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3d nand 文章 最新資訊

三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

  • 　　5月13日消息，據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱，它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。 　　
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3D標(biāo)準(zhǔn)列入工信部重點工作

  • 　　工業(yè)和信息化部日前對外公布了2011年標(biāo)準(zhǔn)化重點工作，其中3D電視等標(biāo)準(zhǔn)的制定被列進今年的標(biāo)準(zhǔn)化重點工作。 　　
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NAND Flash大廠積極制程轉(zhuǎn)換

  • 　　2011年全球NAND Flash中，全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭，市占率高達36.2%，緊追在后的是東芝(Toshiba)，市占率達35.1%，兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計，2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%，營收成長9.9%，達53.63億美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當(dāng)多，最大影響當(dāng)屬日本311東北強震，對
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三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

  • 　　據(jù)了解，由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
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單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究

  • 單片型3D芯片集成技術(shù)與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短，但與此同時互聯(lián)電路部分的延遲則會提升。舉例而言，90nm制程晶體管的延遲時間大約在 1.6ps左右，而此時互聯(lián)電路中每1mm長度尺寸的互聯(lián)線路，其延遲時間會
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三星、海力士擴大NAND Flash投資

  • 　　由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  移動設(shè)備  

三星FULL HD全高清3D橫掃中國市場

  • 5月6日-8日，深圳光電顯示周暨中國（國際）彩電節(jié)“CODECTVF2011”在深圳召開，作為專業(yè)顯示器展覽會，三星電子在本...
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美光：未來NAND Flash不求市占率但求低成本

  • 　　由于智能型手機等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長，加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%，美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求，除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能，未來不排除再擴大NAND Flash產(chǎn)能，可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn)，或是啟動新加坡二廠。美光指出，未來NAND Flash策略不追求市占第1，但要做到成本最低。 　　
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4月上旬閃存芯片價格創(chuàng)7個月新高

  • 　　據(jù)韓國媒體報道，內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù)，今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平，一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。 　
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東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

  • 　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。 　
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NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

  • NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程NAND閃存芯片

  • 　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?！?/li>
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NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

  • 　　據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應(yīng)了在上個月日本發(fā)生嚴重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲芯片價格的情況。 　　
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IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

  • 　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機和平板計算機里的儲存裝置可以進一步縮小。 　　
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英特爾和美光IM 廠合約將盡

  • 　　英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)?！　?/li>
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