cmos-ldo 文章進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)

超高速0.18μm CMOS復(fù)接器集成電路設(shè)計(jì)

CMOS工藝具有價(jià)格便宜、集成度高、功耗低的特點(diǎn)。隨著CMOS工藝的發(fā)展，器件特征頻率大幅提高，采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)超高速集成電路成為可能。本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計(jì)的單片集成超高速4：1復(fù)接器。
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凌力爾特推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080

　　凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出 1.1A 3 端子 LDO LT3080，該器件可以輕松并聯(lián)以散布熱量，并可用單個(gè)電阻器調(diào)節(jié)。這種新型架構(gòu)穩(wěn)壓器采用電流基準(zhǔn)，允許以一小段印刷電路板布線作為鎮(zhèn)流器和共用多個(gè)穩(wěn)壓器的電流，從而在所有沒有散熱器的表面貼裝系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)多重放大線性調(diào)節(jié)。　　LT3080 沒有任何折衷地實(shí)現(xiàn)了高性能。該器件具有 1.2V 至 40V 的寬輸入電壓能力，滿負(fù)載時(shí)低壓差電壓僅為 300mV。輸出電壓是可調(diào)的，具有 0V 至 40V 的
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Sipex發(fā)布創(chuàng)新的無旁路電容低噪LDO-SP6260

　　日前，Sipex公司發(fā)布SP6260，一個(gè)用來為射頻系統(tǒng)供電的低噪LDO，該裝置用一個(gè)簡(jiǎn)單的創(chuàng)新電路而不必使用旁路電容，適用于低輸出噪聲要求的應(yīng)用，如手機(jī)和便攜式設(shè)備。　　SP6260在沒有必要的旁路電容時(shí)產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz)，使其成為對(duì)電路板空間的要求最小的LDO穩(wěn)壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA，而靜態(tài)電流僅為25uA，從而最大化電池壽命。　　此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比，進(jìn)而隔絕與其它應(yīng)用電路間的噪聲
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Sipex發(fā)布新型無旁路電容低噪LDO

Sipex公司公布SP6260，一個(gè)用來為射頻系統(tǒng)供電的低噪LDO，該裝置用一個(gè)簡(jiǎn)單的創(chuàng)新電路而不必使用旁路電容，適用于低輸出噪聲要求的應(yīng)用，如手機(jī)和便攜式設(shè)備。　　SP6260在沒有必要的旁路電容時(shí)產(chǎn)生最小輸出噪聲30uvm為(10kHz-100khz)，使其成為對(duì)電路板空間的要求最小的LDO穩(wěn)壓器。其最小壓差為150mv@ 100mA,關(guān)閉電流0.1uA，而靜態(tài)電流僅為25uA，從而最大化電池壽命。　　此外,SP6260還具有出色的70dB的電源抑制比，進(jìn)而隔絕與其它應(yīng)用電路間的噪聲干擾
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面向高要求應(yīng)用的先進(jìn)技術(shù)和新型LDO功能

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案

　　富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會(huì)社、富士通微電子美國(guó)公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號(hào)專業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合，使兩家公司能夠?yàn)镾oC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進(jìn)的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
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低電壓CMOS運(yùn)算放大器輸入級(jí)的研究

近年來，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長(zhǎng)電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個(gè)系統(tǒng)同時(shí)封裝和制造在一個(gè)芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對(duì)數(shù)字集成電路，也同樣針對(duì)于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開關(guān)狀態(tài)，通過合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對(duì)于模擬集成電路，由于場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
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高效電荷泵，將5V電壓轉(zhuǎn)換為3.3V

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TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器（P30）升級(jí)

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凌力爾特推出微功率 LDO LT3009

　　凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出微功率 LDO LT3009，該器件具有僅為 3uA 的超低靜態(tài)電流。LT3009 還具有僅為 280mV 的低壓差，提供高達(dá) 20mA 的輸出電流，并具有 1.6V 至 20V 的寬 VIN 范圍和 0.6V 至 19.5V 的可調(diào)輸出。在整個(gè)電壓、負(fù)載和溫度范圍內(nèi)，輸出容限嚴(yán)格調(diào)節(jié)在
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一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路

在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對(duì)于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡(jiǎn)單、實(shí)用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時(shí)，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電
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CMOS在大范圍醫(yī)療及其他新型圖形傳感器應(yīng)用中贏得市場(chǎng)

目前，傳統(tǒng)的電荷耦合設(shè)備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿足工業(yè)及專業(yè)圖像抓?。╥mage capture）應(yīng)用的需要。基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現(xiàn)出的易集成性在醫(yī)用電子產(chǎn)品行業(yè)中開創(chuàng)出了一個(gè)全新領(lǐng)域，為用戶提供了更多選擇。從CCD到CMOS：大勢(shì)所趨在過去三十年左右的時(shí)間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉(zhuǎn)換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數(shù)據(jù)的串行傳輸。為
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嵌入式CMOS成像器速度全息數(shù)據(jù)檢索

過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開發(fā)受到限制?，F(xiàn)在，已經(jīng)進(jìn)入消費(fèi)類屏幕市場(chǎng)的數(shù)字微鏡設(shè)備以及用于高速機(jī)器視覺應(yīng)用、基于CMOS的有源像素探測(cè)器陣列將使這種狀況得以改觀。舉例來說，由于微鏡設(shè)備可被有效地用作空間光調(diào)制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用來讀取全息媒體中包含的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在傳統(tǒng)光學(xué)存儲(chǔ)設(shè)備中，數(shù)
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用于通用X射線應(yīng)用的晶圓級(jí)有源像素CMOS圖像傳感器

摘要: 本文以使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)和有源像素架構(gòu)的CMOS有源像素傳感器為研究對(duì)象。該傳感器專為X射線成像系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，具有噪聲低和感光度高等特點(diǎn)。這種傳感器已使用標(biāo)準(zhǔn)0.35μm技術(shù)和8″晶圓得到生產(chǎn)。傳感器分辨率為每40 x 40μm2 面積3360 x 3348像素。其對(duì)角長(zhǎng)度略大于190mm。本文對(duì)傳感器的圖紙?jiān)O(shè)計(jì)、拼接圖和已得到開發(fā)的電子光學(xué)性能進(jìn)行了論述。 &nbs
關(guān)鍵字： CMOS X射線電源技術(shù) 晶圓級(jí) 模擬技術(shù) 圖像傳感器有源像素其他IC 制程設(shè)備診斷類

具超乎想象的小尺寸TPS7510x型LDO白光LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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