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SEMI中國封測委員會第五次會議聚焦3DIC標準
- 在西安市高新開發(fā)區(qū)管委會大力支持下,SEMI中國封測委員會第五次會議近日在西安成功召開。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁陸郝安與西安高新開發(fā)區(qū)安主任共同為會議致辭,吳凱代表SEMI中國同與會者分享了中國半導(dǎo)體及封測市場現(xiàn)況、SEMI標準制定流程和重要意義、SEMI標準在北美的成功案例等主題報告。經(jīng)過熱烈討論,代表們就3DIC標準的制訂在以下幾個方面達成共識: 一是臺灣和北美對3DIC發(fā)展方向也不明確,中國半導(dǎo)體投資巨大且貼近應(yīng)用市場,有機會趕上歐美先進水平,甚至在特定領(lǐng)域可實現(xiàn)"彎道
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中芯國際成立視覺、傳感器以及3DIC中心
- 中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)宣布成立視覺、傳感器和3DIC中心(簡稱CVS3D)。中芯國際CVS3D整合、強化了中芯國際在硅傳感器、通過硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而MEWP技術(shù)帶動了在CMOS圖像傳感器、MEMS傳感器、三維堆疊設(shè)備,和基于TSV2.5D和3D的高性能系統(tǒng)級封裝(SiP)方面的顯著進步。 半導(dǎo)體行業(yè)正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技術(shù),使系統(tǒng)芯片進一步小型化,同時降低功耗、提高設(shè)備和系統(tǒng)性能。根據(jù)201
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美商Altera公司與TSMC采用CoWoS生產(chǎn)技術(shù)
- 美商Altera公司與TSMC22日宣布,采用TSMC CoWoS生產(chǎn)技術(shù)共同開發(fā)全球首顆能夠整合多元芯片技術(shù)的三維集成電路(Heterogeneous 3DIC)測試芯片,此項創(chuàng)新技術(shù)系將模擬、邏輯及內(nèi)存等各種不同芯片技術(shù)堆棧于單一芯片上組合而成,可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超越摩爾定律的發(fā)展規(guī)范,而TSMC的CoWoS整合生產(chǎn)技術(shù)能夠提供開發(fā)3DIC技術(shù)的半導(dǎo)體公司一套完整的解決方案,包括從前端晶圓制造到后端封裝測試的整合服務(wù)。
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
- 時序即將進入2012年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進行變革,其中3D IC便為未來芯片發(fā)展趨勢,將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā),其中英特爾(Intel)在認為制程技術(shù)將邁入3D下,勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3D IC有機會于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下,預(yù)估2013年也可視為是3D IC量產(chǎn)元年。 3D IC為未來芯片發(fā)展趨勢,其全新架構(gòu)帶來極大改變,英特爾即認為,制程技術(shù)將邁入3D,未來勢必激勵技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實驗室日前便宣布與工研院合作,共同合作開發(fā)3D IC架構(gòu)且具低功耗
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