集成電路 文章 進(jìn)入集成電路技術(shù)社區(qū)
工信部公示集成電路4項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)
- 1月16日工信部公示了集成電路領(lǐng)域4項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),主要集中在存儲(chǔ)器測試方面。另外,近期總投資240億美元的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式開工,中芯國際40nm ReRAM高端存儲(chǔ)芯片已經(jīng)出樣??梢姡呻娐奉I(lǐng)域研發(fā)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范方面雙管齊下局面正在形成。 總投資240億美元的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目近日在武漢東湖高新區(qū)正式開工。2020年全面建成后,年產(chǎn)值將超過100億美元,實(shí)現(xiàn)我國集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?;l(fā)展“零”的突破。 &
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未來4年26座半導(dǎo)體晶圓廠將設(shè)在中國
- 新年伊始,回顧2016年中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,“投資”無疑是出現(xiàn)頻率最高的熱詞。在“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的助力下,2016年國內(nèi)投資活動(dòng)頻頻:長江存儲(chǔ)投資建設(shè)12英寸存儲(chǔ)器基地;中芯國際投資近千億元在上海新建12英寸Foundry廠;華力微啟動(dòng)二期12英寸高工藝等級生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目…… SEMI估計(jì),全球?qū)⒂?017年~2020年間投產(chǎn)62座半導(dǎo)體晶圓廠,其中26座設(shè)于中國大陸,占全球總數(shù)的42%。集成電路行業(yè)的發(fā)
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中國集成電路擴(kuò)建之后 降低成本是關(guān)鍵

- 或許是巧合!12月30日,長江存儲(chǔ)的國家存儲(chǔ)器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目,同日舉行了開工啟動(dòng)儀式。 長江存儲(chǔ)是國內(nèi)最大的存儲(chǔ)器項(xiàng)目之一,瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù),建成后將扭轉(zhuǎn)我國存儲(chǔ)器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級改造,將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線,建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺(tái),追趕國際先進(jìn)水平。 隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn),中國IC業(yè)
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CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析
- 1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn) 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應(yīng)管,且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu),工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通,另一個(gè)管截止的狀態(tài),電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上,由于存在漏電流,CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW,動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW?! ?.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單,供電電源體積小,基本上不需穩(wěn)壓。國產(chǎn)CC4000系列的集成電路,可在3~18V電壓下正常工作?! ?.3
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IC PARK 計(jì)劃引入150家企業(yè) 實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超300億
- 近日,中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園(IC PARK)一期主體結(jié)構(gòu)順利封頂,海淀區(qū)政府、中關(guān)村管委會(huì)、中關(guān)村發(fā)展集團(tuán)、首創(chuàng)集團(tuán)及建設(shè)方單位共同對項(xiàng)目進(jìn)行了安全生產(chǎn)檢查。 當(dāng)下,被譽(yù)為信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)“心臟”的集成電路(芯片),已成為衡量國家產(chǎn)業(yè)競爭力和綜合國力的重要標(biāo)志。園區(qū)計(jì)劃入駐集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)150余家,實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超過300億。作為國內(nèi)第一個(gè)以集成電路設(shè)計(jì)為特色的產(chǎn)業(yè)園區(qū),它的階段性完成預(yù)示著中國的“芯硅谷”的落成更進(jìn)一步。 打造北部科技創(chuàng)新企業(yè)&l
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前11個(gè)月上海集成電路出口金額達(dá)1353.2億元 增長10.5%

- 據(jù)上海海關(guān)昨天披露,今年前11個(gè)月,上海海關(guān)關(guān)區(qū)實(shí)現(xiàn)進(jìn)出口4.7萬億元人民幣,比去年同期增長2%。其中,出口2.9萬億元,增長1.3%;進(jìn)口1.8萬億元,增長3.2%。 外商投資企業(yè)進(jìn)出口占主導(dǎo),民營企業(yè)進(jìn)出口比重提升。今年前11個(gè)月,外商投資企業(yè)通過上海海關(guān)關(guān)區(qū)進(jìn)出口2.7萬億元,占同期關(guān)區(qū)進(jìn)出口總值的56.6%。同期,民營企業(yè)進(jìn)出口1.4萬億元,增長9.4%,占29.7%,比重提升2個(gè)百分點(diǎn)。 今年前11個(gè)月,上海海關(guān)關(guān)區(qū)對最大貿(mào)易伙伴歐盟進(jìn)出口9652.5億元,增長2.5%,占同期關(guān)區(qū)進(jìn)出口
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泰克以測試測量為橋梁,打造新型材料、器件與集成電路產(chǎn)業(yè)鏈深度互動(dòng)平臺(tái)

- 前不久,國務(wù)院印發(fā)的《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中,明確提出將發(fā)展先進(jìn)功能材料技術(shù),以及新一代信息技術(shù)作為全國科研隊(duì)伍下一階段的工作方向。事實(shí)上,隨著科技的進(jìn)步,材料產(chǎn)業(yè)在工業(yè)發(fā)展中發(fā)揮著越來越重要的作用,近年來氮化鎵、砷化鎵、石墨烯等新型材料在集成電路技術(shù)、新能源等領(lǐng)域帶來革命性的發(fā)展機(jī)會(huì)。在此背景下,泰克科技公司近日在重慶成功舉辦了“新型材料、器件與半導(dǎo)體集成電路測試測量技術(shù)研討會(huì)” ,希望促進(jìn)新材料技術(shù)科研與產(chǎn)業(yè)的對話,促成材料與器件產(chǎn)業(yè)鏈良性互動(dòng)發(fā)展?! ‘a(chǎn)業(yè)鏈合力迎接材料和器件技
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2017年我國將調(diào)整集成電路等進(jìn)出口關(guān)稅
- 據(jù)財(cái)政部發(fā)布消息,經(jīng)國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會(huì)審議通過,并報(bào)經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn),自2017年1月1日起,我國將調(diào)整部分商品的進(jìn)出口關(guān)稅。 據(jù)介紹,明年關(guān)稅調(diào)整將秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的理念,繼續(xù)鼓勵(lì)國內(nèi)亟需的先進(jìn)設(shè)備、關(guān)鍵零部件和能源原材料進(jìn)口,以進(jìn)口暫定稅率方式降低集成電路測試分選設(shè)備、飛機(jī)用液壓作動(dòng)器、熱裂解爐等商品的進(jìn)口關(guān)稅。 為豐富國內(nèi)消費(fèi)者的購物選擇,還將降低金槍魚、北極蝦、蔓越橘等特色食品和雕塑品原件等文化消費(fèi)品的進(jìn)口關(guān)稅。為回應(yīng)國民對醫(yī)療和健康的關(guān)注,降低生產(chǎn)抗癌藥所需的紅豆杉皮和枝葉、治療糖
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中國硅片月需100萬片 為何幾乎依靠進(jìn)口?

- 硅片是生產(chǎn)集成電路的主要原材料。硅片尺寸越大則每片硅片上可以制造的芯片數(shù)量就越多,從而制造成本就越低。硅片尺寸的擴(kuò)大和芯片線寬的減小是集成電路行業(yè)技術(shù)進(jìn)步的兩條主線。現(xiàn)在12 寸硅片的出貨量占比超過60%,是目前主流的硅片尺寸。 半導(dǎo)體硅片通常釆用查克洛斯法(CZ Method)將高純度的多晶硅錠拉成不同電阻率的硅單晶錠。硅片加工過程要經(jīng)過晶體定向→外園滾磨→加工主、副參考面→切片→倒角→熱處理→研磨→化學(xué)腐蝕→拋光
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集成電路介紹
一、概述集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,這樣,整個(gè)電路的體積大大縮小,且引出線和焊接點(diǎn)的數(shù)目也大為減少,從而使電子元件向著微小型化、低功 [ 查看詳細(xì) ]
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