3d 內(nèi)存文章進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

Movidius與東芝合作為智能手機(jī)提供3D系統(tǒng)解決方案

移動(dòng)多媒體處理器專業(yè)公司Movidius日前宣布：該公司已與東芝電子歐洲公司合作，開發(fā)了出一套完整的、用于智能手機(jī)市場(chǎng)的3D系統(tǒng)性解決方案。
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WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法

WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法,本文介紹了WinCE文件目錄定制及內(nèi)存調(diào)整的操作方法。WinCE的文件目錄結(jié)構(gòu)以及文件的位置都是在DAT文件中定義的。所有的dat文件會(huì)在WinCE編譯時(shí)合并成initobj.dat文件，WinCE會(huì)根據(jù)DAT中的描述生成相應(yīng)目錄?！　∵@個(gè)
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3D立體成像技術(shù)介紹

3D立體成像技術(shù)其實(shí)并不是一個(gè)新鮮事物。如果從時(shí)間上看,3D立體成像技術(shù)早在上個(gè)世紀(jì)中葉就已經(jīng)出現(xiàn)，比起現(xiàn)在主流的的液晶、等離子這些平板顯示技術(shù)，歷史更加悠久。　　那么現(xiàn)在的3D電視，到底使用了哪些方式來實(shí)
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液晶電視3D立體顯示技術(shù)

對(duì)于3D電視來說，可能很多朋友僅僅局限于對(duì)畫面效果的認(rèn)識(shí)，對(duì)其顯示原理，很多朋友并不是十分了解。為此，在3D電視...
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3D技術(shù)推動(dòng)液晶面板產(chǎn)業(yè)新時(shí)代

　　告別了笨重的電視機(jī)，迎來了液晶平板電視時(shí)代，電視屏幕變的更大，空間卻占的更小。然而需求總是會(huì)不斷會(huì)提升，雖然平板電視采用了新型的液晶面板技術(shù)，但僅僅提升了定液晶顯示器的亮度、對(duì)比度、色彩、可視角度等基本功能，并不能滿足更高需求的消費(fèi)者，因此，3D技術(shù)逐漸應(yīng)用到了電視上面。　　說道3D技術(shù)，近年最火的要數(shù)3D電影了，能在電影院體驗(yàn)3D的效果是很多人的一種享受，但是不乏有感覺到了票價(jià)的昂貴的消費(fèi)者們，畢竟要比普通票貴出近一倍。但是現(xiàn)在，電視也擁有了3D技術(shù)，在家中便能欣賞到獨(dú)具品味的3D電影了。　
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2011年度存儲(chǔ)市場(chǎng)總結(jié)

2011年，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了幾大重要事件：日本地震引起閃存漲價(jià)、泰國(guó)洪水引起整個(gè)DIY產(chǎn)業(yè)的震動(dòng)、單碟1TB硬盤技術(shù)正式面世、USB3.0產(chǎn)品強(qiáng)勢(shì)出擊、藍(lán)光3D技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)品上市等，都給2011年的存儲(chǔ)行業(yè)帶來了不小的變化。
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德州儀器DLP技術(shù)無(wú)燈泡投影機(jī)正式上市

德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN)DLP?在今年的“2012數(shù)字網(wǎng)絡(luò)教育技術(shù)展(BETT)”上宣布，明基和奧圖碼推出了基于出色DLP技術(shù)的全新無(wú)燈泡投影解決方案，為改進(jìn)當(dāng)今的課堂教學(xué)體驗(yàn)做好了準(zhǔn)備。通過采用無(wú)燈泡照明，例如LED和激光，而并非傳統(tǒng)的燈泡，明基LW61ST(WXGA)/ LX60ST(XGA)投影機(jī)和奧圖碼 ZW210ST (WXGA)/ ZX210ST (XGA)投影機(jī)可以提供高質(zhì)量的圖像和足夠的亮度(每個(gè)約2000流明)來點(diǎn)亮課堂的空間。與此同時(shí)，這兩款投影機(jī)延長(zhǎng)了機(jī)器的使用壽
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)面臨洗牌：PC市場(chǎng)疲軟導(dǎo)致供大于求

　　面臨洗牌　　自20世紀(jì)60年代以來，內(nèi)存芯片便被看作是信息時(shí)代的“原油”——它們對(duì)電腦和其他設(shè)備非常重要，以致于制造商竭盡全力改善內(nèi)存芯片性能，降低生產(chǎn)成本。然而，上周有消息稱，日本內(nèi)存芯片巨頭爾必達(dá)正尋求從其客戶獲得資金支持，這表明在內(nèi)存芯片行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)中，越來越多的企業(yè)瀕臨出局。　　三星電子和海力士等韓國(guó)兩家大公司目前占據(jù)著內(nèi)存芯片行業(yè)的主導(dǎo)地位，美國(guó)芯片廠商美光科技與爾必達(dá)的市場(chǎng)份額并列第三，但遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于三星電子和海力士。內(nèi)存芯片廣泛用于從手
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NVE對(duì)Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟

　　專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商N(yùn)VR公司表示，該公司已于美國(guó)聯(lián)邦法院對(duì) MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。　　NVE公司指出，在美國(guó)明尼蘇達(dá)州地方法院提起的這項(xiàng)訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項(xiàng) MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對(duì)其侵權(quán)行為造成的NVE財(cái)務(wù)損失進(jìn)行
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2012年國(guó)際消費(fèi)電子展——消費(fèi)電子類

賽靈思準(zhǔn)備在 2012 年國(guó)際消費(fèi)電子展上推出兩款產(chǎn)品(展臺(tái)號(hào)：MP25556)：一款是針對(duì)消費(fèi)電子領(lǐng)域的方案，另一款則是針對(duì)汽車領(lǐng)域的方案。
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采用內(nèi)存接液晶顯示模塊設(shè)計(jì)

點(diǎn)陣式液晶接口簡(jiǎn)單，能以點(diǎn)陣或圖形方式顯示出各種信息，因此在各種電子設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。但是，它的接口必須遵循一定的硬件和時(shí)序規(guī)范，根據(jù)不同的液晶驅(qū)動(dòng)器，可能需要發(fā)出不同的命令進(jìn)行控制才能顯示數(shù)據(jù)。而
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半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年

　　時(shí)序即將進(jìn)入2012年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革，其中3DIC便為未來芯片發(fā)展趨勢(shì)，將促使供應(yīng)鏈加速投入3DIC研發(fā)，其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下，勢(shì)必激勵(lì)其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3DIC有機(jī)會(huì)于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下，預(yù)估2013年也可視為是3DIC量產(chǎn)元年。　　3DIC為未來芯片發(fā)展趨勢(shì)，其全新架構(gòu)帶來極大改變，英特爾即認(rèn)為，制程技術(shù)將邁入3D，未來勢(shì)必激勵(lì)技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實(shí)驗(yàn)室日前便宣布與工研院合作，共同合作開發(fā)3DIC架構(gòu)且具低功耗特性的內(nèi)存技
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相變化內(nèi)存開創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長(zhǎng)，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。工程師無(wú)
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電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
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20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

　　來自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。　　新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲(chǔ)芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造，幾乎達(dá)到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。　　相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn)，具有斷電不掉數(shù)據(jù)，耐久性好，速度快等優(yōu)點(diǎn);根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來回轉(zhuǎn)換來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　預(yù)
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