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3d dram 文章 最新資訊

國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作

  • 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)。2019年國內(nèi)存儲(chǔ)芯片取得了兩個(gè)突破——長江存儲(chǔ)的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個(gè)市場主要就是美日兩大陣營主導(dǎo)，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項(xiàng)目總計(jì)投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)

  • 存儲(chǔ)器大廠南亞科28日召開年度股東常會(huì)，會(huì)中董事長吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠(yuǎn)端教育、視頻會(huì)議等各項(xiàng)需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因?yàn)楦黜?xiàng)不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟(jì)放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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三星一季度全球DRAM市場份額超過40% 但銷售額有下滑

  • 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個(gè)百分點(diǎn)，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實(shí)有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲(chǔ)3D NAND

  • 電子醫(yī)療設(shè)備、電競游戲機(jī)、NB筆記本電腦、電視機(jī)頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因?yàn)樾鹿诜窝?(COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護(hù)或宅經(jīng)濟(jì)需求上升，不僅刺激了閃存儲(chǔ)存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲(chǔ) (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設(shè)計(jì)生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
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長江存儲(chǔ)：128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在今年推出

  • 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長江存儲(chǔ)市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲(chǔ)將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月，總
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識(shí)別

  • 從20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始，漏電流一直都是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)設(shè)計(jì)中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計(jì)中漏電流造成的問題也會(huì)導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計(jì)中至關(guān)重要的一個(gè)考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲(chǔ)單元；(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲(chǔ)單元（圖1 (a)）在電
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三星首次將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

  • 據(jù)ZDnet報(bào)道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
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三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

  • 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計(jì)會(huì)使12
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微軟Surface Duo未來新特性：支持3D深度相機(jī)

  • 新推出的Surface Neo并不是微軟唯一的雙屏設(shè)備。在去年10月份的發(fā)布會(huì)上，微軟還宣布了一款名為“Surface Duo”的Surface手機(jī)，Surface Duo可運(yùn)行Google的Android應(yīng)用，并直接從谷歌Play商店支持Microsoft服務(wù)。Surface Duo是由Panos Panay領(lǐng)導(dǎo)的Surface團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的，它具有出色的硬件，但是之前有傳言稱Surface Duo設(shè)備將配備中核相機(jī)。與三星Galaxy Fold和華為Mate Xs競爭的Surface Duo可能沒有配備出
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歐司朗推出首款智能3D感應(yīng)發(fā)射器模塊，讓智能手機(jī)玩轉(zhuǎn)專業(yè)攝影

  • 圖片已經(jīng)成為人們在社交媒體展現(xiàn)自我的重要方式。為了追求“完美的圖像”，越來越多的應(yīng)用程序提供了濾鏡或編輯功能來增強(qiáng)圖像效果。盡管智能手機(jī)攝影功能創(chuàng)新層出不窮，但仍然有一些圖像效果只能通過專業(yè)相機(jī)和復(fù)雜昂貴的鏡頭來實(shí)現(xiàn)。歐司朗推出首款3D傳感發(fā)射器模塊，讓智能手機(jī)以交錯(cuò)景深拍攝高質(zhì)量的圖像和視頻，達(dá)到專業(yè)效果。例如在人像拍攝中，實(shí)現(xiàn)人臉聚焦、背景模糊的小景深。如今，智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備和其他移動(dòng)設(shè)備的功能越來越多，留給內(nèi)部元器件的設(shè)計(jì)空間也越來越小。對制造商而言，能找到合適的發(fā)射和接收器件以及IC元器件，進(jìn)
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光線追蹤：一種顛覆性技術(shù)

  • 對于任何名副其實(shí)地從事AR/VR/XR、產(chǎn)品設(shè)計(jì)或仿真工作的工程師而言，光線追蹤是他們應(yīng)該熟悉的一種技術(shù)。因?yàn)樗亲匀S（3D）圖形誕生以來圖形技術(shù)領(lǐng)域最重要的進(jìn)步之一，而且它即將從高深的電影和廣告領(lǐng)域轉(zhuǎn)向移動(dòng)、可穿戴和汽車等嵌入式領(lǐng)域，作為全新的、更有效的處理光線追蹤的方法進(jìn)入市場。如果你去看任何的三維場景，會(huì)發(fā)現(xiàn)其逼真度很大程度上取決于光照。在傳統(tǒng)的圖形渲染（光柵化處理）中，光照貼圖和陰影貼圖是預(yù)先計(jì)算好的，然后應(yīng)用到場景中以模擬場景外觀。然而，雖然可以實(shí)現(xiàn)很美觀的效果，但其始終受限于一個(gè)事實(shí)，即這些
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TrendForce：2019年第四季量增抵銷價(jià)跌影響，DRAM產(chǎn)值較前季近持平

存儲(chǔ)器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結(jié)束 ？

  • 據(jù)IDC預(yù)測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分為易失存儲(chǔ)器和非易失存儲(chǔ)器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲(chǔ)器市場2017年的存儲(chǔ)器市場可以用火熱來形容，三大存儲(chǔ)器公司（三星、海力士、美光）的財(cái)報(bào)都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導(dǎo)體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達(dá)4197.2億美元，存儲(chǔ)器的
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走近英特爾Lakefield——采用備受贊譽(yù)的Foveros 3D封裝技術(shù)

  • 這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。英特爾院士、芯片工程事業(yè)部成員?Wilfred Gomes，手執(zhí)一枚采用Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)打造而成的處理器。該處理器將獨(dú)特的3D堆疊與一種混合計(jì)算架構(gòu)結(jié)合在一起，這種架構(gòu)混搭了多種類型、功能各異的內(nèi)核。（圖片來源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術(shù)改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構(gòu)建模式。試想一下，全新設(shè)計(jì)的芯片就像一個(gè)設(shè)計(jì)成1毫米厚的夾心蛋
  • 關(guān)鍵字： 3D  封裝  

全球DRAM產(chǎn)業(yè)迎來大牛市 內(nèi)存將連漲7個(gè)季度

  • 最近的疫情危機(jī)給全球大多數(shù)電子產(chǎn)品的前景蒙上了陰影，智能手機(jī)Q1季度會(huì)是暴跌50%。不過內(nèi)存廠商現(xiàn)在可以輕松下了，Q1季度開始就進(jìn)入全球牛市，預(yù)計(jì)會(huì)連漲七個(gè)季度，也就是2020年底才可能穩(wěn)下來。自從1月初的三星供電停電、東芝工廠起火之后，這兩家公司紛紛表態(tài)對生產(chǎn)基本沒影響，但是全球存儲(chǔ)芯片的市場依然像是打了雞血，內(nèi)存及SSD硬盤的現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲而起，1月份就漲價(jià)高達(dá)30%。那這一波內(nèi)存漲價(jià)要持續(xù)多久呢？UBS瑞銀分析師Timothy Acuri日前發(fā)表報(bào)告評估了內(nèi)存市場的發(fā)展趨勢，他認(rèn)為內(nèi)存漲價(jià)將持續(xù)至少7個(gè)
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3d dram介紹

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