3d nand 文章進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)

不甘心三星拿下NAND市場最大份額 Intel推出市場最低價(jià)產(chǎn)品

　　三星在手機(jī)市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機(jī)的出貨量成長以及對更大容量的內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。　　目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲(chǔ)器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠(yuǎn)比工藝更高2D NAND技術(shù)數(shù)倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲(chǔ)器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星Q3穩(wěn)居全球NAND市占王，東芝開倒車、被遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開

　　三星憑藉著技術(shù)優(yōu)勢，NAND快閃存儲(chǔ)器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩(wěn)。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，三星第三季NAND存儲(chǔ)器營收來到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)) 　　同期間，東芝NAND存儲(chǔ)器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴(kuò)大至16.8%，此為歷史新高水平。　　剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達(dá)17.1%
關(guān)鍵字：三星 NAND

[ARM筆記]驅(qū)動(dòng)對設(shè)備的識(shí)別過程及實(shí)例——NAND Flash

　　驅(qū)動(dòng)程序識(shí)別設(shè)備時(shí)，有以下兩種方法：　　(1)驅(qū)動(dòng)程序本身帶有設(shè)備信息，比如開始地址、中斷號(hào)等;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，就可以根據(jù)這些信息來識(shí)別設(shè)備?！　?2)驅(qū)動(dòng)程序本身沒有設(shè)備信息，但是內(nèi)核中已經(jīng)(或以后)根據(jù)其他方式確定了很多設(shè)備的信息;加載驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，將驅(qū)動(dòng)程序與這些設(shè)備逐個(gè)比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅(qū)動(dòng)程序與某個(gè)設(shè)備匹配，就可以通過該驅(qū)動(dòng)程序來操作這個(gè)設(shè)備了。　　內(nèi)核常使用第二種方法來識(shí)別設(shè)備，這可以將各種設(shè)備集中在一個(gè)文件中管理，當(dāng)開發(fā)板的配置改變時(shí)，便于修改代碼。在內(nèi)核文件incl
關(guān)鍵字： NAND 驅(qū)動(dòng)

NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆谒募靖黜?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營收
關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾

SSD價(jià)格2016年來首度大漲，明年第一季價(jià)格估將持續(xù)走升

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤)合約均價(jià)近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達(dá)6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實(shí)際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉(zhuǎn)換陣痛期，及龍頭廠商持續(xù)以提升獲利為主要策略下，預(yù)估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價(jià)仍將持
關(guān)鍵字： SSD NAND

GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動(dòng)過程分析

在理解bootloader后,花些時(shí)間重新學(xué)習(xí)了開源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過

大陸存儲(chǔ)器需求進(jìn)展超預(yù)期東芝經(jīng)營壓力暫時(shí)松口氣

　　日本存儲(chǔ)器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機(jī)存儲(chǔ)器因市場需求大，帶動(dòng)價(jià)格上揚(yáng)，2016上半會(huì)計(jì)年度(4~9月)的財(cái)報(bào)也因而受惠，表現(xiàn)亮眼。　　東芝財(cái)務(wù)長平田政善在11日東芝財(cái)報(bào)記者會(huì)上說明，由于大陸智能手機(jī)對于大容量存儲(chǔ)器需求殷切，東芝NAND Flash事業(yè)獲利超出預(yù)期。　　平田表示，在當(dāng)今智能手機(jī)大打硬件規(guī)格戰(zhàn)，競爭激烈的情況下，大陸本土手機(jī)業(yè)者推出的手機(jī)較當(dāng)初預(yù)期更早進(jìn)入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據(jù)日經(jīng)調(diào)查，目前市況單一標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格存儲(chǔ)器約3美元，價(jià)格
關(guān)鍵字：東芝 NAND

SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash

　　據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證，最快將從11月底正式啟動(dòng)量產(chǎn);以12吋晶圓計(jì)算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。　　業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
關(guān)鍵字： SK海力士 NAND

中國半導(dǎo)體市場暢旺東芝再次上調(diào) 2016 上半年獲利預(yù)估

　　根據(jù)彭博社的報(bào)導(dǎo)，受惠于于儲(chǔ)存晶片以及硬碟業(yè)務(wù)的營收成長，加上撙節(jié)計(jì)畫的奏效，日本最大半導(dǎo)體生產(chǎn)公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預(yù)期營業(yè)利益上調(diào) 36%，來到 950 億日圓 (約新臺(tái)幣 285.83 億元 )，似乎已經(jīng)完全走出過去因作假帳所造成的經(jīng)營低潮期。　　根據(jù)報(bào)導(dǎo)，東芝在聲明中表示，除了上調(diào) 2016 年上半年的預(yù)期營業(yè)利益之外，還同時(shí)微幅上調(diào)了上半年的預(yù)期營收，從 2.55 兆日圓上調(diào)至 2.58 兆日圓。根據(jù)彭博社的統(tǒng)計(jì)資料顯示
關(guān)鍵字：東芝 NAND

技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

容量更大、價(jià)格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD

技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

　　慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計(jì)保駕護(hù)航　　以相同的成本，卻能達(dá)到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強(qiáng)力投入，預(yù)告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點(diǎn)。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價(jià)格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價(jià)格性能比，預(yù)期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲(chǔ)存裝置已逐漸接近黃金交叉點(diǎn)，高速大容
關(guān)鍵字： NAND SSD

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)

汽車車載3D技術(shù)應(yīng)用助力實(shí)現(xiàn)安全駕駛

3D并不是什么新技術(shù)，在消費(fèi)電子領(lǐng)域已有廣泛的應(yīng)用，但在汽車應(yīng)用中卻處于起步階段，仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應(yīng)用為
關(guān)鍵字：車載 3D 安全駕駛

關(guān)于NAND閃存顆粒你必須知道這些事兒

　　隨著近段時(shí)間以來，固態(tài)硬盤、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤等存儲(chǔ)設(shè)備的大幅度一致性漲價(jià)，影響著存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開始浮出水面，被越來越多的業(yè)內(nèi)人士，反復(fù)解讀。　　那么，在價(jià)格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來聊聊NAND閃存顆粒這些年。　　閃存顆粒的釋義及廠商　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲

　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
關(guān)鍵字：英特爾 3D XPoint