首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr3-2133

DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機

  • 　　據(jù)國外媒體報道，人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價格。從積極的角度看，較低的內(nèi)存價格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片，同時將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進的第三代內(nèi)存芯片。 　　全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內(nèi)存價格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過以往。就在三個月前，三星公司曾表示，由于價格疲弱，電腦標配內(nèi)存已從512M變成了1G。 　　目前，主流DRAM芯片為1G字
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DD2  DDR3  電腦組件  

FPGA如何同DDR3存儲器進行接口?

  • 　　大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III產(chǎn)品營銷經(jīng)理。到目前為止，我已經(jīng)從事了6年的雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器工作，今天和大家一起討論一下DDR3。DDR3的主要難題之一是它引入了數(shù)據(jù)交錯，如屏幕上所示。 　　為了更好地進行演示，我們將使用這里所示的Stratix III DDR3存儲器電路板。它上面有幾個高速雙倍數(shù)據(jù)速率存儲器，例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR，當然，還有DDR3 UDIMM插槽。因此，我們所要做的就是通過Quartus軟件來下載一個簡單設(shè)計，F(xiàn)PGA
  • 關(guān)鍵字： FPGA DDR3 存儲器  

奇夢達1GB和2GB的省電DDR3 SO-DIMMs開始出貨

  • 　　奇夢達公司宣布1GB和2GB的 DDR3 SO-DIMM內(nèi)存模塊 (Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的樣品開始出貨給主要客戶，以布局下一代的筆記型計算機市場。奇夢達將其最新的DDR3 SO-DIMMs最佳化，提供了超強的省電功能，已居于業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)地位。在移動運算中，省電是新DDR3內(nèi)存接口很重要的價值體現(xiàn)，因它能在筆記型計算機及其它移動運算應(yīng)用裝置中，讓電池有較長壽命且仍保持較高的性能表現(xiàn)。奇夢達率先于2006年6
  • 關(guān)鍵字： 奇夢達 DDR3 內(nèi)存   

Stratix III FPGA性能達到了533-MHz DDR3接口標準

  • 　　Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存儲器接口速率超過1067 Mbps，存儲器性能比競爭FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲器帶寬支持新的通信、計算和視頻處理應(yīng)用，以前很難實現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲器塊才能實現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標準的FPGA，該標準包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。 　　Altera高端產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)David Greenfie
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  Altera  FPGA  DDR3  MCU和嵌入式微處理器  

Altera宣布Stratix® III FPGA的DDR3存儲器接口速率超過1067 Mbps

  • 　　Altera公司宣布，Stratix® III FPGA的DDR3存儲器接口速率超過1067 Mbps，存儲器性能比競爭FPGA解決方案高出33%。更寬的存儲器帶寬支持新的通信、計算和視頻處理應(yīng)用，以前很難實現(xiàn)這類應(yīng)用或者需要增加存儲器塊才能實現(xiàn)。Altera的Stratix III FPGA系列是業(yè)界唯一完全符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標準的FPGA，該標準包括為提高性能而制定的高性能讀寫均衡規(guī)范。 　　Altera高端產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)David Greenfie
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  Altera  DDR3  存儲器  

FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計

  •     DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作電壓，采用90nm制程達到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問更快、更大，每比特的功耗也更低，但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設(shè)計呢？ 　　關(guān)鍵字：均衡（leveling） 　　如果FPGA&nbs
  • 關(guān)鍵字： FPGA  DDR3  SDRAM  接口  模擬IC  電源  

奇夢達DDR3內(nèi)存組件和模組經(jīng)過英特爾認證

  • 　　奇夢達近日宣布，作為首批DRAM供應(yīng)商之一 ，已開始向重要的主板廠商和超頻內(nèi)存模組制造商提供全新的DDR3組件和模組。此外，奇夢達新一代DDR3 DRAM產(chǎn)品已通過英特爾平臺的認證。 　　奇夢達目前可提供512 MB DDR3 SDRAM組件和具備512MB和1GB存儲密度的 DDR3非緩沖DIMM。當前提供的這些器件支持800MHz、1066MHz 和 1333MHz的工作速度，甚至可超頻到1600MHz及以上，使它們成為迄今為止行業(yè)速度最快的器件。超頻是提高高端應(yīng)用PC系統(tǒng)性能的常用技術(shù)，例如3
  • 關(guān)鍵字： DDR3  內(nèi)存組件  奇夢達  認證  英特爾  存儲器  
共127條 9/9 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473