3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預(yù)期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預(yù)期要到明年上半年才會(huì)趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)(INCJ)財(cái)團(tuán)、
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

　　你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲(chǔ)技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個(gè)。到目前為止,RRAM的發(fā)展進(jìn)程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會(huì)上接受與非網(wǎng)的采訪時(shí)說:&ldquo
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將DRAM技術(shù)根留臺(tái)灣的聯(lián)電為何硬被扣上竊密罪

　　聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個(gè)人被起訴，聯(lián)電也被臺(tái)中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”，因此視為共犯。　　我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在這個(gè)合作案當(dāng)中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過程中，有無竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒有教唆員工竊密，只因?yàn)?ldquo;未積極防范&rdqu
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2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢

　　隨著時(shí)序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會(huì)議，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計(jì)劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩，除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo)，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點(diǎn)，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
關(guān)鍵字： DRAM

2018年DRAM產(chǎn)業(yè)供給年成長預(yù)估僅19.6%，延續(xù)供給吃緊走勢

　　隨著時(shí)序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產(chǎn)能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會(huì)議，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年各DRAM廠的資本支出計(jì)劃皆傾向保守，意味著產(chǎn)能擴(kuò)張甚至技術(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)都將趨緩，除了欲將價(jià)格維持在今年下半年的水平，持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標(biāo)，預(yù)估2018年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點(diǎn)，加上2018年整體DRAM需求端年成長預(yù)計(jì)將達(dá)20.6%，供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳
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半導(dǎo)體，中國的芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)需要怎樣突破？

世界集成電路三強(qiáng)：英特爾，三星，高通。光是高通和英特爾兩家，每年就能帶給美國八九百億美元的營收，養(yǎng)活數(shù)萬美國工程師，還能帶來一百多億美元的凈利潤。中國的經(jīng)濟(jì)升級最大的兩個(gè)領(lǐng)域是汽車制造工業(yè)和集成電路工業(yè)。未來怎樣能在這兩個(gè)超級產(chǎn)業(yè)完成逆襲？
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DRAM市場：海力士率先擴(kuò)產(chǎn)，其他企業(yè)能否緊隨其后

　　DRAM存儲(chǔ)器是有史以來價(jià)格波動(dòng)最劇烈的IC產(chǎn)品。下圖是DRAM波動(dòng)性強(qiáng)的又一例證，自2016年7月16日至2017年7月17日，短短一年時(shí)間，DRAM價(jià)格已經(jīng)翻了一番還要多。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights表示，2017年DRAM單位存儲(chǔ)價(jià)格(price per bit)漲幅將超過40%，為史上最高。　　僅僅一年前，DRAM采購商還在盡可能利用產(chǎn)能過剩狀況來向DRAM制造商壓價(jià)，根本不管DRAM制造商在這樣低價(jià)合同上會(huì)賠多少錢。現(xiàn)在，DRAM制造商正在“復(fù)仇”，不斷漲
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臺(tái)專家：中國半導(dǎo)體發(fā)展模式的探討

　　大陸半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展進(jìn)程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時(shí)期、改革開放前的起步探索時(shí)期、改革開放初期的開發(fā)引進(jìn)時(shí)期、全面布局的重點(diǎn)建設(shè)時(shí)期、高速發(fā)展期等階段之后，2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期，當(dāng)中2014年6月國務(wù)院發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、國家集成電路大基金，更成為中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展最大的轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。　　爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng)，或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》，確定集成電路等九大資訊產(chǎn)業(yè)將是
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美光：未來兩季 DRAM供不應(yīng)求

　　美光全球制造副總裁艾倫昨(6)日表示，未來兩季DRAM仍是供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)仍處于健康穩(wěn)定狀態(tài)。　　他強(qiáng)調(diào)，美光在上季公布財(cái)報(bào)時(shí)也預(yù)估本季營收和獲利展望，同時(shí)看好DRAM和儲(chǔ)存型閃存(NANDFlash)未來營運(yùn)表現(xiàn)。目前DRAM和NANDFlash需求非常強(qiáng)勁，但供應(yīng)端產(chǎn)能提升的速度仍無法滿足市場需求，預(yù)估未來兩季，DRAM仍供不應(yīng)求，產(chǎn)業(yè)處于健康狀態(tài)。　　艾倫指出，美光目前在DRAM的投資策略，著眼于制程技術(shù)推進(jìn)，短期內(nèi)不會(huì)增建新廠。目前其他二家主要DRAM制造大廠，包括三星、SK海力士，也是
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聚焦20納米DRAM！華邦電111億美元建新廠規(guī)劃每月4萬片產(chǎn)能

　　中國臺(tái)灣地區(qū)DRAM大廠華邦電5日宣布，在南科投資新廠的計(jì)劃已經(jīng)獲得臺(tái)灣科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會(huì)的核準(zhǔn)，總投資金額達(dá)新臺(tái)幣3,350億元(約合111億美元)。若以之前華邦電董事長焦佑鈞所說，建廠時(shí)間預(yù)計(jì)3年的情況下，則新廠2020年將可進(jìn)入投產(chǎn)。　　華邦電為臺(tái)灣地區(qū)的DRAM大廠，目前僅有中科的一座12寸廠。2016年的年產(chǎn)能約4.3萬片，2017年年底將擴(kuò)增至4.8萬片，2018年底則擴(kuò)增到5.3萬片。未來，最大的擴(kuò)充能量到5.5萬片時(shí)就已經(jīng)將當(dāng)前臺(tái)中廠的剩余空間給全部用光。　　因此，面
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莫大康：中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

　　與美國在半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術(shù)等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進(jìn)步。　　01引言　　近期華爾街日報(bào)撰文“中國的下一個(gè)目標(biāo)奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實(shí)。　　此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義：　　一個(gè)是差距大，希望迅速的成長，至多是擴(kuò)大芯片的自給率。　　另一個(gè)是西方千方百計(jì)的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)步
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存儲(chǔ)器價(jià)格為何居高不下？

存儲(chǔ)器價(jià)格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш狻?/li>
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存儲(chǔ)器“漲”勢不停中國有望填補(bǔ)產(chǎn)能缺口

存儲(chǔ)器作為智能手機(jī)，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會(huì)導(dǎo)致整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的尷尬。
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服務(wù)器DRAM大熱賣、報(bào)價(jià)季季漲南亞科宜鼎受惠

　　今年下半年英特爾及超微積極推出服務(wù)器新平臺(tái)，英特爾Purley平臺(tái)已經(jīng)開始出貨，超微EPYC服務(wù)器處理器也開始放量出貨，而在云端運(yùn)算、人工智能的帶動(dòng)下，服務(wù)器用DRAM需求大爆增，服務(wù)器用DRAM本季報(bào)價(jià)又調(diào)漲一成，第四季續(xù)漲態(tài)勢無疑，全年漲幅上看五成，在此趨勢下，專攻服務(wù)器DRAM的南亞科與宜鼎，將會(huì)大受益。　　DRAM因缺乏新廠產(chǎn)能開出，業(yè)者多采制程推進(jìn)增加有限產(chǎn)出，但是反觀需求面卻穩(wěn)健成長，帶動(dòng)今年以來DRAM供需持續(xù)吃緊，尤其在產(chǎn)能排擠效益下，服務(wù)器DRAM合約價(jià)今年上半年已大漲逾4成幅度
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全球半導(dǎo)體企業(yè)紛紛爭霸中國成為“攪局者”

　　在智能化飛速發(fā)展的今天，全球半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)云變幻，傳統(tǒng)代表廠商相互競爭日益激烈。而中國正逐漸成為“攪局者”，紫光的全球并購拉開了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)登上國際舞臺(tái)的序幕。然而現(xiàn)在來看，前途仍然充滿荊棘! 　　國內(nèi)掀起半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)并購熱　　半導(dǎo)體作為世界性產(chǎn)業(yè)，體現(xiàn)著一個(gè)國家的綜合實(shí)力。在日本，半導(dǎo)體被稱為“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)不可或缺的一種原料之一。　　8月23日晚，中國紫光集團(tuán)斥資240億美元開始興建國內(nèi)首座先進(jìn)存儲(chǔ)芯片廠，消息一經(jīng)傳出，引得國
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