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NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應用環(huán)境的廣泛性，復雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求，需要閃存設備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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臺二線封測廠營運展望漸入佳境車用電子NORFlash需求熱絡

  • 　　2017年臺系半導體封測產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)營運逐季升溫趨勢，封測業(yè)者表示，在最大宗的移動通訊應用領(lǐng)域，由于iPhone新品姍姍來遲，加上臺系IC設計大廠聯(lián)發(fā)科等調(diào)整戰(zhàn)略，以及整合面板觸控IC(TDDIIC)等新品第4季量能才大增，能夠守穩(wěn)功率元件如MOSFET、PMIC、車用MCU、NORFlash、DRAM、MEMS傳感器、CMOS傳感器的二線封測廠如欣銓、捷敏、華東、矽格、逸昌、菱生等，營運表現(xiàn)相對于一線業(yè)者更為突出，而臺積電旗下精材、鴻海旗下訊芯，則是市場看好未來營運具有轉(zhuǎn)機的潛力業(yè)者。 　　半導體業(yè)者
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大容量存儲的NOR FLASH的原理及應用

  • VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并同時給出了一個系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設計方案。
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NORFlash與8位單片機的接口設計方法研究

  • 引 言 Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM ...
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NandFlash系列之一：NorFlash與NandFlash對比

  • 　　FLASH存儲器又稱閃存，主要有兩種：NorFlash和NandFlash，下面我們從多個角度來對比介紹一下。在實際開發(fā)中，設 ...
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大容量NORFlash與8位單片機的接口設計

  • 引 言Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一
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NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā)

  • NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
    隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展，其應用環(huán)境的廣泛性，復雜性對構(gòu)建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求，需要閃存設備傳輸速度更快，體積更小，容量更大，穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
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在WinCE下，應用程序直接讀/寫/擦除flash設備的方法

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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共8條 1/1 1

norflash介紹

NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在： 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內(nèi)偏移。應用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小，一般是8KB，然后每塊又分成頁，頁 [ 查看詳細 ]

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