- 新技術給 M58BW32F帶來多項重要功能, 包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護機制 意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一個新的專門為汽車市場開發(fā)的升級版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產品因為能夠在汽車的全程溫度范圍內對存儲器進行高速存取操作,所以特別適合汽車客戶對傳動系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求,同時還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車系統(tǒng)。 新產品M58BW32F采用先進的0.11微米制造技術,汲取了ST在獨立式和嵌入式閃存產品研發(fā)方面多年
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- 三星在一個月內將NAND的容量提高了四倍。 三星宣布,公司開發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設備。這種新的高容量多級單元(MLC )閃存是基于60納米的制造工藝,與70納米的產品相比,60納米工藝可以讓產量提高25%。 有了這種最新的技術,三星能夠向消費者提供8GB 內存的解決方案,它采用兩個4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。  
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- 美國東部時間7月13日(北京時間7月14日)消息:據(jù)業(yè)內觀察員稱,市場上表現(xiàn)出來的NAND閃存價格即將上揚的第一個信號還沒有維持多久,在高密iPod nano可能會延期發(fā)布的傳言中,7月份最新的主流芯片市場動態(tài)已經預示出NAND閃存的價格可能會再下跌10%。據(jù)業(yè)內知情人士說,現(xiàn)代半導體公司和三星電子公司也都憋足了一口氣準備展開一場價格戰(zhàn)。 雖然Gartner Dataquest研究公司認為計劃在今年四季度上市銷售的10-12GB
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- 三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤驅動器。 早在去年9月,三星與希捷在閃存是否會全面取代硬盤技術上展開爭論,三星高層預言,硬盤時代已步入黃昏,閃存時代即將來臨。希捷公司隨即反駁,認為閃存完全替代硬盤還為時尚早。 從目前筆記本發(fā)展的趨勢來看,移動性強,省電等指標已經成為用戶購買筆記本電腦時的重要考慮因素,未來筆記本將進一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長電池使用時間發(fā)展,閃存
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- 6月23日消息,據(jù)外電報道,針對當前愈演愈烈的裁員傳聞,英特爾CEO歐德寧日前表示,最終的決定可能在下月財報分析師大會上宣布。 據(jù)英國媒體報道,由于幾個季度的持續(xù)低迷,英特爾今年4月宣布,將對公司業(yè)務進行重組,其中包括裁員。此后,英特爾便先后關閉了蘇格蘭一小型工廠,取消了一光存儲平臺部門,另外還將兩個閃存部門合二為一。 最近幾周,又有消息稱,英特爾最多可能裁員1.6萬人。同時,還將對部分業(yè)務進行重組,例如出售閃業(yè)務門等。對此,歐德寧
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- 有國外媒體日前對包括硬盤和閃存在內的存儲行業(yè)進行了一番分析。分析認為,硬盤和閃存之爭并不會帶來“你死我活”的局面,兩者通過相互競爭、技術進步,加上消費電子市場對存儲的需求不斷擴大,兩者的未來都很“光明”。 日立全球存儲技術公司的高級副總裁比爾
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- 三星電子近日證實,正在就供應NAND閃存問題與索尼談判。三星發(fā)言人表示:“我們正在與包括索尼在內的一些大公司就供應NAND閃存進行談判,但是目前還沒有確定任何細節(jié)?!?nbsp; 索尼希望獲得8G以上的NAND閃存,預計訂單將占到三星明年NAND總產量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預計將在明年上半年簽約。蘋果電腦11月與三星簽署了五億美元的長期協(xié)議,在2010年以前將一直從三星進貨.
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- 常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內存,8Mb及16Mb也將在2006年推出,以供應計算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網絡系統(tǒng)、打印機、復雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商,提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。 新一代的PM25LV
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- 韓國三星電子在CES展會上表示,由于便攜式音樂播放器等的廣泛流行,預計2006年的NAND閃存市場將出現(xiàn)大幅增長。 三星電子閃存營銷部門副主管Don Barnetson表示,去年全球NAND閃存總銷售額達100億美元,2004年為70億美元,三星這一急劇增長的市場中一直保持了60%的市場份額。  
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- 據(jù)韓國三星經濟研究所預測稱,在數(shù)字電視和NAND閃存芯片強勁銷售的推動下,2006年全球信息技術行業(yè)將繼續(xù)復蘇。 據(jù)Asia Pulse網站報道,三星經濟研究所在一篇報告中稱,全球信息技術行業(yè)在2005年第二季度觸底之后已經進入了復蘇的軌道。在數(shù)字電視和NAND閃存芯片銷售的推動下,IT行業(yè)在2006年將繼續(xù)復蘇。 &
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- 中芯國際與Saifun半導體日前共同宣布,中芯國際將采用Saifun的NROM技術研發(fā)生產閃存存儲卡。 Saifun的NROM技術在非易失內存技術領域是一個突破。NROM技術將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節(jié),是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此,NROM技術簡化了存儲單元的器件模型,減少了生產步驟,降低了生產成本。 “閃存存儲卡市場對于我們未來的發(fā)展而言是一個重要的驅動力,”中芯國際首席營運官Marco Mora表示,“在雙方簽署的第二份協(xié)議中,我們將Saifun先進的技術和中
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- 常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內存,8Mb及16Mb也將在2006年推出,以供應計算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網絡系統(tǒng)、打印機、復雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商,提供球最高性能的串行外圍接口(SPI)&
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- 據(jù)國外媒體援引消息人士透露,韓國芯片巨頭三星電子計劃進一步縮減DDR2內存產能,并將生產線用于盈利更好的NAND閃存。 據(jù)業(yè)內消息人士透露,在本季度,三星電子已經將其DDR2內存的產能壓縮了大約5000萬個 “256Mbit單位”。到明年第一季度,該公司計劃進一步壓縮5000萬個單位。這位消息人士說,三星電子計劃用這些騰出的生產線生產目前市場供不應求的NAND閃存產品。 三星電子這個舉措符合存儲市場調研公司iSuppli對明年DRAM市場所作的估計。據(jù)這家機構
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- 根據(jù)內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示,由于DRAM廠商面臨過低的DRAM價格不愿放貨,導致帶動UTT(未經完整測試)產品的價格反彈。 適逢香港12月24日至12月27日的圣誕節(jié)假期,市場上買家也較為謹慎的掌控手中的庫存,部分系統(tǒng)整合商以及OEM廠也不愿意在年底前買貨增加庫存,使得上周現(xiàn)貨市場方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
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閃存介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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