cmos-mems 文章進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)

豪威“中國(guó)化”對(duì)圖像傳感器行業(yè)有何影響？

　　2015年對(duì)CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業(yè)來說，是變動(dòng)比較大的一年。Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱Yole)的報(bào)告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動(dòng)向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場(chǎng)今年將達(dá)到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和業(yè)績(jī)出色的蘋果產(chǎn)品戰(zhàn)略而實(shí)施的產(chǎn)能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場(chǎng)份額，有在整個(gè)智能手機(jī)行業(yè)獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷之勢(shì)。　　而索尼的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)
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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設(shè)計(jì)

　　當(dāng)前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設(shè)計(jì)技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項(xiàng)技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領(lǐng)域應(yīng)用的序幕。隨著對(duì)微光CMOS圖像傳感器研究的進(jìn)一步深入，在不遠(yuǎn)的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達(dá)到夜視應(yīng)用要求，在微光器件領(lǐng)域占據(jù)重要地位。　　讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測(cè)器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號(hào)處理電路
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針對(duì)多元市場(chǎng) 日廠擴(kuò)大MEMS傳感器研發(fā)

　　日本電子零組件廠從家電轉(zhuǎn)移到手機(jī)與汽車零組件后，積極投入微機(jī)電(MEMS)傳感器研發(fā)，推出各種超小型與高精度的傳感器，擴(kuò)大傳感器的應(yīng)用;隨物聯(lián)網(wǎng)(IoT)概念興起，傳感器在物聯(lián)網(wǎng)社會(huì)中將扮演更重要的角色。　　微機(jī)電傳感器依用途大致可分成二類：一，運(yùn)動(dòng)與方位傳感器，如羅盤功能用地磁傳感器，運(yùn)動(dòng)狀態(tài)用速度與加速度傳感器、傾斜傳感器、陀螺儀等，常用在導(dǎo)航系統(tǒng);二，大氣資料傳感器，如溫度、濕度、壓力傳感器等，除氣象用途外，也可用在醫(yī)療保健又或汽車控制用途。　　北陸電氣工業(yè)(HDK)原本便生產(chǎn)多種傳感器
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風(fēng)雨欲來，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現(xiàn)

　　CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng)，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%?？春么艘簧虣C(jī)，中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。　　CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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2014年全球前十大車用MEMS傳感器供應(yīng)商排名

　　根據(jù)IHS的統(tǒng)計(jì)資料分析，2014年全球車用MEMS市場(chǎng)達(dá)到了26億美元的市場(chǎng)規(guī)模，預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)將以3.4%的復(fù)合年成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng)，在2021年以前達(dá)到34億美元。驅(qū)動(dòng)這一市場(chǎng)成長(zhǎng)的主要來源在于壓力感測(cè)器、流量感測(cè)器、陀螺儀與加速度計(jì)等4大領(lǐng)域。　　IHS表示，2014年MEMS供應(yīng)商藉由汽車安全市場(chǎng)的推動(dòng)，實(shí)現(xiàn)了汽車領(lǐng)域的營(yíng)收新記錄。各國(guó)政府對(duì)于電子穩(wěn)定控制(ESC)和胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)(TPMS)的強(qiáng)制性要求，持續(xù)推動(dòng)汽車中使用的感測(cè)器數(shù)量增加。　　除了壓力感測(cè)器、流量感測(cè)器、陀螺儀與
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【展會(huì)動(dòng)態(tài)】ICChina 2015設(shè)立MEMS展區(qū)，應(yīng)邀參加中半?yún)f(xié)MEMS分會(huì)年會(huì)

　　2015年6月18日，ICChina2015組委會(huì)受邀參加中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)MEMS分會(huì)市場(chǎng)年會(huì)——在風(fēng)景優(yōu)美的蘇州隆重舉行，到場(chǎng)的嘉賓和觀眾包括了制造封裝企業(yè)、MEMS傳感器設(shè)計(jì)廠商、方案廠商和系統(tǒng)應(yīng)用廠商的企業(yè)高層，會(huì)場(chǎng)座無虛席，觀眾熱情高漲。　　ICChina主辦方、中半?yún)f(xié)副理事長(zhǎng)陳賢在MEMS分會(huì)年會(huì)致辭中宏觀講述了國(guó)家十三五MEMS規(guī)劃，并提出要突出產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)研發(fā)工作。在MEMS舉辦年會(huì)期間，陳賢副理事長(zhǎng)向與會(huì)嘉賓特別推薦第十三屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)(IC
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CMOS影像傳感器市場(chǎng)釀重整，汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機(jī)浮現(xiàn)

　　CMOS影像感測(cè)器(CIS)市場(chǎng)近年因智慧型手機(jī)大幅成長(zhǎng)，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應(yīng)用推助下持續(xù)向上攀升，預(yù)期2014～2020年復(fù)合年均成長(zhǎng)率將高達(dá)10.6%。看好此一商機(jī)，中小型CIS晶片商正競(jìng)相展開技術(shù)布局，期進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。　　CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor, CIS)市場(chǎng)即將風(fēng)云變色，眾家廠商為卡位新商機(jī)，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機(jī)雖占現(xiàn)今CIS市場(chǎng)應(yīng)用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應(yīng)用需求已
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“中芯國(guó)際”大力研發(fā)下一代CMOS邏輯工藝

　　近日，中國(guó)內(nèi)地集成電路晶圓代工企業(yè)—中芯國(guó)際集成電路制造有限公司，與全球領(lǐng)先的信息和通信解決方案供應(yīng)商華為、微電子研究中心之一比利時(shí)微電子研究中心(imec)、國(guó)際無晶圓半導(dǎo)體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。　　中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司由中芯國(guó)際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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IBM以標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程打造三五族FinFET

　　整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制程技術(shù)來達(dá)成以上目標(biāo)。　　上個(gè)月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現(xiàn)在該公司有另一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法，采用標(biāo)準(zhǔn)塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實(shí)其可行性。　　IBMResearch先進(jìn)功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
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樓氏電子推出市場(chǎng)上最小、最高效且具有I2S接口的數(shù)字 MEMS 麥克風(fēng)

　　全球領(lǐng)先的微型聲學(xué)解決方案及元件供應(yīng)商樓氏的電子(Knowles Corporation)，近日宣布推出最先進(jìn)的集成電路內(nèi)置音頻總線(Inter-IC Sound或I²S)接口MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))麥克風(fēng)，用于可穿戴設(shè)備、遠(yuǎn)程控制器、汽車以及智能家庭自動(dòng)化和安全設(shè)備等領(lǐng)域。　　樓氏電子所推出的解決方案在尺寸和功耗方面擁有卓越的優(yōu)越性，與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，其封裝尺寸縮小了25%，電流消耗降低40%。通過使用此I²S接口，這款底部接口數(shù)字 MEMS 的麥克風(fēng)可讓制造商能夠直接與應(yīng)用程序
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Fairchild 推出MEMS產(chǎn)品系列，引入了采用高性能九軸傳感器融合的智能 IMU

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 FIS1100 六軸 MEMS 慣性測(cè)量裝置 (IMU)，是公司戰(zhàn)略投資MEMS和運(yùn)動(dòng)跟蹤技術(shù)以來推出的首MEMS 產(chǎn)品。FIS1100 IMU 集成了專有的 AttitudeEngine 運(yùn)動(dòng)處理器以及業(yè)界最佳的九軸傳感器融合算法，為設(shè)計(jì)人員提供易于實(shí)施的系統(tǒng)級(jí)解決方案，具有卓越的用戶體驗(yàn)，低至十分之一的處理功耗，廣泛應(yīng)用于支持運(yùn)動(dòng)、采用電池供電的應(yīng)用中。　　Fairchild 董事長(zhǎng)和首席執(zhí)行官 Mark Thompson
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圖解索尼CMOS圖像傳感器的神奇之處

　　毫無疑問，索尼是2014年全球感光元件銷售的大贏家，市場(chǎng)占有率達(dá)到了40%，而他們剛剛推出A7R II更是首款搭載背照式CMOS的全畫幅相機(jī)。其圖像傳感器技術(shù)已大幅領(lǐng)先。但“大法”傳感器到底有何厲害?他們是怎樣發(fā)展出現(xiàn)在的技術(shù)?FRAMOS Technologies Inc.技術(shù)專家Darren Bessette使用一系列圖文講述了索尼六代圖像傳感器進(jìn)化史。
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有關(guān)混合信號(hào)的技術(shù)方案及應(yīng)用文獻(xiàn)，包括示波器、信號(hào)調(diào)節(jié)器等

　　混合信號(hào)，一種說法是未來的系統(tǒng)將是大型的混合信號(hào)系統(tǒng)，它所占的比例將會(huì)增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片，將來的ASICs會(huì)用到多達(dá)一千五百萬個(gè)邏輯們，而類比和混合信號(hào)電路將會(huì)被留在晶片之外。　　RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué) 　　設(shè)計(jì)和生產(chǎn)混合信號(hào)IC不是件易事，尤其是包含RF功能時(shí)尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨(dú)立的模擬和分立IC市場(chǎng)，是因?yàn)槟M與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個(gè)簡(jiǎn)單、明了的過程。模擬和RF設(shè)計(jì)一直被認(rèn)為是&l
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2015 MEMS傳感器創(chuàng)新技術(shù)與智慧家庭應(yīng)用對(duì)接峰會(huì)

　　6月18日，"2015年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)MEMS分會(huì)市場(chǎng)年會(huì)暨2015 MEMS傳感器創(chuàng)新技術(shù)與可穿戴、智慧家庭應(yīng)用對(duì)接峰會(huì)"將在蘇州召開。本次年會(huì)是國(guó)內(nèi)最具權(quán)威性的MEMS產(chǎn)業(yè)高端交流活動(dòng)，屆時(shí)MEMS傳感器設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成與應(yīng)用、制造與封測(cè)、智能硬件、智慧家庭、智慧社區(qū)、產(chǎn)業(yè)服務(wù)機(jī)構(gòu)等上下游企業(yè)將出席本次年會(huì)，齊力探討技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)熱點(diǎn)，促進(jìn)MEMS傳感器創(chuàng)新技術(shù)與智能穿戴/智慧家庭應(yīng)用需求對(duì)接，共同推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展。　　隨著"感知時(shí)代"、萬物互聯(lián)的智能時(shí)
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基于電荷泵改進(jìn)型CMOS模擬開關(guān)電路

　　當(dāng)前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導(dǎo)通電阻，可以通過采用大寬長(zhǎng)比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會(huì)帶來一些不必要的寄生效應(yīng)，比如增大器件的寬度會(huì)增加器件面積進(jìn)而增加?xùn)烹娙荩}沖控制信號(hào)會(huì)通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個(gè)開關(guān)周期其充放電過
關(guān)鍵字： CMOS 模擬開關(guān)