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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-mems

學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的

  • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 　　1、CS單管放大電路 　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法

  • 　　簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。 　　CMOS門電路 　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下
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TTL與CMOS電路的區(qū)別

  • 　　簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。 　　TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級)，負載力大，不用端多數(shù)不用處理。 　　CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負載力小，不用端必須處理。 　　CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 　　CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 　　TTL：
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物聯(lián)網(wǎng)時代，MEMS傳感器發(fā)展面臨更多挑戰(zhàn)

  • 上海微技術(shù)工業(yè)研究院(SITRI)協(xié)辦的第二屆MIG亞洲會議上，全球傳感器巨頭暢談了未來的MEMS傳感器發(fā)展戰(zhàn)略;會后本刊還采訪了其他MEMS廠商，請他們談了關(guān)注的方向。
  • 關(guān)鍵字： MEMS  數(shù)據(jù)分析  物聯(lián)網(wǎng)  DLP  語音控制  201510  

MEMS傳感器，左右可穿戴設(shè)備的設(shè)計走向的中樞

  • 　　剛剛在上海閉幕的MIG大會，這次MEMS行業(yè)標桿型的會議首次在中國召開。這次大會無疑為中國MEMS市場的蓬勃前景又注射了一針強心劑。為期三天的會議針對MEMS全行業(yè)包括設(shè)計，生產(chǎn)，加工，終端等不同企業(yè)進行了全面的展示。在中國這樣一個電子消費品大國，MEMS傳感器的需求量不言而喻。其中，越來越多的份額被可穿戴設(shè)備以及物聯(lián)網(wǎng)等非傳統(tǒng)消費電子類產(chǎn)品所占有。 　　ADI亞太區(qū)微機電產(chǎn)品市場和應(yīng)用經(jīng)理 趙延輝 　　MEMS傳感器在可穿戴設(shè)備上的應(yīng)用設(shè)計與傳統(tǒng)的手機等終端的應(yīng)用設(shè)計有著不同的側(cè)重點。對于這
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理

  • 　　一、CMOS門電路 　　CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下方法： 　　1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
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我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)（3）

  • 　　簡介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 　　1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程，這個過程越長，說明它的動態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣! 　　2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來，這樣
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學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的

  • 　　1、CS單管放大電路 　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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MEMS傳感器的未來在哪里？ 聽業(yè)界大佬怎么說

  • 　　點按手環(huán)關(guān)閉鬧鐘，打開手機APP看看昨晚的睡眠狀態(tài)，這是每天伴隨筆者的起床動作。整個過程中，智能手機、可穿戴產(chǎn)品都包含單個或多個傳感器，正如聯(lián)芯科技總裁錢國良在MIG亞洲大會上講道，“傳感器已無處不在!” 　　拿蘋果iPhone 6為例，在全部76個芯片中，光MEMS產(chǎn)品有15-16個，占比約19%，隨著更多傳感器的應(yīng)用，這一比例仍在持續(xù)上升。在追逐萬物互聯(lián)，智能生活的今天，傳感器的發(fā)展變化將成為物聯(lián)網(wǎng)時代“智能化”的關(guān)鍵因素。作為傳感器芯片領(lǐng)域的&l
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兩岸半導(dǎo)體大軍全面搶灘　MEMS傳感器戰(zhàn)況急升溫

  • 　　過去在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直坐冷板凳的感測芯片，近期在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下全面翻紅，除了既有國際大廠持續(xù)鯨吞全球微機電系統(tǒng)(MEMS)感測芯片市場版圖，大陸MEMS感測芯片設(shè)計業(yè)者亦如雨后春筍般冒出，并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機行列，臺積電亦不遑多讓，企圖打破國際IDM大廠獨霸局面，透過轉(zhuǎn)投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力沖刺感測器事業(yè)。 　　目前全球MEMS感測器商機主要被Bosch、意法半導(dǎo)體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨占，在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下，ME
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兩岸半導(dǎo)體大軍全面搶灘 MEMS傳感器戰(zhàn)況急升溫

  • 　　過去在半導(dǎo)體領(lǐng)域一直坐冷板凳的感測芯片，近期在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下全面翻紅，除了既有國際大廠持續(xù)鯨吞全球微機電系統(tǒng)(MEMS)感測芯片市場版圖，大陸MEMS感測芯片設(shè)計業(yè)者亦如雨后春筍般冒出，并吸引大陸上海市政府、中芯國際等加入蠶食商機行列，臺積電亦不遑多讓，企圖打破國際IDM大廠獨霸局面，透過轉(zhuǎn)投資矽立(mCube)及扶植InvenSense等外商，全力沖刺感測器事業(yè)。 　　目前全球MEMS感測器商機主要被Bosch、意法半導(dǎo)體(STM)、Freescale等IDM大廠所獨占，在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用加持下，ME
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應(yīng)用材料：MEMS市場的爆發(fā)促使200mm市場持續(xù)增長

  • 　　日前在上海舉辦的第二屆MIG亞洲會議上，Yole Développement調(diào)查數(shù)據(jù)指出，從2000年到2020年間，MEMS市場將保持20年的連續(xù)增長，MEMS產(chǎn)品的市場規(guī)模將在2020年超過250億美元，是2000年的5倍。MEMS傳感器市場的爆發(fā)，將成為帶動物聯(lián)網(wǎng)市場前進的重要因素。 　　   　　站在半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的最上游，也許我們能夠更清楚地看出MEMS市場的發(fā)展方向，集微網(wǎng)與全球最大的半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商美國應(yīng)用材料公司的兩位專家，戰(zhàn)略和技術(shù)營銷總監(jiān)Miche
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萬物感測時代來臨　全球IC設(shè)計大廠爭赴大陸挖商機

  • 　　大陸即將成為全球手機OEM廠微機電(MEMS)感測器最大采購者，引發(fā)許多新創(chuàng)的MEMS感測器設(shè)計公司切入主流三軸感測器市場，為卡位大陸感測器市場商機，并打造物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、巨量資料(Big Data)最底端的感測器基礎(chǔ)。 　　其中國際大廠Bosch、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)、飛思卡爾(Freescale)、應(yīng)美盛(InvenSense)等相爭赴大陸挖商機，臺積電、中芯半導(dǎo)體，以及應(yīng)用材料(Applied Materials)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、EVG等設(shè)備大廠也不缺
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TTL和CMOS電平總結(jié)

  • 　　簡介：本文總結(jié)了TTL和CMOS電平的特點、使用方式等內(nèi)容 。 　　1，TTL電平(什么是TTL電平)： 　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。 　　特點： 　　1.CMOS是場效應(yīng)管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成 　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作 　　3.CMOS的高
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錢國良：IoT時代促使mems產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長

  • 　　2015年9月10日，大唐電信執(zhí)行副總裁、大唐半導(dǎo)體兼聯(lián)芯科技總經(jīng)理錢國良受邀參加在上海舉辦的MIG亞洲會議“2015 MIG Asia”，并帶來《聯(lián)接信息世界 用心豐富生活》的主題演講。錢總表示，IoT時代的到來促使MEMS產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)爆發(fā)式的增長。 　　2008年之前，汽車是MEMS主要應(yīng)用市場，08年之后，智能手機、智能終端等日漸涌現(xiàn)并占領(lǐng)MEMS主流市場，目前年產(chǎn)量過10億臺。未來，隨著智能化的進一步發(fā)展，各種新興應(yīng)用如可穿戴設(shè)備、智能家居及工業(yè)4.0等將為MEMS提供更
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