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英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進電源應用

  • 英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產品系列的后續(xù)產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管，適用于服務器和工業(yè)開關模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。這些元件采
  • 關鍵字： 英飛凌  oolMOS 8  SJ  MOSFET  電源應用  

全力以赴抗疫情 開足馬力促生產——華虹二廠投入再創(chuàng)新高

  • 基于國內外大客戶對高端功率半導體器件的旺盛需求，特別是超級結產品(SJ)和絕緣柵雙極型器件(IGBT)的應用，華虹集團旗下華虹二廠在2020年1月的投入再創(chuàng)新高，光刻層數達到了48萬！生產線在年度動力檢修后已滿負荷運行，在1月也取得了出貨6.12萬片晶圓的佳績！
  • 關鍵字： 半導體  IGBT  SJ  華虹  

SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
  • 關鍵字： SJ-MOS  VDMOS  

SJ-LDMOST中的襯底輔助耗盡效應

  • 本文分析了SJ-LDMOST中襯底輔助耗盡效應的產生機理。文中將業(yè)界消除襯底輔助耗盡效應的主要方法分成兩類，并提出消除襯底輔助耗盡效應的途徑
  • 關鍵字： SJ-LDMOST  功率集成電路  201112  
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