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英特爾45nm產(chǎn)品在市場(chǎng)漸獲認(rèn)可

  •   2008年1月Intel連續(xù)推出7款45nm桌面處理器,加之在2007年年末推出了Core 2 Extreme高端系列處理器,Intel在2008年年初已經(jīng)基本部署好了45nm平臺(tái)的產(chǎn)品。   然而,2008年的中國(guó)市場(chǎng)并沒(méi)有想象中一帆風(fēng)順,年初和年中的兩場(chǎng)天災(zāi)和國(guó)際經(jīng)濟(jì)的不利因素在一定程度上影響了IT市場(chǎng)的繁榮程度,整體市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力。特別是在計(jì)算機(jī)零配件渠道市場(chǎng),市場(chǎng)規(guī)模明顯呈萎縮趨勢(shì),今年二季度與去年同期相比,cpu市場(chǎng)同比下降了9.3%.二季度是DIY市場(chǎng)的傳統(tǒng)淡季,加之地震災(zāi)害的雙重影響,與
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45nm機(jī)遇、挑戰(zhàn)和新的協(xié)作模型

  •   Altera計(jì)劃2008年推出45nm產(chǎn)品。45nm工藝可以為客戶帶來(lái)價(jià)值,但是提高了廠商進(jìn)入的門(mén)檻,使45nm是重量級(jí)廠商才能玩得起的游戲。45nm使FPGA有更多的機(jī)會(huì)進(jìn)入ASIC領(lǐng)域,因ASIC的開(kāi)發(fā)風(fēng)險(xiǎn)更高。45nm開(kāi)發(fā)的三要素是:選擇正確的合作伙伴;投片的第一個(gè)硅片就可以交付給用戶;IC設(shè)計(jì)和生產(chǎn)緊密合作。   45nm芯片性能更高   從技術(shù)演化圖的發(fā)展可知,十年來(lái),半導(dǎo)體業(yè)每?jī)赡晖瞥鲆粋€(gè)新的工藝節(jié)點(diǎn),這種趨勢(shì)還將繼續(xù)保持著,并向35nm、22nm節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。其背后的驅(qū)動(dòng)力來(lái)自于成本降低
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意法半導(dǎo)體(ST)芯片向先進(jìn)的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級(jí)

  •   意法半導(dǎo)體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項(xiàng)先端技術(shù)對(duì)于下一代無(wú)線局域網(wǎng)(WLAN)應(yīng)用產(chǎn)品至關(guān)重要。   這些系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)是在ST的法國(guó)Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的,原型產(chǎn)品集成了從初級(jí)RF信號(hào)檢測(cè)到下一步信號(hào)處理需要的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進(jìn)的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下,整個(gè)電路僅占用0.45mm2)。   ST的半導(dǎo)體成就歸功于公司開(kāi)發(fā)CM
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2007年12月10日,ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片

  •   2007年12月10日,意法半導(dǎo)體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片。 ?
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45nm用或不用都是個(gè)問(wèn)題

  •   與其說(shuō)45nm剛剛走到我們面前,不如說(shuō)我們已經(jīng)可以準(zhǔn)備迎接32nm工藝時(shí)代,因?yàn)閾?jù)三星存儲(chǔ)合作伙伴透露,今年底或明年初三星將開(kāi)始試產(chǎn)30nm工藝半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片,其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產(chǎn)階段。無(wú)疑,我們只不過(guò)在Intel強(qiáng)大的宣傳攻勢(shì)下,認(rèn)為似乎CPU才是所有半導(dǎo)體的制程工藝的領(lǐng)先者,但也許再向下Intel也會(huì)感到有些力不從心。   當(dāng)然,我們今天討論的重點(diǎn)不是誰(shuí)的制程工藝更先進(jìn),而是要討論45nm究竟該不該采用,亦或準(zhǔn)確的說(shuō)是要不要采用的問(wèn)題。   從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō),45
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采用創(chuàng)新思維,Cadence新工具讓45nm IC量產(chǎn)提速!

  •   45nm節(jié)點(diǎn)被稱為IC設(shè)計(jì)的分水嶺,因?yàn)樵谶@一節(jié)點(diǎn),不僅半導(dǎo)體材料特性、光刻技術(shù)已經(jīng)接近極限,而且EDA工具也要面臨更高層次抽象、創(chuàng)新平臺(tái)、DFM、多電源域等諸多新挑戰(zhàn),針對(duì)這一節(jié)點(diǎn)上的EDA工具開(kāi)發(fā)需要更多創(chuàng)新的思維和策略。因?yàn)樘魬?zhàn)很多,所以業(yè)界人士對(duì)45nm的芯片設(shè)計(jì)和制造未來(lái)憂心忡忡。不過(guò),欣喜的是,在9月11日硅谷的CDNLive!用戶會(huì)議上,Cadence向領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)者和經(jīng)理們展示了自己的45nm設(shè)計(jì)流程。其對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品Cadence Encounter數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)因采用了創(chuàng)新的思維和策
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諸多廠商躋身45nm行列

  •   隨著越來(lái)越多半導(dǎo)體廠商的介入,45nm工藝技術(shù)持續(xù)升溫。特許半導(dǎo)體、IBM、英飛凌和三星四大半導(dǎo)體巨頭日前宣布,已聯(lián)手開(kāi)發(fā)出基于低功耗45nm工藝的首款功能性芯片,并且將目標(biāo)瞄準(zhǔn)下一代通信系統(tǒng)。這四家公司早已就開(kāi)發(fā)90nm、65nm和45nm工藝技術(shù)結(jié)成了最為醒目的聯(lián)盟。     該款芯片由IBM位于紐約州East Fishkill的300mm晶圓廠生產(chǎn)。標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)單元和I/O單元驗(yàn)證模塊由英飛凌提供。     據(jù)該聯(lián)盟成員表示,他們的45n
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最高提升81% 英特爾45nm VS 65nm測(cè)試

  •   次世代x86處理器大戰(zhàn)即將上演,面對(duì)著AMDK10全新微架構(gòu)產(chǎn)品,Intel將以45nm制程配合經(jīng)強(qiáng)化改良的Core微架構(gòu)應(yīng)戰(zhàn),為了不讓對(duì)手重奪技術(shù)主導(dǎo)權(quán),Intel防堵大計(jì)預(yù)將陸續(xù)登場(chǎng)?為進(jìn)一步了解Intel迎擊戰(zhàn)略,HKEPC將分析Intel未來(lái)半年的桌面處理器產(chǎn)品布局,并獨(dú)家找來(lái)全港首顆45nm四核心Yorkfieled,與上代Kensfield作對(duì)比測(cè)試。 ● Intel計(jì)劃于11月11日發(fā)布首款45nm產(chǎn)品        
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制程工藝再次革命 看45nm向65nm的大躍進(jìn)

  •   11月8日消息 英特爾在即將到來(lái)的11月16日會(huì)再次兌現(xiàn)自己偶數(shù)年實(shí)現(xiàn)技術(shù)更新的承諾,而今年的這次的發(fā)布會(huì)更為人們所關(guān)注的原因只在于一個(gè)——將摩爾定律推遲10年甚至是15年成為現(xiàn)實(shí)的45nm制程工藝。   在英特爾的眼中,技術(shù)創(chuàng)新已經(jīng)成為了慣性,05年45nm概念的提出到06年出現(xiàn)的晶圓,再到07年即將展現(xiàn)在人們面前的處理器,創(chuàng)新使得英特爾越走越快。不過(guò)這也令業(yè)界人士困惑:不是剛剛開(kāi)始65nm的鋪貨嗎?而采用兩種制程工藝制造的CPU到底又有多少差距呢?   45nm制程工藝簡(jiǎn)介   多年來(lái)Int
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晶圓設(shè)備商爆料 AMD45nm2009年上馬

  •   雖然說(shuō)AMD已經(jīng)按部就班推進(jìn)自己的45nm制程事業(yè),但是眼看11月11日,Intel投資的三個(gè)45nm制造廠的第一批產(chǎn)品已經(jīng)準(zhǔn)備就緒要上市了,加上財(cái)報(bào)發(fā)布的巨大落差,AMD的好消息似乎沒(méi)幾個(gè)呢。   不過(guò)今天ASML公司的季度電話會(huì)議上一些有趣的信息看來(lái)是AMD的好消息——包括通不同的芯片生產(chǎn)商采用的沉浸光刻技術(shù)制程更迭周期,間接透露了AMD將在2009年開(kāi)始使用更好的沉浸濕法光刻設(shè)備來(lái)制造45nm的芯片。   ASML是一家為全球半導(dǎo)體廠商提供晶圓工廠制造設(shè)備的廠商,ASML首席分析師EricM
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45nm介紹

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