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2010年半導體產業(yè)資本支出預計猛增51%

  •   市場研究公司IC Insights預計,今年半導體產業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預計增長67%,而產業(yè)整體支出增長額預計為51%。   “如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產能翻倍,但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。   大
  • 關鍵字: Samsung  DRAM  存儲  

2010年半導體產業(yè)資本支出預計猛增51% 大型芯片廠商領跑

  •   市場研究公司IC Insights預計,今年半導體產業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預計增長67%,而產業(yè)整體支出增長額預計為51%。   “如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產能翻倍,但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。   大
  • 關鍵字: Samsung  DRAM  芯片  半導體  

Gartner:今年全球半導體銷售額將增長20%

  •   市場研究公司Gartner預計,2010年全球半導體營收將增長20%,達到2760億美元。   2009年,全球半導體營收下滑了10%。但Gartner周三指出,今年全球半導體銷售額有望達到2760億美元,與去年的2310億美元相比將增長19.5%。   Gartner表示,處理器和內存是推動2010年半導體營收增長的主要動力。其中,DRAM芯片漲幅將達到55%。   Gartner預計,至少在2014年之前,半導體市場將持續(xù)增長。到2012年,全球半導體市場規(guī)模將達到3040億美元。
  • 關鍵字: 半導體  處理器  DRAM  內存  

iSuppli預計今年全球DRAM內存芯片市場將增40%

  •   2月24日消息,市場研究公司iSuppli預計,今年全球DRAM內存芯片市場增幅將超過40%,也是3年來的首次增長。   據國外媒體報道稱,iSuppli表示,今年全球DRAM內存芯片銷售額將增長至319億美元,2009年、2008年和2007年DRAM內存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。   iSuppli分析師邁克·霍華德當地時間上周四說,“今年DRAM內存市場將繼續(xù)去年第四季度的增長趨勢,增長40%。”   推動去年第四季度DRAM
  • 關鍵字: DRAM  內存芯片  

英飛凌向爾必達提出專利侵權訴訟

  •   英飛凌科技股份公司今日宣布,該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國國際貿易委員會(ITC)遞交起訴書,稱爾必達(Elpida Memory Inc.)制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導體產品侵犯了英飛凌在半導體制程和元件制造方面四項重要發(fā)明專利,涉嫌不公平貿易。   英飛凌公司管理委員會成員兼銷售、營銷、技術與研發(fā)負責人Hermann Eul博士指出:“英飛凌在業(yè)界一直處于先進半導體制程的領先地位。我們將盡力保護我們通過持續(xù)研發(fā)所獲得的知識產權。&rdqu
  • 關鍵字: 英飛凌  DRAM  

iSuppli:2010年DRAM內存市場將增長40%

  •   據市場研究公司iSuppli稱,經過連續(xù)三年的下降之后,DRAM內存市場2010年的銷售收入將達到319億美元,增長40%。   iSuppli負責DRAM內存業(yè)務的高級分析師Mike Howard在聲明中說,2010年將在2009年第四季度增長的基礎上繼續(xù)增長。2009年第四季度整個DRAM內存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。   2009年第四季度是DRAM內存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個季度。據iSuppli稱,20
  • 關鍵字: Elpida  DRAM  內存  

海力士:DRAM恐供給過剩

  •   DRAM廠普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語,認為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產業(yè)的大廠。   全球DRAM龍頭三星上周才公開表示,看好整體內存產業(yè),海力士卻發(fā)布警語,看法與三星大為迥異。   外電報導,海力士執(zhí)行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露,由于各大芯片廠都大舉擴大資本支出,擔心DRAM會供給過剩;不過,他認為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
  • 關鍵字: Hynix  DRAM  

美光、南亞科攜手42納米 加入DRAM新技術戰(zhàn)局

  •   美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn),今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產品正式問世,同時也全面導入銅制程技術,與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(Elpida)45納米相比,美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產出數量最多,預計在2010年第2季試產,而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導入42納米制程,與爾必達旗下力晶和瑞晶導入45納米的時間點相仿。   2010 年DRAM市場50
  • 關鍵字: Micron  40納米  DRAM  

海力士反行業(yè)主流看法:今年DRAM芯片恐將過剩

  •   2月9日消息,據臺灣經濟日報報道,在DRAM芯片行業(yè)多數企業(yè)普遍看好今年市況之際,全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告,認為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產業(yè)的大廠。   全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開表示,看好整體內存產業(yè),海力士卻發(fā)布警告,看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告,將牽動南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見、威剛等臺灣內存企業(yè)發(fā)展計劃。   外電報道,海力士執(zhí)行長金鐘甲在接受媒體採訪時透露,由于各大晶片廠都大舉擴大資本支出,擔心DRAM芯片會供給過剩
  • 關鍵字: 海力士  DRAM  

應用材料兩名高管因竊取三星技術機密被捕

  •   據報道,韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管,罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。   美國證券交易委員會的報告顯示,Applied已經確認此事,并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應用材料副總裁,另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。   應用材料在一封電子郵件中表示,由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名,他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶,三星的利益顯然受到了傷害
  • 關鍵字: 應用材料  DRAM  NAND  

DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3

  •   報道,威剛主席Simon Chen今天表示,隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產上,DDR2芯片的出貨量將開始減少,其價格有望在今年下半年超過DDR3。   Simon Chen認為,DDR2在低端PC市場還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價格低于2美元,那么它需求將會出現(xiàn)大幅度增長。   Simon Chen還表示,上游芯片供應商紛紛通過工藝升級的方式來加大DDR3芯片的產量,不過這種升級或許會因為其它設備的供應短缺而延緩。   根據DRAMeXchange的監(jiān)測,1Gb DDR2
  • 關鍵字: DRAM  DDR3  DDR2  

美國09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM

  •   湯森路透知識產權解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級專利權人》(2009 Top Patentees) 的分析結果,對過去一年在美國獲得專利最多的前25家公司進行排名。這項研究發(fā)現(xiàn),在這25家頂級公司中,無一家中國大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國IBM公司以4843項專利位列第一, 韓國三星電子和美國微軟公司分別位列第二和第三,這份25大專利權名單還包括11家日本公司,中國臺灣、芬蘭和德國各一家公司。   2009年美國專利權人 TOP25   亞洲公司目前已經占據了專利權名單的56%,而日
  • 關鍵字: 三星電子  芯片  LCD  DRAM  

三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內存芯片

  •   三星電子宣布,全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內存芯片已經通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class),而不是真正的30nm,也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。   三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內存芯片的容量為2Gb,支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓,相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗,因此又稱為綠色內存(Gree
  • 關鍵字: 三星電子  DRAM  30nm  DDR3   

三星的“致命傷”——過渡依賴芯片產品

  •   導讀:《朝鮮日報》今日撰文稱,三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列,但公司銷售業(yè)績在很大程度上依賴于芯片產品,而芯片的營業(yè)利潤容易根據市場環(huán)境起伏不定,這也被認為是三星的“致命弱點”。如果現(xiàn)在放松警惕,今后可能會面臨更大的危機。   以下為全文:   三星電子在韓國企業(yè)史上第一個實現(xiàn)“銷售額100萬億韓元、營業(yè)利潤10萬億韓元”的業(yè)績,成為世界最大的電子企業(yè)。但英國《金融時報》29日報道稱:“從長遠來看,三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
  • 關鍵字: 三星電子  芯片  LCD  DRAM  

40納米成DRAM廠流行口號

  •   近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮,這一切都要從爾必達(Elpida)說起。因為爾必達2009年沒錢轉進50納米技術制程后,最后決定跳過50納米,直接轉進45納米,這下刺激了美光(Micron)陣營,南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導入,讓整個DRAM產業(yè)在50納米都還沒看到影子時,又冒出一堆40納米的話題,但40納米能為DRAM產業(yè)貢獻多少? 真的有待商榷,只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后,有機會大量生產,其它陣營的40納米技術,都是口頭說說成分居多。
  • 關鍵字: DRAM  40納米  
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ddr5 dram介紹

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