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NORFlash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)方法研究

作者: 時(shí)間:2014-01-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

引 言

Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器,是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn),既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。

是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種,與其他種類的Flash存儲(chǔ)器相比具有以下優(yōu)勢:可靠性高、隨機(jī)讀取速度快,可以單字節(jié)或單字編程,允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片和MCS-51單片機(jī)為例,針對大容量在8位低檔單片機(jī)中應(yīng)用的特殊性,詳細(xì)介紹了其接口硬件和接口軟件的設(shè)計(jì)方法。

1 芯片介紹

是SST公司最近推出的一種基于SuperFlash技術(shù)的存儲(chǔ)器,屬于SST公司并行閃速存儲(chǔ)器系列;適用于需要程序在線寫入或大容量、非易失性數(shù)據(jù)重復(fù)存儲(chǔ)的場合。

1.1 芯片內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)和外部引腳

圖1是SST39SF040的內(nèi)部功能結(jié)構(gòu)框圖,由Super-Flash存儲(chǔ)單元、行譯碼器、列譯碼器、地址緩沖與鎖存器、輸入/輸出緩沖和數(shù)據(jù)鎖存器以及控制邏輯電路等部分組成。圖2是其外部引腳分布圖,其中A18~A0為地址線,CE為芯片選通信號,OE可作為讀信號,WE為寫信號,DQ7~DQ0為數(shù)據(jù)線。

單片機(jī)1

單片機(jī)2

1.2 芯片的主要特性

① 容量為512KB,按512K×8位結(jié)構(gòu)組織。

② 采用單一的5V電源供電,編程電源VPP在芯片內(nèi)部產(chǎn)生。

③ 芯片可反復(fù)擦寫100000次,數(shù)據(jù)保存時(shí)間為100年。

④ 工作電流典型值為10mA,待機(jī)電流典型值為30μA。

⑤ 扇區(qū)結(jié)構(gòu):扇區(qū)大小統(tǒng)一為4KB。

⑥ 讀取、擦除和字節(jié)編程時(shí)間的典型值:數(shù)據(jù)讀取時(shí)間為45~70 ns;扇區(qū)擦除時(shí)間為18ms,整片擦除時(shí)間為70ms;字節(jié)編程時(shí)間為14μs。

⑦ 有記錄內(nèi)部擦除操作和編程寫入操作完成與否的狀態(tài)標(biāo)志位。

⑧ 具有硬、軟件數(shù)據(jù)保護(hù)功能。

⑨ 具有地址和數(shù)據(jù)鎖存功能。


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