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單片機FLASH與RAM、ROM的關系

  • 單片機FLASH與RAM、ROM的關系- 單片機FLASH主要用作程序存貯器,就是替代以前的ROM,最大的有有點是降低了芯片的成本并且可以做到電擦寫。
  • 關鍵字： 單片機  RAM  ROM  

手機需要多大RAM才夠用？看完結果恍然大悟

  • 手機需要多大RAM才夠用？看完結果恍然大悟-RAM對性能的影響是非常巨大的，包括標準（DDR3或DDR4）容量、帶寬等等，目前至少8GB RAM對PC來說是非?；A的。雖然硬件結構并不完全相同，但智能手機RAM也越來越大，甚至達到了6GB，那么這究竟是必要的、還是矯枉過正的噱頭呢？
  • 關鍵字： RAM  

DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

  • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區(qū)別
  • 關鍵字： DRAM  NAND  RAM  

3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM(4)

  • 3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM(4)-前面講了分布式RAM的方方面面，下面以RAM_16S為例，分別給出其在VHDL和Verilog HDL下面的模板代碼（在ISE Project Navigator中選擇 Edit--- Language Templates，然后選擇VHDL 或者Verilog, 最后是Synthesis Templates --- RAM，在中也有具體調(diào)用過程的描述）
  • 關鍵字： FPGA  LUT  RAM  

3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM（3）

  • 3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM（3）-前面簡要介紹了Spartan-3系列FPGA中分布式RAM的基本特性。為什么不從更高級的Virtex系列入手呢？我仔細看了一下各個系列的介紹、對比，Spartan系列基本就是Virtex系列的精簡版，其基本原理是一樣的，所以從簡單的入手來融會貫通未嘗不是一個好辦法。
  • 關鍵字： FPGA  LUT  RAM  

3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM（1）

  • 3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM（1）-在賽靈思Spartan-3、3E等系列的FPGA中，其邏輯單元CLB中一般含有不同數(shù)量的單端口RAM（SRAM）或者雙端口RAM（DRAM），這里的“單”或者“雙”是由我們開發(fā)人員定義的。
  • 關鍵字： FPGA  LUT  RAM  

3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM（2）

  • 3系列FPGA中使用LUT構建分布式RAM（2）-帶有異步寫/同步讀的SRAM，其中的同步讀取可以使用與分布式RAM相關聯(lián)的觸發(fā)器實現(xiàn)。
  • 關鍵字： FPGA  LUT  RAM  

6系列FPGA中使用塊RAM的心得(4)

  • 6系列FPGA中使用塊RAM的心得(4)-然后調(diào)用sinplify，對其進行綜合，結果很不順利。首先是synplify報不支持器件，才發(fā)現(xiàn)synplify 9.6.2是2008年的產(chǎn)品，比Spartan6器件還要老。更新到Synplify Pro D-2010.03之后，器件是支持了，但是一綜合就報錯停止了，卻不提示有什么錯誤。
  • 關鍵字： FPGA  RAM  

詳細解讀Zynq的三種啟動方式(JTAG,SD,QSPI)

  • 詳細解讀Zynq的三種啟動方式(JTAG,SD,QSPI)-本文介紹zynq上三種方式啟動文件的生成和注意事項，包括只用片上RAM（OCM）和使用DDR3兩種情況。 JTAG方式 JTAG方式是調(diào)試中最常用的方式，在SDK中 在“Project Explorer”窗口工程上右鍵->Debug As->Debug Configurations可以看到以下窗口 首次打開左邊窗口中Xilinx C/C++ application(GDB)下沒有子項，這時雙擊Xilinx C/C++ application(GD
  • 關鍵字： Xilinx  RAM  

機床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設計

  • 機床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設計-在機床數(shù)控系統(tǒng)中，電氣設備的控制占有重要的地位。目前，一般采用可編程控制器（PLC）進行機床電氣控制。PLC可靠性高，使用方便，對于復雜的，控制點數(shù)較多的應用場合，可以在PLC基本單元外加上一定數(shù)目的擴展單元，實現(xiàn)復雜的電氣控制功能。
  • 關鍵字： plc  ram  機床數(shù)控系統(tǒng)  

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識

  • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識-如果有幾個設置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結構體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
  • 關鍵字： ram  flash  源代碼  

簡述開發(fā)更高可靠性的嵌入式系統(tǒng)技巧

  • 簡述開發(fā)更高可靠性的嵌入式系統(tǒng)技巧-就像很遙遠年代的人們思想還很保守，固守著自己一方凈土獨享著一份安逸?？傉J為天圓地方一直在平淡而充實的生活，又好似紅樓夢中的劉姥姥走進大觀園看得眼花繚亂。
  • 關鍵字： 嵌入式  rom  ram  

行車記錄儀中的RAM存儲，你了解多少？

  • 行車記錄儀中的RAM存儲，你了解多少？-作為FRAM（鐵電存儲器）產(chǎn)品與技術的全球領先提供商，富士通電子的FRAM產(chǎn)品廣泛應用于計量、RFID、醫(yī)療電子、工業(yè)……其實，F(xiàn)RAM還可在大多數(shù)汽車子系統(tǒng)中用于非易失性數(shù)據(jù)記錄，如智能安全氣囊、穩(wěn)定控制、動力傳動機構、儀表盤儀表、電池管理、發(fā)動機控制和娛樂信息節(jié)目應用，且能夠承受更高級別的溫度范圍。
  • 關鍵字： 行車記錄儀  ram  

【E問E答】聽說華為3GRAM比其他廠商4GB還要流暢，是真的嗎？

  • 　　近期，筆者在網(wǎng)上看到一篇關于華為在中國互聯(lián)網(wǎng)大會的發(fā)言，并也有人傳言稱華為的3GB運存比其他廠商的4GB還要流暢。 　　筆者先做個普及，RAM也就是運行內(nèi)存指的是運行程序的內(nèi)存，由于開的應用占得比例是固定的，要想在多開應用下減少運行內(nèi)存只能靠縮減應用程序來實行，當下做的最好的是Flyme，在小運存的手機產(chǎn)品上卻能做到單一應用的效果。 　　那么有人會說那華為是在吹嗎?不可否認也有一定的成份，畢竟在相同的效果下壓縮其他程序達到短暫的流暢雖然可以但在實際運用中想要超過多出1個G的產(chǎn)品顯然有些不切實際
  • 關鍵字： 華為  RAM  

【E問E答】單片機RAM測試故障方法有幾種？

  • 　　在各種單片機應用系統(tǒng)中，芯片存儲器的正常與否直接關系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對系統(tǒng)的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對性地介紹了幾種常用的單片機系統(tǒng)RAM測試方法，并在其基礎上提出了一種基于種子和逐位倒轉的RAM故障測試方法?！　∫?、 RAM測試方法回顧　　方法1：一種測試系統(tǒng)RAM的方法是分兩步來檢查，先后向整個數(shù)據(jù)區(qū)送入#00H和#FFH，再先后讀出進行比較，若不一樣，則說明出錯?！　》椒?：方法1并不
  • 關鍵字： 單片機  RAM  
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