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大陸存儲器的戰(zhàn)略布局

  • 　　長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。 　　回歸基本面來看。半導(dǎo)體之所以為高科技是因為有摩爾定律，容許其不斷的制程微縮，而其經(jīng)濟(jì)效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)策技術(shù)(driving technology)，也就是說DRAM的制程領(lǐng)導(dǎo)其它的半導(dǎo)體制程前進(jìn)。半導(dǎo)體的先
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TrendForce：服務(wù)器DRAM模組供不應(yīng)求，Q1報價看漲25%

  • 　　市場調(diào)查機(jī)構(gòu)TrendForce最新報告預(yù)測，服務(wù)器用DRAM模組由于供給吃緊，第一季報價可能攀升至少25%。 　　2017年第一季初，服務(wù)器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%，部份高密度產(chǎn)品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻，16GB模組也來到100美元。 　　TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange發(fā)現(xiàn)，服務(wù)器DRAM模組報價看漲，部份是受惠于PC用DRAM持續(xù)漲價。除此之外，服務(wù)器制造業(yè)者因擔(dān)心價格持續(xù)走揚(yáng)而提前
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DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀(jì)錄

  • 　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強(qiáng)勢漲價的季度。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來，2017年第一季標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務(wù)器內(nèi)存的漲幅略同，R-DIMM 32GB模組已超過200美元
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DRAM/NAND價格回升 存儲器產(chǎn)值今年將增10%

  • 　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩(wěn)健走揚(yáng)，研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，此將有助推升2017年存儲器市場銷售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高紀(jì)錄，較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
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一文通解基于VLT技術(shù)的新型DRAM內(nèi)存單元

  • 　　垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備，也無需任何新的材料或工藝?！　∠噍^于一般的DRAM，VLT內(nèi)存數(shù)組能節(jié)約高達(dá)45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內(nèi)存單元，以及驅(qū)動更長行與列的能力，使其得以大幅提升內(nèi)存數(shù)組效率。然而，想要發(fā)揮VLT的優(yōu)勢，就必須在依據(jù)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展的成熟DR
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紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時不涉足DRAM

  • 　　大陸紫光集團(tuán)在2016年終正式宣布投資總額高達(dá)240億美元，在武漢東湖高新區(qū)興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠，為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。 　　半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)透露，紫光集團(tuán)由旗下長江存儲公司負(fù)責(zé)推動這項計畫。紫光集團(tuán)暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案，等同遼寧號航空母艦出海試航，是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)從零突破的開端，也創(chuàng)下由國家戰(zhàn)略推動、地方大力支持、企業(yè)市場化運(yùn)作的新合作模式。 　　由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
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存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀(jì)錄

  • 　　根據(jù)ICInsights報道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。 　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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嚴(yán)防技術(shù)泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信

  • 　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 　　半導(dǎo)體人士透露，三大DRAM廠強(qiáng)力防止中國大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂見DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國大陸全力搶進(jìn)而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問題再擴(kuò)大，明年再現(xiàn)飆漲
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IC Insights：2017年全球存儲器市場同比增長10%

  • 　　在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認(rèn)為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導(dǎo)致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。 　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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力晶黃崇仁：2017年DRAM市況非常好

  • 　　力晶執(zhí)行長黃崇仁20日出席臺灣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)技術(shù)協(xié)會成立大會時表示，明年存儲器市況不錯，但力晶沒有到大陸生產(chǎn)存儲器的計劃;同時他發(fā)表傳出前中華電信董事長蔡力行要去紫光看法，他認(rèn)為蔡力行對于老東家臺積電有程忠誠度，不會去挖臺積電的墻角。 　　20日市場傳出，蔡力行將加入大陸紫光集團(tuán)，協(xié)助在成都蓋12吋晶圓代工廠，黃崇仁對此提出看法表示 ，以他與蔡力行是老朋友的身分觀察，蔡力行對臺積電是有忠誠度的，不會去挖臺積電的墻角。 　　由于力晶已經(jīng)前進(jìn)大陸合肥在當(dāng)?shù)厣w12吋晶圓代工廠合晶，目前廠房已經(jīng)蓋好，明年將進(jìn)
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華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)

  • 　　中國大陸紫光集團(tuán)長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導(dǎo)權(quán)，隨著三大體建廠計劃預(yù)定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。 　　長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設(shè)計公司相關(guān)人員，構(gòu)成中日臺的存儲研發(fā)團(tuán)隊。長鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團(tuán)隊已逾50位員工，預(yù)定明年要達(dá)千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。 　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標(biāo)，多方勢力積極主導(dǎo)地位，其中，紫
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SK海力士開發(fā)出10納米級DRAM　與三星拉近差距

  • 　　傳聞SK海力士(SK Hynix)即將在2017年上半啟動10奈米級DRAM量產(chǎn)，這將是繼三星電子(Samsung Electronics)之后，第二家投產(chǎn)10奈米級DRAM的半導(dǎo)體業(yè)者。目前SK海力士已完成1x奈米技術(shù)研發(fā)，同時著手開發(fā)1y奈米，并組成1z奈米研發(fā)團(tuán)隊，持續(xù)追求更高的技術(shù)競爭力。 　　據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，14日業(yè)界消息指出，SK海力士以Alius作為計畫名稱的1x奈米DRAM即將正式量產(chǎn)。其目前已完成客戶樣品生產(chǎn)，正進(jìn)行最后的可靠度檢測，預(yù)定2017年第2季由M14新廠正式量
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華亞科被高薪挖角 大陸存儲點燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)

  • 　　中國大陸紫光集團(tuán)長江存儲、合肥長鑫及福建晉華都積極爭取大陸存儲主導(dǎo)權(quán)，隨著三大體建廠計劃預(yù)定2018年量產(chǎn)，三大體系將正面對決。 　　長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設(shè)計公司相關(guān)人員，構(gòu)成中日臺的存儲研發(fā)團(tuán)隊。長鑫日前正式曝光相關(guān)投資計劃，預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)示范區(qū)興建第一座12吋晶圓廠，明年7月動工，目前團(tuán)隊已逾50位員工，預(yù)定明年要達(dá)千人規(guī)模、2018年上看2，000人，這也是為何急于對臺挖角的關(guān)鍵。 　　大陸發(fā)展自主存儲已列入大陸國家發(fā)展目標(biāo)，多方勢力積極主導(dǎo)地位，其中，紫
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SK海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM

  • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 　　來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。 　　半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM

  • 　　繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 　　來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。 　　半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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dram介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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