首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr-sdram

SDRAM電路設(shè)計詳解

  • 介紹SDRAM電路設(shè)計之前先了解下SDRAM的尋址原理。SDRAM內(nèi)部是一個存儲陣列,可以把它想象成一個表格,和表格的檢索原理一樣,先指定行,再指定列,就可
  • 關(guān)鍵字: SDRAM  電路設(shè)計  尋址原理  存儲單元  

DDR硬件設(shè)計要點都在這里

  •   DDR硬件設(shè)計要點  1. 電源 DDR的電源可以分為三類:  a主電源VDD和VDDQ,主電源的要求是VDDQ=VDD,VDDQ是給IO buffer供電的電源,VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。  有的芯片還有VDDL,是給DLL供電的,也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時,需要考慮電壓,電流是否滿足要求,電源的上電順序和電源的上電時間,單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片,及芯片個數(shù)等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大,所以P
  • 關(guān)鍵字: DDR,PCB  

DDR內(nèi)存的發(fā)展簡史:和三星有關(guān)

  •   DDR的種類:  1、DDR SDRAM:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器;  2、DDR2 SDRAM:Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory,第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存取存儲器;  3、DDR3 SDRAM:Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
  • 關(guān)鍵字: DDR  三星  

一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別

  •   本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區(qū)別,首先介紹了RAM的類別及特點,其次對SDRAM做了詳細闡述,最后介紹了RAM和SDRAM的區(qū)別是什么?! AM介紹  Random-Access Memory(隨機存取存儲器),在計算機的組成結(jié)構(gòu)中,有一個很重要的部分,就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件,對于計算機來說,有了存儲器,才有記憶功能,才能保證正常工作。存儲器的種類很多,按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器[或者內(nèi)存儲器和外存儲器],主存儲器簡稱內(nèi)存,內(nèi)存在電腦中起
  • 關(guān)鍵字: ARM  SDRAM  

國產(chǎn)內(nèi)存即將到來 可業(yè)內(nèi)卻判DDR死刑

  • 似乎中國已經(jīng)要趕上國外主流水準(zhǔn),但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過時,新的內(nèi)存即將取代,這無疑給國內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當(dāng)頭一棒。
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DDR  

控制DDR線長匹配來保證時序,在PCB設(shè)計時應(yīng)該這么做!

  •   DDR布線在PCB設(shè)計中占有舉足輕重的地位,設(shè)計成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序,線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下,DDR布線,線長匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時鐘做等長。數(shù)據(jù)信號與DQS做等長。為啥要做等長?大家會說是要讓同組信號同時到達接收端,好讓接收芯片能夠同時處理這些信號。那么,時鐘信號和地址同時到達接收端,波形的對應(yīng)關(guān)系是什么樣的呢?我們通過仿真來看一下具體波形?! 〗⑷缦峦ǖ?,分別模擬DDR3的地址信號與時鐘信號?! ?nbsp; 
  • 關(guān)鍵字: PCB  DDR  

SDRAM知多少?

  •   SDRAM  SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存儲器,同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫?! ∷^的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬,頻率與位寬固定后,帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況,在內(nèi)存的工作周期內(nèi),不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài),因為要有
  • 關(guān)鍵字: SDRAM  

TB容量再升級 看西部數(shù)據(jù)有啥絕活

  •   自從收購SanDisk(閃迪)依賴,西部數(shù)據(jù)就開始“名正言順”地進入消費級固態(tài)存儲市場。與仍保持SanDisk品牌的移動存儲產(chǎn)品不同,SanDisk的SSD產(chǎn)品已經(jīng)改頭換面,成為西部數(shù)據(jù)品牌下的產(chǎn)品。如果說去年所推出的第一代Blue(藍盤)還有著深厚的SanDisk時代烙印,那么新一代產(chǎn)品則完全誕生于西部數(shù)據(jù)的體系,SanDisk已經(jīng)成為其產(chǎn)品的部分零部件供應(yīng)商。   到目前為止,SSD仍缺乏普及的基礎(chǔ),沒有了諸如4K視頻這樣強烈需求的推動,同時還有利潤更高的手機搶資源,一年
  • 關(guān)鍵字: 西部數(shù)據(jù)  SDRAM  

DDR布線舉足輕重,一文看懂背后的大學(xué)問

  •   DDR布線在PCB設(shè)計中占有舉足輕重的地位,設(shè)計成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序,線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下,DDR布線,線長匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時鐘做等長。數(shù)據(jù)信號與DQS做等長。為啥要做等長?大家會說是要讓同組信號同時到達接收端,好讓接收芯片能夠同時處理這些信號。那么,時鐘信號和地址同時到達接收端,波形的對應(yīng)關(guān)系是什么樣的呢?我們通過仿真來看一下具體波形?! 〗⑷缦峦ǖ溃謩e模擬DDR3的地址信號與時鐘信號?! ?nbsp; 
  • 關(guān)鍵字: DDR  布線  

DDR布線舉足輕重,一文看懂背后的大學(xué)問

  • DDR布線在PCB設(shè)計中占有舉足輕重的地位,設(shè)計成功的關(guān)鍵就是要保證系統(tǒng)有充足的時序裕量。要保證系統(tǒng)的時序,線長匹配又是一個重要的環(huán)節(jié)。我們來回顧一下,DDR布線,線長匹配的基本原則是:地址,控制/命令信號與時鐘做等長。
  • 關(guān)鍵字: DDR  PCB  DQS  

基于ARM9的USB設(shè)計與實現(xiàn)

  • USB(Universal Serial Bus)是通用串行總線的縮寫,因其具有方便易用,動態(tài)分配帶寬,容錯性優(yōu)越和高性價比等特點,現(xiàn)已成為計算機的主流接口。
  • 關(guān)鍵字: USB  CPU  NANDFlash  SDRAM  

基于MIMO技術(shù)的視頻緩存器設(shè)計方案

  • 隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛,高速大容量緩存器被廣泛應(yīng)用于音視頻系統(tǒng)中,然而專用的高速大容量緩存芯片價格過于昂貴,傳統(tǒng)SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用.
  • 關(guān)鍵字: MIMO技術(shù)  視頻緩存器  DDR  

SDRAM控制器的設(shè)計與VHDL實現(xiàn)

  • 介紹了SDRAM的存儲體結(jié)構(gòu)、主要控制時序和基本操作命令,并且結(jié)合實際系統(tǒng),給出了一種用FPGA實現(xiàn)的通用SDRAM控制器的方案。
  • 關(guān)鍵字: VHDL  狀態(tài)機  SDRAM  

基于CPLD的SDRAM控制器的設(shè)計

  • SDRAM的讀寫邏輯復(fù)雜,最高時鐘頻率達100 MHz以上,普通單片機無法實現(xiàn)復(fù)雜的SDRAM控制操作,復(fù)雜可編程邏輯器件CPLD具有編程方便,集成度高,速度快,價格低等優(yōu)點。因此選用CPLD設(shè)計SDRAM接口控制模塊,簡化主機對SDRAM的讀寫控制。通過設(shè)計基于CPLD的SDRAM控制器接口,可以在STM系列、ARM系列、STC系列等單片機和DSP等微處理器的外部連接SDRAM,增加系統(tǒng)的存儲空間。
  • 關(guān)鍵字: 刷新時序  CPLD  SDRAM  

基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究

  • 隨著數(shù)據(jù)存儲量的日益加大以及存儲速度的加快,大容量的高速存儲變得越來越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求,這樣使得對內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原理,內(nèi)存條電路設(shè)計的注意事項,以及如何使用FPGA實現(xiàn)對DDR內(nèi)存條的控制,最后給出控制的仿真波形。
  • 關(guān)鍵字: DDR  內(nèi)存條  FPGA  
共234條 2/16 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

ddr-sdram介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條ddr-sdram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對ddr-sdram的理解,并與今后在此搜索ddr-sdram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

DDR-SDRAM    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473