- 聯(lián)電榮譽副董事長宣明智暗指臺塑集團可以出面集成臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)，南亞科表示，無法評論此事;存儲器業(yè)界則認為，臺塑集團雖然資金實力雄厚，但DRAM 產(chǎn)業(yè)走到現(xiàn)在已不是資金問題，沒有技術(shù)和專利也是關(guān)鍵，現(xiàn)在就算再投錢集成，也未必拼得過韓廠，而臺塑集團這幾年DRAM產(chǎn)業(yè)投資并沒有得到等值回報，或許茂德財務(wù)狀況圓滿解決后，有非常劃算的機會可取，臺塑才會考慮與美光(Micron)合作切入，否則光是投錢集成，臺塑意愿恐怕不大。
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臺塑 DRAM
- 存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NANDFlash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NANDFlash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。
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存儲器 DRAM
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
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DRAM 光刻
- 茂德再度啟動2次減資計劃，繼2010年4月宣布減資65%后，2011年7月6日董事會中再度通過減資85%，預(yù)計將在第3季底前完成減資程序，之后將辦理增資引進策略性投資人，市場屢次點名的老面孔鴻海、聯(lián)電等大型集團，再度被提出來討論。
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茂德 DRAM
- 最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
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Inotera DRAM
- 存儲器產(chǎn)業(yè)度過辛苦的第2季后，第3季景氣恐沒有這么快復(fù)蘇，業(yè)界預(yù)期NAND Flash產(chǎn)業(yè)景氣在第3季中之后，會隨著消費性電子產(chǎn)品需求出籠而開始翻揚，但業(yè)界對于DRAM市場看法則是分歧，7月合約價續(xù)跌已成定局，部分業(yè)者認為8月中開始價格可止跌，但另一派業(yè)者則認為DRAM報價到年底都不會反轉(zhuǎn)，且恐有續(xù)跌的可能性，整體來看，下半年NAND Flash景氣微幅優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，但好日子也不會維持太長。
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存儲器 DRAM
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。
雖然最近幾個季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點方面比較積極，但在今年剩余時間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
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DRAM 50納米
- 茂德申請負債降息暫化解當(dāng)前財務(wù)危機后，引進新資金成為當(dāng)務(wù)之急，業(yè)界已傳出多組人馬正評估有條件投資茂德，或?qū)ζ煜轮锌?2吋晶圓廠有興趣，近期已有第1個出價者浮現(xiàn)，內(nèi)存業(yè)界傳出世界先進出價新臺幣100億元，想買茂德12吋廠，且推測背后應(yīng)是獲得臺積電默許，主要系因驅(qū)動IC未來采12吋廠生產(chǎn)較具成本優(yōu)勢，世界先進可趁此機會撿便宜。不過，茂德和世界先進對此事都予以否認?！?/li>
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茂德中科 DRAM
- 瑞晶董事會日前通過30納米制程轉(zhuǎn)換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產(chǎn)能到年底達到8.8萬片，成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外，董事會也通過，向臺灣歐力士公司申請機器設(shè)備售后租回融資約10億元，持續(xù)添購重要半導(dǎo)體制程設(shè)備如ASML的浸潤機臺等?！?/li>
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瑞晶 DRAM
- 力成科技積極自內(nèi)存封測業(yè)務(wù)往先進封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實驗工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動土，預(yù)計2012年第3季裝機試產(chǎn)。力成董事長蔡篤恭表示，實驗工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶圓級封裝、3D IC及銅柱凸塊等，估計開發(fā)時程約1年，屆時新竹廠正好開始啟用，新產(chǎn)品效益可望適時于2012~2013年發(fā)酵?！?/li>
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封裝 DRAM
- 華芯半導(dǎo)體公司市場營銷部經(jīng)理殷和國6月28日在深圳集成電器創(chuàng)新應(yīng)用展上對《第一財經(jīng)日報》透露，預(yù)計今年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)(DRAM)將為公司帶來超過1億元的收入。
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華芯 DRAM
- 據(jù)IHSiSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。2011年DRAM模組出貨量將達8.08億個左右，預(yù)計DDR3將占89%，高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模組是包含DRAM芯片的封裝，用于PC和其它電子產(chǎn)品之中。
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DDR4 DRAM
- 日本爾必達公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
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爾必達 DRAM
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩(wěn)定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術(shù)，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術(shù)。
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DDR3 DRAM
- 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。
超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。
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爾必達 DRAM
1γ dram介紹
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