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3d dram
3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND量產(chǎn)在即 與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

- 市場(chǎng)傳出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意改變策略,越過(guò)大股東紫光集團(tuán)的銷(xiāo)售管道,采取自產(chǎn)自銷(xiāo)3D NAND芯片的模式,也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
- 關(guān)鍵字: 紫光集團(tuán) 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND
Altium北京辦公室正式投入運(yùn)營(yíng)

- 2019年4月24日,中國(guó)北京 — 智能系統(tǒng)設(shè)計(jì)自動(dòng)化、3D PCB 設(shè)計(jì)解決方案 (Altium Designer?)、ECAD設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)管理(Altium Vault?)和嵌入式軟件開(kāi)發(fā)(TASKING?)的全球領(lǐng)導(dǎo)者Altium近日宣布,其北京辦公室正式投入運(yùn)營(yíng)。Altium北京辦公室是Altium繼上海總部與2018年1月成立的深圳辦公室之后,在中國(guó)建立的第三個(gè)辦公室。未來(lái),北京辦公室將主要定位于為客戶提供技術(shù)支持與服務(wù)。自1996年Altium進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)并于2005年成立上海總部以來(lái),Altiu
- 關(guān)鍵字: 3D PCB Altium Designer? ECAD
長(zhǎng)江存儲(chǔ)今年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存
- 紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2019)上展示了企業(yè)級(jí)P8260硬盤(pán),使用的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND閃存。長(zhǎng)江存儲(chǔ)并不打算大規(guī)模生產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存,該公司CTO程衛(wèi)華在接受采訪時(shí)表示今年下半年量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,目前計(jì)劃進(jìn)展順利,沒(méi)有任何障礙。
- 關(guān)鍵字: 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND閃存 64層堆棧
Cadence推出Clarity 3D場(chǎng)求解器,為系統(tǒng)級(jí)分析和設(shè)計(jì)提供前所未有的性能及容量

- 內(nèi)容提要: ? Clarity 3D Solver場(chǎng)求解器是Cadence系統(tǒng)分析戰(zhàn)略的首款產(chǎn)品,電磁仿真性能比傳統(tǒng)產(chǎn)品提高10倍,并擁有近乎無(wú)限的處理能力,同時(shí)確保仿真精度達(dá)到黃金標(biāo)準(zhǔn) ? 全新的突破性的架構(gòu)針對(duì)云計(jì)算和分布式計(jì)算的服務(wù)器進(jìn)行優(yōu)化,使得仿真任務(wù)支持調(diào)用數(shù)以百計(jì)的CPU進(jìn)行求解 ? 真正的3D建模技術(shù),避免傳統(tǒng)上為了提高仿真效率而人為對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行剪切帶來(lái)的仿真精度降低的風(fēng)險(xiǎn) ? 輕松讀取所有標(biāo)準(zhǔn)芯片和IC封裝平臺(tái)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù),并與Cadence設(shè)計(jì)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)專屬集成
- 關(guān)鍵字: Cadence Cadence? Clarity? 3D Solver場(chǎng)求解器
紅「芯」勢(shì)力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

- 半導(dǎo)體無(wú)所不在,舉凡汽車(chē)、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī),皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國(guó)最具代表性產(chǎn)業(yè),占外銷(xiāo)總金額的20%。然而2018年底存儲(chǔ)器榮景告終、價(jià)格走跌,除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲(chǔ)器事業(yè)陷入危機(jī)外,韓國(guó)經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對(duì)中國(guó)大陸DRAM力拚崛起,及工業(yè)4.0革命可能帶來(lái)的爆炸性需求,三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM SDI
嶄新的名字——Agilex,英特爾新FPGA有哪些黑科技?

- ? ? 不久前,英特爾舉辦新聞發(fā)布會(huì),隆重宣布推出以數(shù)據(jù)為中心的一系列產(chǎn)品組合,以實(shí)現(xiàn)更全處理、更強(qiáng)存儲(chǔ)和更快傳輸。其中的重磅產(chǎn)品之一是10 nm英特爾? Agilex? FPGA 家族,能夠?yàn)橐詳?shù)據(jù)為中心的時(shí)代帶來(lái)靈活的硬件加速能力,將于2019年下半年開(kāi)始試樣。? ? Agilex來(lái)源于Agile(敏捷的)。該產(chǎn)品是英特爾目前的高端FPGA系列——Stratx 10的下一代產(chǎn)品。它為何有個(gè)嶄新的名字Agilex?它有哪些新特性?為此,電子產(chǎn)品世界等媒體在深圳訪問(wèn)
- 關(guān)鍵字: FPGA 3D 封裝
為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn),Entegris用了哪些方法?

- 當(dāng)前,我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程,在這里催生了很多新技術(shù)和新市場(chǎng),比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵(lì)、互相融合,共同推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展,從而改變?nèi)祟?lèi)的生活方式。
- 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng) Entegris 3D NAND
研發(fā)主管U盤(pán)拷走Intel技術(shù)機(jī)密:獻(xiàn)給對(duì)手

- Intel風(fēng)生水起的Optane傲騰產(chǎn)品是基于3D Xpoint存儲(chǔ)芯片打造的,而該技術(shù)其實(shí)是Intel和美光合研所得。不過(guò),Intel和美光已經(jīng)宣布,將在今年上半年完成第二代3D Xpoint芯片開(kāi)發(fā)后分道揚(yáng)鑣,同時(shí),該存儲(chǔ)芯片誕生地、Intel美光合資的IM Flash工廠,也已經(jīng)被美光全資收購(gòu),今年底交割完成?! ∪欢P(guān)于3D Xpoint,Intel和美光之間還正爆發(fā)著一場(chǎng)官司。 加州東區(qū)法院3月22公布的法庭裁定顯示,Intel前研發(fā)經(jīng)理Doyle Rivers被要求不得擁有、使
- 關(guān)鍵字: Intel Rivers 3D Xpoint
MRAM技術(shù)新突破!臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)
- 全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn),研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?! RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù),斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失,是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治,上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層,可快速處理數(shù)據(jù),底層則是釘鎖住的鐵磁層,可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù),兩層中則有氧化層隔開(kāi)?! ∑?/li>
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集邦咨詢:DRAM均價(jià)受庫(kù)存尚未去化完成影響,跌勢(shì)恐將持續(xù)至下半年

- Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫(kù)存過(guò)高影響,DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大,整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫,預(yù)計(jì)在庫(kù)存尚未去化完成的影響下,DRAM均價(jià)跌勢(shì)恐將持續(xù)至第三季?! 「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查,DRAM供應(yīng)商累積的庫(kù)存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過(guò)六周 (含wafer bank),而買(mǎi)方的庫(kù)存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減,但平均至少達(dá)五周,在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過(guò)七周?! ∵M(jìn)
- 關(guān)鍵字: 集邦咨詢 DRAM
中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸,因素在于美國(guó)管制與韓國(guó)壟斷
- 根據(jù)韓國(guó)媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出,中國(guó)一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),但在近期受到韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星與SK海力士在市場(chǎng)壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下,加上美國(guó)對(duì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù),其目的將難以達(dá)成?! ?bào)導(dǎo)指出,2018年10月份,在中國(guó)NANDFlash快閃存儲(chǔ)器技術(shù)上領(lǐng)先的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后,當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過(guò)64層及96層堆疊的產(chǎn)品,直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國(guó)的存儲(chǔ)器龍頭廠三星,早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
- 關(guān)鍵字: DRAM NANDFlash
手機(jī)存儲(chǔ)芯片價(jià)格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國(guó)廠商陰謀論成真?
- 近日,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲(chǔ)芯片行業(yè)調(diào)研報(bào)告顯示,DRAM跌價(jià)幅度超過(guò)預(yù)期,創(chuàng)8年以來(lái)最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價(jià)格跑贏了房?jī)r(jià)”的內(nèi)存條,如今突然迎來(lái)8年來(lái)最大跌幅,國(guó)際巨頭對(duì)中國(guó)廠商“圍剿”的爭(zhēng)議也再次出現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) DRAM
DRAM價(jià)格暴跌 韓國(guó)前景“一片烏云”
- 根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo),DRAM的價(jià)格接連下跌,零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬(wàn)韓元以下,這樣的走勢(shì)比預(yù)期要快許多,預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂(lè)觀?! ≡陧n國(guó)電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上,本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬(wàn)8900韓元,已經(jīng)下跌到5萬(wàn)韓元以下,與去年4月9萬(wàn)9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%。 B2B(企業(yè)間交易)市場(chǎng)價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢(shì),據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出,2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
- 關(guān)鍵字: DRAM SK海力士
DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

- 據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指,今年以來(lái)DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌,其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%,這對(duì)于依靠存儲(chǔ)芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來(lái)說(shuō)顯然不是好消息,其或因存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?! 〈鎯?chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel 自2016年以來(lái),受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對(duì)存儲(chǔ)芯片需求不斷擴(kuò)大,PC正將機(jī)械硬盤(pán)轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤(pán)、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大,智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大,存儲(chǔ)芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段。 作為
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
3d dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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