cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

基于CMOS探測(cè)器的射線檢測(cè)設(shè)計(jì)應(yīng)用

概述：以CMOS探測(cè)器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)，檢測(cè)精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測(cè)器探測(cè)單元排成線陣列，需要在檢測(cè)時(shí)進(jìn)行相對(duì)掃描運(yùn)動(dòng)，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢測(cè)工裝設(shè)計(jì)，完成了探測(cè)器的固定、位置調(diào)節(jié)及實(shí)現(xiàn)與檢測(cè)工件的相對(duì)運(yùn)動(dòng)。介紹了檢測(cè)應(yīng)用中的探測(cè)器配置與校準(zhǔn)、透照方式選取、運(yùn)動(dòng)速度控制、檢測(cè)參數(shù)優(yōu)化、缺陷定量分析和圖像存檔管理等。應(yīng)用結(jié)果表明，經(jīng)過(guò)工藝優(yōu)化，CMOS探測(cè)器能夠?qū)崿F(xiàn)大多數(shù)產(chǎn)品零部件的射線檢測(cè)。最后分析了應(yīng)用中存在的問(wèn)題及后續(xù)研究方向。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 應(yīng)用檢測(cè) 射線 CMOS 探測(cè)器基于

意法半導(dǎo)體推出最小MEMS模塊

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)，近日發(fā)布一款在3x5.5x1mm 微型封裝內(nèi)整合三軸線性加速度和角速度傳感器的慣性傳感器模塊。這款新產(chǎn)品是6個(gè)自由度的iNEMO傳感器模塊，較意法半導(dǎo)體現(xiàn)有產(chǎn)品尺寸縮減近20%，為今天空間受限的消費(fèi)電子應(yīng)用(如智能手機(jī)、平板電腦等便攜式電子設(shè)備)帶來(lái)先進(jìn)的運(yùn)動(dòng)感應(yīng)功能，讓設(shè)備廠商能夠研制出外觀設(shè)計(jì)更加纖薄時(shí)尚的電子產(chǎn)品。　　除節(jié)省空間外，這款新的iNEMO模塊還擁有先進(jìn)的設(shè)計(jì)和傳感器數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)整合功能，能夠提高消費(fèi)者的使用體驗(yàn)以及運(yùn)動(dòng)感應(yīng)
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CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應(yīng)用

CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應(yīng)用,1 引言隨著醫(yī)療診斷儀器小型化、便攜化的進(jìn)程，高性能32位微處理器正在越來(lái)越多地應(yīng)用于各類(lèi)小型醫(yī)療影像設(shè)備中，但是如何利用這些微處理器傳送和處理實(shí)時(shí)圖像，卻是一個(gè)丞待解決的問(wèn)題。從ARM 7系列開(kāi)始，ARM處理器
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一種單軸MEMS陀螺儀信號(hào)處理電路設(shè)計(jì)

摘要以MEMS陀螺儀傳感器為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)了一種閉環(huán)驅(qū)動(dòng)開(kāi)環(huán)檢測(cè)的單軸MEMS陀螺儀信號(hào)處理電路。采用時(shí)域分析方法，對(duì)MEMS陀螺儀閉環(huán)驅(qū)動(dòng)環(huán)路進(jìn)行了穩(wěn)定性分析，并提出了一種對(duì)等效電容共模部分不敏感的CV轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。結(jié)果
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創(chuàng)新成像/圖像處理技術(shù)打造更安全的智能汽車(chē)

在過(guò)去五年中，汽車(chē)行業(yè)中駕駛輔助系統(tǒng)（automotivedriverassistancesystems，ADAS）領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，真正...
關(guān)鍵字： CMOS ADAS 汽車(chē)電子

用基于CMOS技術(shù)的接收器芯片設(shè)計(jì)高性?xún)r(jià)比的汽車(chē)收

高增長(zhǎng)的經(jīng)濟(jì)體如巴西、印度尼西亞、印度和中國(guó)已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級(jí)和快速增長(zhǎng)的汽車(chē)市場(chǎng)。這些市場(chǎng)要求汽車(chē)零售價(jià)相對(duì)較低，因此給汽車(chē)組件帶來(lái)很大的成本壓力。此外，在發(fā)達(dá)經(jīng)濟(jì)體如美國(guó)、歐洲國(guó)家和日本的汽車(chē)市場(chǎng)
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CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖

CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的，亦叫十進(jìn)制技術(shù)、譯碼驅(qū)動(dòng)顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
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MEMS組合傳感器銷(xiāo)售額未來(lái)五年將強(qiáng)勁增長(zhǎng)

　　據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，基于MEMS的多傳感器封裝，即所謂的“組合”傳感器，將在消費(fèi)應(yīng)用與汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域具有非常光明的前景，未來(lái)五年在這兩個(gè)領(lǐng)域的合計(jì)銷(xiāo)售額將增長(zhǎng)到現(xiàn)在的50倍。　　MEMS組合傳感器在單一的傳感器封裝中含有加速計(jì)、陀螺儀或電子羅盤(pán)的不同組合。這類(lèi)傳感器的銷(xiāo)售額到2015年將接近12億美元，而2010年略低于2400萬(wàn)美元，2010-2015年的復(fù)合年度增長(zhǎng)率高達(dá)120%。預(yù)計(jì)今年增長(zhǎng)率將達(dá)到三位數(shù)，而且這種趨勢(shì)將保持到2013年，凸顯
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以碳納米管取代銅　TSV芯片效能更好

　　來(lái)自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來(lái)填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會(huì)比銅來(lái)得更好。　　TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會(huì)導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問(wèn)題，因?yàn)殂~遇熱會(huì)比周?chē)墓璨牧吓蛎浉唷? 　　「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
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Crocus與中芯國(guó)際簽署技術(shù)開(kāi)發(fā)和晶圓制造協(xié)議

Crocus科技，領(lǐng)先的強(qiáng)化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)商，和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”)，中國(guó)內(nèi)地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正式簽署合作技術(shù)開(kāi)發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將共同開(kāi)發(fā)針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國(guó)際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進(jìn)一步加工。
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際半導(dǎo)體 CMOS

Aptina推出原裝1080p片上系統(tǒng)解決方案

面向全球最受歡迎的消費(fèi)電子制造商提供CMOS成像解決方案的領(lǐng)先提供商Aptina今天宣布推出AS0260 SOC(片上系統(tǒng))成像解決方案。這一200萬(wàn)像素的原裝1080p SOC可提供出色的性能并能滿(mǎn)足以視頻為中心的消費(fèi)電子市場(chǎng)中超薄全高清視頻應(yīng)用嚴(yán)格的尺寸要求(z-高度不超過(guò)3.5mm)。
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淺析愛(ài)普科斯抗電磁干擾MEMS麥克風(fēng)解決方案

MEMS麥克風(fēng)改善音質(zhì)尺寸小，性能優(yōu)越來(lái)越多的移動(dòng)設(shè)備，如手機(jī)、耳機(jī)、相機(jī)和MP3，采用了先進(jìn)的降噪技術(shù)，以消除背景音，提高聲音質(zhì)量。要使這種先進(jìn)技術(shù)付諸實(shí)施，所采用的多個(gè)麥克風(fēng)不僅需具有抗射頻和電磁干擾的能
關(guān)鍵字：麥克風(fēng) 解決方案 MEMS 干擾科斯電磁淺析

場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
關(guān)鍵字： CMOS 場(chǎng)效應(yīng)管集成電路焊接

CMOS工藝PMOS壓控變?nèi)萏匦匝芯?/a>

1.2 PMOS的變?nèi)莨苓B接及其壓控特性分析　　圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯 ...

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降低MEMS設(shè)計(jì)方法

鑒于MEMS工藝源自光刻微電子工藝，所以人們很自然會(huì)考慮用IC設(shè)計(jì)工具來(lái)創(chuàng)建MEMS器件的掩膜。然而，IC設(shè)計(jì)與MEMS設(shè)計(jì)之間存在著根本的區(qū)別，從版圖特性、驗(yàn)證或仿真類(lèi)型，到最重要的構(gòu)造問(wèn)題。盡管針對(duì)MEMS設(shè)計(jì)的
關(guān)鍵字： MEMS 設(shè)計(jì)方法