表示，由于PC淡季持續(xù)，DRAM比重仍與2月相當，維持在38%左右;固態(tài)硬碟(SSD)出貨量及銷售金額再創(chuàng)新高，月營收貢獻達25%，累計今年第一季SSD營業(yè)額已近全公司營業(yè)額25%，年增率并超越50%。
威剛今年第一季產品結構方面，DRAM由去年同期的55%降至41%，SSD比重則倍增為非DRAM產
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威剛 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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