近年來，隨著CMOS工藝技術的不斷改進，CMOS傳感器的應用范圍也越來越廣泛，包括數(shù)碼相機、電腦攝像頭、視頻電話、手機、視頻會議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達、玩具，以及工業(yè)、醫(yī)療等應有盡有。實際上，CMOS
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CMOS 圖像 傳感器 方案 半導體 安森美 工業(yè) 醫(yī)療 應用
東芝在半導體業(yè)務中提出了新戰(zhàn)略。東芝計劃將把瞄準全球份額首位的NAND閃存業(yè)務實力，應用于其他半導體業(yè)務。具體做法是在分離式半導體業(yè)務、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務、以及與硬盤業(yè)務進行了整合的存儲產品業(yè)務中，應用在存儲器業(yè)務中積累的制造技術實力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務之后的又一支柱業(yè)務。東芝執(zhí)行董事高級常務、東芝半導體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。
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東芝 CMOS 傳感器
摘要：分析了Gilbert結構有源雙平衡混頻器的工作機理，以及混頻器的轉換增益、線性度與跨導、CMOS溝道尺寸等相關電路參數(shù)間的關系，并據(jù)此使用ADS軟件進行設計及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25mu;m CMOS工藝，射頻信號為2．
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設計 平衡 CMOS ADS 采用
1 引言 鋰電池產品以高能量密度、長循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場很大份額。然而，鋰電池產品在充放電過程中的過充電、過放電、放電過電流及其它異常狀態(tài)(例如
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保護 電路設計 電池 聚合物 CMOS 工藝 基于
為數(shù)億部數(shù)碼相機提供SOC解決方案的全球領先供應商卓然公司﹝納斯達克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機處理器平臺可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機。
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卓然 CMOS COACH 14
手機高級功率放大器解決方案的新領軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經濟的高性能模塊。利用體效應互補金屬氧化物半導體工藝自身的可擴展性，AdaptiveRF 體系結構可融合高度集成的派生功能，包括交換機和復合濾波器，可不斷大幅降低前端產品的成本、體積和功耗。
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Amalfi CMOS
CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術，它們產生于不同的制造工藝背景，就當前技術言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術，便能使圖像監(jiān)控達到預期的效果。另外，還可看到，C
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分析 技術 主要 CMOS CCD
摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設計方案，使用CMOS工藝設計了兩級全差分放大電路，在此基礎上設計輸入輸出匹配網絡
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
摘要：傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案，利用二級管PN結具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結果。
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仿真 分析 電壓 基準 CMOS
艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術領導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內最新BSIM-IMG模型的應用情況。
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艾克賽利 CMOS
摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
圖1中電路會根據(jù)一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發(fā)生器，一個差分脈沖轉換器，一個繼電器驅動器，以及一個繼電器線圈?！ ∷矂娱_關提供驅動電路的步進電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
摘要：設計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網絡在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復雜補償
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穩(wěn)壓器 設計 線性 LDO 成型 CMOS 全集
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