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意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果: 適用于機(jī)器視覺和機(jī)器人的3D 立體視覺攝像頭

- 雙方將通過立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺, *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器,確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日,中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM),和專
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如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

- 本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí),并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途;以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加,從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng),到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇;它們具有高重復(fù)性和可靠性,還可以與窗戶、門和外殼搭配,進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此,使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)?;魻栃?yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器(MCU)介接,以
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案

- 2022年11月16日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于耐能(Kneron)KL520芯片的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門禁系統(tǒng)方案的展示板圖 在現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)建設(shè)和智能管理的驅(qū)動(dòng)下,人工智能門禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下,各種酒店、賓館、寫字樓、智能大廈、政府機(jī)關(guān)等單位,對(duì)于多功能智能門禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢(shì)下,大
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Arm Immortalis 實(shí)現(xiàn) 3D 游戲新境界
- 新聞重點(diǎn)· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計(jì)算解決方案,Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤,將為高級(jí)移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計(jì)算基礎(chǔ)可為新一代智能手機(jī)提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布,MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級(jí) GPU Arm Immortalis?-G
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臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟
- 臺(tái)積電10月27日宣布,成立開放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展,目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉,3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù),使得他們能夠與臺(tái)積電同步開發(fā)及優(yōu)化解決方案,也
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西門子推軟件解決方案 加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測(cè)試性設(shè)計(jì)
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案,旨在幫助客戶加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路(IC)關(guān)鍵可測(cè)試性設(shè)計(jì)(DFT)。隨著市場(chǎng)對(duì)于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升,IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu),以垂直(3D IC)或并排(2.5D)方式連接多個(gè)晶粒,使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是,這種做法為芯片測(cè)試帶來巨大的挑戰(zhàn),因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測(cè)試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn),西門子推出Tess
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高手在民間 世界技能大賽特別賽中國(guó)已奪8金 位居第一
- 10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國(guó)賽區(qū)閉幕式舉行,中國(guó)6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng),實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國(guó)賽區(qū)比賽于10月12日開幕,共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽,吸引了來自34個(gè)國(guó)家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國(guó)選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐。 其中,來自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書明獲得移動(dòng)應(yīng)用開發(fā)項(xiàng)目金牌,成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者?! 碜陨钲诩紟煂W(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌,實(shí)現(xiàn)我國(guó)在這兩個(gè)項(xiàng)目上
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AOI+AI+3D 檢測(cè)鐵三角成形

- 疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢(shì),迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。因此,各產(chǎn)業(yè)對(duì)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問題,加上少量多樣需求成趨勢(shì),迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動(dòng)化及AI的過程中,傳統(tǒng)人力逐漸被取代,也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài),其中,可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測(cè)儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢(shì),還能針對(duì)缺陷或瑕疵及時(shí)修復(fù)、舍棄,降低不必要的時(shí)間成本與人力成本,快速穩(wěn)定且
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西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程

- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作,面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù),提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù),客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

- 近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng),將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

- 這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國(guó)廠商只花了6年

- 近日,有消息稱,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢姡瑖?guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

- 中國(guó)芯片傳來捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國(guó)三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣,預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

- 頭一段時(shí)間,有媒體報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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